Epitaksi GaN berbasis silikon

Deskripsi Produk

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul tersebut diendapkan pada permukaan material yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.

Fitur utama:

1. Tahan terhadap oksidasi suhu tinggi:

ketahanan oksidasi masih sangat baik ketika suhu mencapai 1600 C.

2. Kemurnian tinggi: dibuat melalui deposisi uap kimia di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.

3. Tahan erosi: kekerasan tinggi, permukaan padat, partikel halus.

4. Tahan terhadap korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Pelapisan CVD-SIC