كرېمنىي ئاساسلىق GaN ئېپىتاكسىيىسى

مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى

شىركىتىمىز گرافىت، كېرامىكا ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC قاپلاش جەريانى مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇنىڭ بىلەن كاربون ۋە كرېمنىي تەركىبلىك ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا رېئاكسىيە قىلىپ، يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC مولېكۇلاسىنى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ مولېكۇلالار قاپلانغان ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە چۆكۈپ، SIC قوغداش قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ.

ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلىرى:

1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش:

تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغاندا، ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ناھايىتى ياخشى بولىدۇ.

2. يۇقىرى ساپلىق: يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىلورلاش شارائىتى ئاستىدا خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش ئارقىلىق ياسالغان.

3. ئېروزىيەگە قارشى تۇرۇش: يۇقىرى قاتتىقلىق، زىچ يۈزە، نېپىز زەررىچىلەر.

4. چىرىشكە چىداملىق: كىسلاتا، ئىشقار، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاگېنتلار.

CVD-SIC قاپلىمىسىنىڭ ئاساسلىق ئۆلچەملىرى