2022 висококачествен MOCVD сусцептор Купете онлайн в Китай, Sic графитни епитаксийни сусцептори

2022 висококачествен MOCVD сусцептор Купете онлайн в Китай, Sic графитни епитаксиални сусцептори Представено изображение

Кратко описание:

SiC покритието върху графитна основа за полупроводникови приложения произвежда части с превъзходна чистота и устойчивост на окислителна атмосфера. CVD SiC или CVI SiC се нанася върху графит на прости или сложни детайли. Покритието може да се нанася с различна дебелина и върху много големи части.

Място на произход:Zhejiang, Китай (континентален)

Номер на модела:Номер на модела:

Химичен състав:Графит с покритие от SiC

Якост на огъване:470 МПа

Топлопроводимост:300 W/mK

Качество:Перфектно

Функция:CVD-SiC

Приложение:Полупроводници / Фотоволтаици

Плътност:3,21 г/куб. см

Термично разширение:4 10-6/К

Пепел: <5 ppm

Пример:Налично

Код по ХС:6903100000

Изпратете ни имейл Изтегляне като PDF

Детайли за продукта

Етикети на продукти

2022 висококачествен MOCVD сусцептор Купете онлайн в Китай, Sic графитни епитаксиални сусцептори,
Графитни подложки, Графитни сусцептори, Графитни сусцептори за SiC епитаксия, Графитни сусцептори за силиций, Графитни токсцептори със силициево-карбидно покритие, ГРАФИТНИ ИНСТРУМЕНТИ В ПОЛУПРОВОДНИКИТЕ Графитни тави Графитни пластинкови токоприемници ВИСОКОЧИСТИ ГРАФИТНИ ИНСТРУМЕНТИ Оптоелектроника, сателитни платформи за MOCVD, Сателитни платформи с графитно покритие SiC за MOCVD,

Специалните предимства на нашите графитни токсемпори с SiC покритие включват изключително висока чистота, хомогенно покритие и отличен експлоатационен живот. Те също така имат висока химическа устойчивост и термична стабилност.

SiC покритието на графитния субстрат за полупроводникови приложения произвежда част с превъзходна чистота и устойчивост на окислителна атмосфера.
CVD SiC или CVI SiC се нанася върху графит на прости или сложни детайли. Покритието може да се нанася с различна дебелина и върху много големи части.

SiC покритие/покрит MOCVD сусцептор

Характеристики:
· Отлична устойчивост на термичен удар
· Отлична устойчивост на физически удари
· Отлична химическа устойчивост
· Супер висока чистота
· Наличност в сложна форма
· Подходящ за употреба в окислителна атмосфера

Типични свойства на базовия графитен материал:

Привидна плътност:	1,85 г/см3
Електрическо съпротивление:	11 μΩm
Якост на огъване:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Твърдост по Шор:	58
Пепел:	<5 ppm
Топлопроводимост:	116 W/mK (100 kcal/mhr℃)

Carbon доставя токоприемници и графитни компоненти за всички съвременни епитаксиални реактори. Нашето портфолио включва цилиндрични токоприемници за приложни и LPE устройства, токоприемници тип „палачинка“ за LPE, CSD и Gemini устройства, както и токоприемници с единична пластина за приложни и ASM устройства. Чрез комбиниране на силни партньорства с водещи производители на оригинално оборудване (OEM), експертни познания в областта на материалите и производствени знания, SGL предлага оптималния дизайн за вашето приложение.