2022 წლის მაღალი ხარისხის MOCVD სუსცეპტორი შეიძინეთ ონლაინ ჩინეთში, Sic გრაფიტის ეპიტაქსიური სუსცეპტორები,
გრაფიტის საყრდენი სუბსტრატები, გრაფიტის სუსცეპტორები, გრაფიტის სუსცეპტორები SiC ეპიტაქსიისთვის, სილიკონის გრაფიტის სუსცეპტორები, გრაფიტის სუსცეპტორები სილიციუმის კარბიდის საფარით, ნახევარგამტარში გამოყენებული გრაფიტის ხელსაწყოები გრაფიტის უჯრები გრაფიტის ვაფლის რეცეპტორები მაღალი სისუფთავის გრაფიტის ხელსაწყოები ოპტოელექტრონიკა, MOCVD-ის სატელიტური პლატფორმები, SiC დაფარული გრაფიტის სატელიტური პლატფორმები MOCVD-სთვის,

ჩვენი SiC-ით დაფარული გრაფიტის სუსცეპტორების განსაკუთრებული უპირატესობებია უკიდურესად მაღალი სისუფთავე, ერთგვაროვანი საფარი და შესანიშნავი მომსახურების ვადა. მათ ასევე აქვთ მაღალი ქიმიური მდგრადობა და თერმული სტაბილურობის თვისებები.

ნახევარგამტარული გამოყენებისთვის გრაფიტის სუბსტრატის SiC საფარი წარმოქმნის ნაწილს უმაღლესი სისუფთავით და დაჟანგვის ატმოსფეროს მიმართ მდგრადობით.
CVD SiC ან CVI SiC გამოიყენება მარტივი ან რთული დიზაინის ნაწილების გრაფიტზე. საფარის გამოყენება შესაძლებელია სხვადასხვა სისქის და ძალიან დიდ ნაწილებზე.

მახასიათებლები:
· შესანიშნავი თერმული დარტყმისადმი მდგრადობა
· შესანიშნავი ფიზიკური დარტყმისადმი მდგრადობა
· შესანიშნავი ქიმიური მდგრადობა
· ზემაღალი სისუფთავე
· კომპლექსური ფორმის ხელმისაწვდომობა
· გამოყენებადია ჟანგვის ატმოსფეროში

გრაფიტის ძირითადი მასალის ტიპიური თვისებები:

ნახშირბადი ამარაგებს სუსცეპტორებს და გრაფიტის კომპონენტებს ყველა არსებული ეპიტაქსიური რეაქტორისთვის. ჩვენი პორტფოლიო მოიცავს ლულისებრ სუსცეპტორებს გამოყენებითი და LPE ერთეულებისთვის, ბლინისებრ სუსცეპტორებს LPE, CSD და Gemini ერთეულებისთვის და ერთვაფლისებრ სუსცეპტორებს გამოყენებითი და ASM ერთეულებისთვის. წამყვან OEM მწარმოებლებთან მჭიდრო პარტნიორობის, მასალების ექსპერტიზისა და წარმოების ნოუ-ჰაუს შერწყმით, SGL გთავაზობთ თქვენი გამოყენებისთვის ოპტიმალურ დიზაინს.