Lớp màng GaN trên nền silicon

Mô tả sản phẩm

Công ty chúng tôi cung cấp dịch vụ phủ SiC bằng phương pháp CVD trên bề mặt than chì, gốm sứ và các vật liệu khác. Cụ thể, các khí đặc biệt chứa carbon và silicon phản ứng ở nhiệt độ cao để thu được các phân tử SiC có độ tinh khiết cao, các phân tử này được lắng đọng trên bề mặt vật liệu được phủ, tạo thành lớp bảo vệ SiC.

Các tính năng chính:

1. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao:

Khả năng chống oxy hóa vẫn rất tốt ngay cả khi nhiệt độ cao tới 1600°C.

2. Độ tinh khiết cao: được sản xuất bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.

3. Khả năng chống mài mòn: độ cứng cao, bề mặt đặc chắc, hạt mịn.

4. Khả năng chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và các chất phản ứng hữu cơ.

Các thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC