Siliziumkarbid-Epitaxieblechschale für Halbleiter-Epitaxieöfen

Kurze Beschreibung:

Die Siliziumkarbid-Epitaxiefolie von VET Energy ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine konstante und zuverlässige Leistung über einen langen Zeitraum entwickelt wurde. Sie zeichnet sich durch hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit, hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist damit die perfekte Lösung für die Waferverarbeitung.


Produktdetail

Produkt Tags

SiC-Induktivitäten1
SiC-Induktivitäten2

Siliziumkarbid-Plattenträger sind eine Schlüsselkomponente in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen. Mit unserer patentierten Technologie fertigen wir Siliziumkarbid-Plattenträger mit extrem hoher Reinheit, gleichmäßiger Beschichtung und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.

VET Energy ist der führende Hersteller maßgeschneiderter Graphit- und Siliziumkarbidprodukte mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC, Tac, pyrolytischem Kohlenstoff, Glaskohlenstoff usw. und liefert kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und bietet Ihnen professionelle Materiallösungen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um noch fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.

Eigenschaften unserer Produkte:

1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit bis zu 1700 °C.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.

4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger

Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung

性质 / Eigentum

典型数值 / Typischer Wert

晶体结构 / Kristallstruktur

FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向

密度 / Dichte

3,21 g/cm³

硬度 / Härte

2500 U/min (500 g Ladung)

晶粒大小 / Korngröße

2 bis 10 μm

纯度 / Chemische Reinheit

99,99995 %

热容 / Wärmekapazität

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sublimationstemperatur

2700℃

抗弯强度 / Biegefestigkeit

415 MPa RT 4-Punkt

杨氏模量 / Elastizitätsmodul

430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃

导热系数 / ThermalLeitfähigkeit

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)

4,5 × 10-6K-1

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生产设备

 

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