2022 altkvalita MOCVD-Susceptoro Aĉetu rete en Ĉinio, Sic-grafitaj epitaksiaj susceptoroj

2022 altkvalita MOCVD-Susceptoro Aĉetu rete en Ĉinio, Sic-grafit-epitaksaj susceptoroj Elstara Bildo

Mallonga Priskribo:

SiC-tegaĵo de grafita substrato por duonkonduktaĵaj aplikoj produktas parton kun supera pureco kaj rezisto al oksidiga atmosfero. CVD SiC aŭ CVI SiC estas aplikata al grafito de simplaj aŭ kompleksaj dezajnopartoj. Tegaĵo povas esti aplikita en diversaj dikecoj kaj al tre grandaj partoj.

Originloko:Ĝeĝjango, Ĉinio (Kontinento)

Modelnumero:Modelnumero:

Kemia Komponaĵo:SiC-kovrita grafito

Fleksa forto:470Mpa

Varmokondukteco:300 W/mK

Kvalito:Perfekta

Funkcio:CVD-SiC

Apliko:Duonkonduktaĵo / Fotovoltaiko

Denseco:3.21 g/cm³

Termika ekspansio:4 10-6/K

Cindro: <5ppm

Specimeno:Disponebla

HS-kodo:6903100000

Sendu retpoŝton al ni Elŝuti kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

2022 altkvalita MOCVD-Susceptoro Aĉetebla interrete en Ĉinio, Sic-grafitaj epitaksiaj susceptoroj,
Grafitaj subtenaj substratoj, Grafitaj Susceptoroj, Grafitaj Susceptoroj por SiC-Epitaksio, Grafitaj Susceptoroj por Silicio, Grafitaj susceptoroj kun siliciokarbida tegaĵo, GRAFITAJ ILOJ EN DUONKONDUKTAĴOJ Grafitaj Pletoj Grafitaj Oblatetaj Susceptoroj ALTPURECAJ GRAFITAJ ILOJ Optoelektroniko, satelitaj platformoj por la MOCVD, SiC-kovritaj grafitaj satelitplatformoj por MOCVD,

Specialaj avantaĝoj de niaj SiC-kovritaj grafitaj susceptoroj inkluzivas ekstreme altan purecon, homogenan tegaĵon kaj bonegan servodaŭron. Ili ankaŭ havas altan kemian reziston kaj termikan stabilecon.

SiC-tegaĵo de grafita substrato por duonkonduktaĵaj aplikoj produktas parton kun supera pureco kaj rezisto al oksidiga atmosfero.
CVD SiC aŭ CVI SiC estas aplikata al grafito de simplaj aŭ kompleksaj partoj. Tegaĵo povas esti aplikata en diversaj dikecoj kaj al tre grandaj partoj.

SiC-tegaĵo/tegita MOCVD-Susceptoro

Trajtoj:
· Bonega Termika Ŝoko-Rezisto
· Bonega Fizika Ŝokorezisto
· Bonega Kemia Rezisto
· Superalta Pureco
· Havebleco en Kompleksa Formo
· Uzebla sub Oksidiga Atmosfero

Tipaj ecoj de baza grafita materialo:

Ŝajna Denseco:	1,85 g/cm³
Elektra rezisteco:	11 μΩm
Fleksa Forto:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Marborda Malmoleco:	58
Cindro:	<5ppm
Termika Konduktiveco:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Karbono liveras susceptorojn kaj grafitajn komponantojn por ĉiuj nunaj epitaksiaj reaktoroj. Nia portfolio inkluzivas barelajn susceptorojn por aplikataj kaj LPE-unuoj, krespajn susceptorojn por LPE, CSD kaj Gemini-unuoj, kaj unu-platajn susceptorojn por aplikataj kaj ASM-unuoj. Kombinante fortajn partnerecojn kun ĉefaj originalaj ekipaĵoproduktantoj (OEM-oj), materialan kompetentecon kaj fabrikadan scion, SGL ofertas la optimuman dezajnon por via apliko.