Siliziumkarbid-Plattenträger sind eine Schlüsselkomponente in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen. Mit unserer patentierten Technologie fertigen wir Siliziumkarbid-Plattenträger mit extrem hoher Reinheit, gleichmäßiger Beschichtung und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.
VET Energy ist der führende Hersteller maßgeschneiderter Graphit- und Siliziumkarbidprodukte mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC, Tac, pyrolytischem Kohlenstoff, Glaskohlenstoff usw. und liefert kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und bietet Ihnen professionelle Materiallösungen.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um noch fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Bindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
Eigenschaften unserer Produkte:
1. Hohe Temperaturoxidationsbeständigkeit bis zu 1700 °C.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Lauge, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger
| Herz-Kreislauf-Erkrankungen SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2 bis 10 μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns das weiter besprechen!
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