פּראָדוקט באַשרייַבונג
אונדזער פירמע גיט SiC קאָוטינג פּראָצעס באַדינונגען דורך CVD מעטאָד אויף דער ייבערפלאַך פון גראַפיט, קעראַמיק און אנדערע מאַטעריאַלס, אַזוי אַז ספּעציעלע גאַזן וואָס אַנטהאַלטן טשאַד און סיליקאָן רעאַגירן ביי הויך טעמפּעראַטור צו באַקומען הויך ריינקייַט SiC מאַלאַקיולז, מאַלאַקיולז דיפּאַזאַט אויף דער ייבערפלאַך פון די באדעקט מאַטעריאַלס, פאָרמינג SIC פּראַטעקטיוו שיכט.
הויפּט פֿעיִקייטן:
1. הויך טעמפּעראַטור אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל:
די אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל איז נאָך זייער גוט ווען די טעמפּעראַטור איז אַזוי הויך ווי 1600 C.
2. הויך ריינקייט: געמאכט דורך כעמישע פארע דעפאזיציע אונטער הויך טעמפעראטור כלארינאציע באדינגונגען.
3. עראָזיע קעגנשטעל: הויך כאַרדנאַס, קאָמפּאַקט ייבערפלאַך, פייַן פּאַרטיקאַלז.
4. קעראָוזשאַן קעגנשטעל: זויער, אַלקאַלי, זאַלץ און אָרגאַנישע רעאַגענץ.
הויפּט ספּעסיפיקאַציעס פון CVD-SIC קאָוטינג
| SiC-CVD אייגנשאפטן | ||
| קריסטאַל סטרוקטור | FCC β פאַזע | |
| געדיכטקייט | ג/קמ³ | 3.21 |
| כאַרטקייט | וויקערס כאַרדנאַס | 2500 |
| גריין גרייס | מיקראָמעטער | 2~10 |
| כעמישע ריינקייט | % | 99.99995 |
| היץ קאַפּאַציטעט | דזש·קג-1 ·ק-1 | 640 |
| סובלימאַציע טעמפּעראַטור | ℃ | 2700 |
| פֿעלעקסוראַל שטאַרקייט | MPa (RT 4-פונקט) | 415 |
| יונגס מאָדולוס | Gpa (4 פּינט בייג, 1300℃) | 430 |
| טערמישע עקספּאַנשאַן (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| טערמישע קאַנדאַקטיוויטי | (וואט/מיליקעלער קאלעקציע) | 300 |
-
1 קוו ברענשטאָף צעל סטאַק פֿאַר דראָנען און עלעקטרישע בייקס
-
קאַסטאַמייזאַבאַל הויך ריינקייט יסאָסטאַטיק געדריקט גראַפּ ...
-
גראָס פֿאַבריק פּרייַז הידראָגען ברענוואַרג סעלז פֿאַר ...
-
סיליקאָן קאַרבייד סיק גראַפיט קרוסיבל, קעראַמיק ...
-
גוטע קוואַליטעט גראַפיט בערינג בוש און אַרבל
-
דיאַמעטער 4 מם קאַרבאָן שטריק