2022 MOCVD Susceptor chất lượng cao Mua trực tuyến tại Trung Quốc, Sic Graphite epitaxy susceptors

Mô tả ngắn gọn:

Lớp phủ SiC của chất nền Graphite cho các ứng dụng bán dẫn tạo ra một bộ phận có độ tinh khiết cao và khả năng chống lại môi trường oxy hóa. CVD SiC hoặc CVI SiC được áp dụng cho Graphite của các bộ phận thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng ở nhiều độ dày khác nhau và cho các bộ phận rất lớn.


  • Nơi xuất xứ:Chiết Giang, Trung Quốc (đại lục)
  • Số hiệu mẫu:Số hiệu mẫu:
  • Thành phần hóa học:Than chì phủ SiC
  • Độ bền uốn:470Mpa
  • Độ dẫn nhiệt:300 W/mK
  • Chất lượng:Hoàn hảo
  • Chức năng:CVD-SiC
  • Ứng dụng:Chất bán dẫn/Quang điện
  • Tỉ trọng:3,21 g/cc
  • Sự giãn nở vì nhiệt:4 10-6/K
  • Tro: <5ppm
  • Vật mẫu:Có sẵn
  • Mã HS:6903100000
  • Chi tiết sản phẩm

    Thẻ sản phẩm

    2022 MOCVD Susceptor chất lượng cao Mua trực tuyến tại Trung Quốc, Sic Graphite epitaxy susceptors,
    Chất nền hỗ trợ than chì, Graphite Susceptors, Graphite Susceptors cho SiC Epitaxy, Graphite Susceptors cho Silicon, Chất bán dẫn graphite có lớp phủ silicon carbide, CÔNG CỤ GRAPHITE TRONG CHẤT BÁN DẪN Khay Graphite Bộ phận tiếp nhận wafer Graphite CÔNG CỤ GRAPHITE TINH KHIẾT CAO Quang điện tử, nền tảng vệ tinh cho MOCVD, Nền tảng vệ tinh graphite phủ SiC cho MOCVD,

    Mô tả sản phẩm

    Ưu điểm đặc biệt của vật liệu graphite phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng chống hóa chất và tính ổn định nhiệt cao.

    Lớp phủ SiC trên chất nền Graphite cho ứng dụng bán dẫn tạo ra một bộ phận có độ tinh khiết cao và khả năng chống lại môi trường oxy hóa.
    CVD SiC hoặc CVI SiC được áp dụng cho Graphite của các bộ phận thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng ở nhiều độ dày khác nhau và cho các bộ phận rất lớn.

    Lớp phủ SiC/lớp phủ MOCVD Susceptor

    Đặc trưng:
    · Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
    · Khả năng chống va đập vật lý tuyệt vời
    · Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
    · Độ tinh khiết cực cao
    · Có sẵn trong hình dạng phức tạp
    · Có thể sử dụng trong môi trường oxy hóa

     

    Tính chất điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

    Mật độ biểu kiến: 1,85g/cm3
    Điện trở suất: 11μΩm
    Độ bền uốn: 49MPa (500kgf/cm2)
    Độ cứng bờ: 58
    Tro: <5ppm
    Độ dẫn nhiệt: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon cung cấp susceptor và các thành phần graphite cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện tại. Danh mục đầu tư của chúng tôi bao gồm các susceptor dạng thùng cho các đơn vị ứng dụng và LPE, các susceptor dạng bánh kếp cho các đơn vị LPE, CSD và Gemini, và các susceptor dạng tấm đơn cho các đơn vị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp các mối quan hệ đối tác chặt chẽ với các OEM hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.

     


  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến trên WhatsApp!