Produktbeschreiwung
Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mam CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden.
Haaptmerkmale:
1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:
D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
Haaptspezifikatioune vun der CVD-SIC Beschichtung
| SiC-CVD Eegeschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC β Phase | |
| Dicht | g/cm³ | 3.21 |
| Häert | Vickers-Härkeet | 2500 |
| Kärengréisst | μm | 2~10 |
| Chemesch Rengheet | % | 99.99995 |
| Hëtztkapazitéit | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimatiounstemperatur | ℃ | 2700 |
| Felexural Stäerkt | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Young säi Modul | Gpa (4pt Biegung, 1300℃) | 430 |
| Thermesch Expansioun (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Wärmeleitfäegkeet | (W/mK) | 300 |
