Szilícium alapú GaN epitaxia

Termékleírás

Cégünk CVD módszerrel végez SiC bevonatolási eljárást grafit, kerámiák és más anyagok felületén, melynek során speciális, szenet és szilíciumot tartalmazó gázok magas hőmérsékleten reagálva nagy tisztaságú SiC molekulákat hoznak létre, amelyek a bevont anyagok felületére rakódnak le, SIC védőréteget képezve.

Főbb jellemzők:

1. Magas hőmérsékletű oxidációs ellenállás:

Az oxidációs ellenállás még 1600 °C hőmérsékleten is nagyon jó.

2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzfázisú leválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között állítják elő.

3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.

4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

A CVD-SIC bevonat főbb jellemzői