Siliziumbasierte GaN-Epitaxie

Kurze Beschreibung:


  • Herkunftsort:China
  • Kristallstruktur:FCCβ-Phase
  • Dichte:3,21 g/cm
  • Härte:2500 Vickers
  • Körnung:2 bis 10 μm
  • Chemische Reinheit:99,99995 %
  • Wärmekapazität:640 J·kg−1·K−1
  • Sublimationstemperatur:2700℃
  • Biegefestigkeit:415 MPa (RT 4-Punkt)
  • Elastizitätsmodul:430 Gpa (4pt-Biegung, 1300℃)
  • Wärmeausdehnung (CTE):4,5 10-6K-1
  • Wärmeleitfähigkeit:300 (W/MK)
  • Produktdetail

    Produkt Tags

    Produktbeschreibung

    Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hohen Temperaturen reagieren und hochreine SiC-Moleküle entstehen, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern und eine SIC-Schutzschicht bilden.

    Haupteigenschaften:

    1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit:

    die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

    2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperaturchlorierungsbedingungen.

    3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

    4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

    Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

    SiC-CVD-Eigenschaften

    Kristallstruktur FCC-β-Phase
    Dichte g/cm³ 3.21
    Härte Vickershärte 2500
    Körnung μm 2 bis 10
    Chemische Reinheit % 99,99995
    Wärmekapazität J·kg−1 ·K−1 640
    Sublimationstemperatur 2700
    Flexurale Festigkeit MPa (RT 4-Punkt) 415
    Elastizitätsmodul Gpa (4pt-Biegung, 1300℃) 430
    Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.5
    Wärmeleitfähigkeit (W/mK) 300

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