Susceptor MOCVD de alta calidade 2022. Compra en liña na China. Susceptores de epitaxia de grafito Sic.
Substratos de soporte de grafito, Susceptores de grafito, Susceptores de grafito para epitaxia de SiC, Susceptores de grafito para silicio, Susceptores de grafito con revestimento de carburo de silicio, FERRAMENTAS DE GRAFITO EN SEMICONDUTTORES Bandexas de grafito Susceptores de obleas de grafito FERRAMENTAS DE GRAFITO DE ALTA PUREZA Optoelectrónica, plataformas de satélites para o MOCVD, Plataformas de satélites de grafito revestidas de SiC para MOCVD,

Entre as vantaxes especiais dos nosos susceptores de grafito revestidos de SiC inclúense unha pureza extremadamente alta, un revestimento homoxéneo e unha excelente vida útil. Tamén teñen propiedades de alta resistencia química e estabilidade térmica.

O revestimento de SiC de substrato de grafito para aplicacións de semicondutores produce unha peza con pureza superior e resistencia á atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou o SiC CVI aplícase ao grafito de pezas de deseño simple ou complexo. O revestimento pódese aplicar en diferentes grosores e a pezas moi grandes.

Características:
· Excelente resistencia ao choque térmico
· Excelente resistencia física aos impactos
· Excelente resistencia química
· Pureza superalta
· Dispoñibilidade en forma complexa
· Utilizable en atmosfera oxidante

Propiedades típicas do material de grafito base:

Carbon subministra susceptores e compoñentes de grafito para todos os reactores de epitaxia actuais. A nosa carteira inclúe susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores de filloa para unidades LPE, CSD e Gemini e susceptores de oblea única para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes asociacións con fabricantes de equipos orixinais líderes, experiencia en materiais e coñecementos de fabricación, SGL ofrece o deseño óptimo para a súa aplicación.