كىرىمنىينى ئاساس قىلغان GaN Epitaxy

مەھسۇلات چۈشەندۈرۈشى

شىركىتىمىز گرافت ، ساپال بۇيۇملار ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىدە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC سىرلاش جەريانى مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ ، شۇڭا كاربون ۋە كرېمنىي بولغان ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىنكاس قايتۇرۇپ ، ساپ ساپ SiC مولېكۇلاسىغا ئېرىشىدۇ ، سىرلانغان ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە قويۇلغان مولېكۇلا SIC قوغداش قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ.

ئاساسلىق ئىقتىدارلىرى:

1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىنىڭ ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى:

تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقا يەتكەندە ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ئىنتايىن ياخشى.

2. يۇقىرى ساپلىق: يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خلورلىنىش شارائىتىدا خىمىيىلىك ھور چۆكۈش ئارقىلىق ياسالغان.

3. چىرىشكە چىداملىق: قاتتىقلىق ، ئىخچام يەر ، ئىنچىكە زەررىچىلەر.

4. چىرىشكە قارشى تۇرۇش: كىسلاتا ، ئىشقار ، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاكتور.

CVD-SIC قاپلاشنىڭ ئاساسلىق ئۆلچىمى