Mua trực tuyến giá đỡ MOCVD chất lượng cao năm 2022 tại Trung Quốc, giá đỡ epitaxy than chì SiC.
Chất nền hỗ trợ than chì, Chất hấp thụ than chì, Giá đỡ bằng than chì cho quá trình epitaxy SiC., Giá đỡ than chì cho silicon, Các thanh đỡ bằng than chì được phủ lớp cacbua silic., CÔNG CỤ GRAPHITE TRONG NGÀNH BÁN DẪN Khay graphite Giá đỡ wafer graphite CÔNG CỤ GRAPHITE TINH KHIẾT CAO Quang điện tử, các nền tảng vệ tinh cho MOCVD, Nền tảng vệ tinh than chì phủ SiC cho MOCVD,

Những ưu điểm đặc biệt của thanh gia nhiệt bằng than chì phủ SiC của chúng tôi bao gồm độ tinh khiết cực cao, lớp phủ đồng nhất và tuổi thọ sử dụng tuyệt vời. Chúng cũng có khả năng kháng hóa chất cao và tính ổn định nhiệt tốt.

Lớp phủ SiC trên nền than chì dùng trong các ứng dụng bán dẫn tạo ra linh kiện có độ tinh khiết cao và khả năng chống chịu tốt với môi trường oxy hóa.
Lớp phủ SiC CVD hoặc SiC CVI được áp dụng lên than chì của các chi tiết có thiết kế đơn giản hoặc phức tạp. Lớp phủ có thể được áp dụng với độ dày khác nhau và cho các chi tiết rất lớn.

Đặc trưng:
• Khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời
• Khả năng chống sốc vật lý tuyệt vời
• Khả năng kháng hóa chất tuyệt vời
• Độ tinh khiết cực cao
• Có sẵn ở dạng phức tạp
• Có thể sử dụng được trong môi trường oxy hóa

Các đặc tính điển hình của vật liệu than chì cơ bản:

Carbon cung cấp các chất hấp thụ và các thành phần than chì cho tất cả các lò phản ứng epitaxy hiện hành. Danh mục sản phẩm của chúng tôi bao gồm các chất hấp thụ hình trụ cho các thiết bị ứng dụng và LPE, chất hấp thụ hình bánh cho các thiết bị LPE, CSD và Gemini, và chất hấp thụ đơn wafer cho các thiết bị ứng dụng và ASM. Bằng cách kết hợp mối quan hệ đối tác mạnh mẽ với các nhà sản xuất thiết bị gốc hàng đầu, chuyên môn về vật liệu và bí quyết sản xuất, SGL cung cấp thiết kế tối ưu cho ứng dụng của bạn.