Епитаксија на GaN базирана на силициум

Опис на производот

Нашата компанија нуди услуги за процес на обложување со SiC со CVD метод на површината на графит, керамика и други материјали, така што специјални гасови што содржат јаглерод и силициум реагираат на висока температура за да добијат молекули на SiC со висока чистота, молекули што се таложат на површината на обложените материјали, формирајќи заштитен слој од SIC.

Главни карактеристики:

1. Отпорност на оксидација на висока температура:

Отпорноста на оксидација е сè уште многу добра кога температурата е висока до 1600°C.

2. Висока чистота: направена со хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање на висока температура.

3. Отпорност на ерозија: висока тврдост, компактна површина, фини честички.

4. Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.

Главни спецификации на CVD-SIC премазот