Epitaxy ng GaN na nakabatay sa Silicon

Itinatampok na Larawan ng GaN Epitaxy na Nakabatay sa Silicon

Maikling Paglalarawan:

Lugar ng Pinagmulan:Tsina

Istrukturang Kristal:Yugto ng FCCβ

Densidad:3.21 g/cm

Katigasan:2500 Vickers

Laki ng Butil:2~10μm

Kadalisayan ng Kemikal:99.99995%

Kapasidad ng Init:640J·kg-1·K-1

Temperatura ng Sublimasyon:2700℃

Lakas ng Felexural:415 Mpa (RT 4-Punto)

Modulus ni Young:430 Gpa (4pt na liko, 1300℃)

Pagpapalawak ng Init (CTE):4.5 10-6K-1

Kondaktibiti ng init:300（W/MK）

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Paglalarawan ng Produkto

Nagbibigay ang aming kumpanya ng mga serbisyo sa proseso ng pagpapatong ng SiC gamit ang pamamaraang CVD sa ibabaw ng grapayt, seramika, at iba pang materyales, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silicon ay mag-react sa mataas na temperatura upang makakuha ng mga molekulang SiC na may mataas na kadalisayan, mga molekulang idineposito sa ibabaw ng mga materyales na pinahiran, na bumubuo ng SIC protective layer.

Pangunahing mga tampok:

1. Mataas na temperaturang resistensya sa oksihenasyon:

Napakaganda pa rin ng resistensya sa oksihenasyon kahit ang temperatura ay kasing taas ng 1600 C.

2. Mataas na kadalisayan: ginawa sa pamamagitan ng kemikal na pagdeposito ng singaw sa ilalim ng mataas na temperaturang kondisyon ng klorasyon.

3. Paglaban sa erosyon: mataas na katigasan, siksik na ibabaw, pinong mga partikulo.

4. Paglaban sa kalawang: asido, alkali, asin at mga organikong reagent.

Pangunahing mga Espesipikasyon ng CVD-SIC Coating

Mga Katangian ng SiC-CVD
Istrukturang Kristal	FCC β phase
Densidad	g/cm³	3.21
Katigasan	Katigasan ng Vickers	2500
Laki ng Butil	μm	2~10
Kadalisayan ng Kemikal	%	99.99995
Kapasidad ng Init	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura ng Sublimasyon	℃	2700
Lakas ng Felexural	MPa (RT 4-punto)	415
Modulus ni Young	Gpa (4pt na liko, 1300℃)	430
Pagpapalawak ng Init (CTE)	10-6K-1	4.5
Kondaktibiti ng init	(W/mK)	300