Descrizzione di u produttu
A nostra sucietà furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, in modu chì gasi speciali chì cuntenenu carbone è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molecule di SiC di alta purezza, molecule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu un stratu protettivu SIC.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:
A resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura ghjunghje à 1600 C.
2. Alta purezza: fatta per deposizione chimica di vapore in cundizioni di clorurazione à alta temperatura.
3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compatta, particelle fini.
4. Resistenza à a currusione: reagenti acidi, alcalini, sali è organici.
Specifiche principali di u rivestimentu CVD-SIC
| Proprietà di SiC-CVD | ||
| Struttura Cristalina | Fase β di a FCC | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Dimensione di u granu | μm | 2~10 |
| Purità chimica | % | 99.99995 |
| Capacità termica | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza Flesurale | MPa (RT 4 punti) | 415 |
| Modulu di Young | Gpa (curvatura 4pt, 1300℃) | 430 |
| Espansione Termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Cunduttività termica | (W/mK) | 300 |
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