Արտադրանքի նկարագրություն
Մեր ընկերությունը մատուցում է SiC ծածկույթի ծառայություններ գրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերեսին CVD մեթոդով, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը բարձր ջերմաստիճանում փոխազդեն՝ ստանալով բարձր մաքրության SiC մոլեկուլներ, որոնք նստեցվում են ծածկված նյութերի մակերեսին՝ ձևավորելով SIC պաշտպանիչ շերտ:
Հիմնական առանձնահատկությունները՝
1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.
Օքսիդացման դիմադրությունը դեռևս շատ լավ է, երբ ջերմաստիճանը հասնում է մինչև 1600°C:
2. Բարձր մաքրություն. պատրաստված է քիմիական գոլորշիների նստեցմամբ բարձր ջերմաստիճանի քլորացման պայմաններում:
3. Էրոզիայի դիմադրություն. բարձր կարծրություն, կոմպակտ մակերես, մանր մասնիկներ:
4. Կոռոզիայի դիմադրություն. թթվային, ալկալային, աղային և օրգանական ռեակտիվներ:
CVD-SIC ծածկույթի հիմնական տեխնիկական բնութագրերը
| SiC-CVD հատկություններ | ||
| Բյուրեղային կառուցվածք | FCC β փուլ | |
| Խտություն | գ/սմ³ | 3.21 |
| Կարծրություն | Վիկերսի կարծրություն | 2500 |
| Հացահատիկի չափը | մկմ | 2~10 |
| Քիմիական մաքրություն | % | 99.99995 |
| Ջերմային հզորություն | Ջ·կգ-1·Կ-1 | 640 |
| Սուբլիմացիայի ջերմաստիճան | ℃ | 2700 |
| Ֆլեքսուրալ ուժ | ՄՊա (RT 4-բալանոց) | 415 |
| Յանգի մոդուլը | Gpa (4pt ծռում, 1300℃) | 430 |
| Ջերմային ընդարձակում (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Ջերմային հաղորդունակություն | (Վտ/մԿ) | 300 |
-
1 կՎտ հզորությամբ վառելիքային մարտկոցներ անօդաչու թռչող սարքերի և էլեկտրական հեծանիվների համար
-
Կարգավորելի բարձր մաքրության իզոստատիկ սեղմված խաղող...
-
Մեծածախ գործարանային գնի ջրածնային վառելիքային բջիջներ...
-
Սիլիցիումի կարբիդային SiC գրաֆիտային կերամիկական հալոցք ...
-
Լավ որակի գրաֆիտային կրող թևք և թևք
-
4 մմ տրամագծով ածխածնային պարան