Mochine oa boleng bo holimo oa MOCVD oa 2022 o Reka inthaneteng Chaena, Sic Graphite epitaxy susceptors

Mochine oa boleng bo holimo oa MOCVD oa 2022 Reka inthaneteng Chaena, Sic Graphite epitaxy susceptors Setšoantšo se Hlahisitsoeng

Tlhaloso e Khutšoanyane:

Sekoahelo sa SiC sa substrate ea Graphite bakeng sa lits'ebetso tsa Semiconductor se hlahisa karolo e nang le bohloeki bo phahameng le ho hanyetsa sepakapaka se oxidizing. CVD SiC kapa CVI SiC e sebelisoa ho Graphite ea likarolo tse bonolo kapa tse rarahaneng tsa moralo. Sekoahelo se ka sebelisoa ka botenya bo fapaneng le likarolong tse kholo haholo.

Sebaka sa Tšimoloho:Zhejiang, China (Bohareng)

Nomoro ea Mohlala:Nomoro ea Mohlala:

Sebopeho sa Lik'hemik'hale:Graphite e koahetsoeng ka SiC

Matla a ho tenyetseha:470Mpa

Ho tsamaisa mocheso:300 W/mK

Boleng:E phethahetse

Mosebetsi:CVD-SiC

Kopo:Semiconductor / Photovoltaic

Botenya:3.21 g/cc

Katoloso ea mocheso:4 10-6/K

Molora: <5ppm

Mohlala:E fumaneha

Khoutu ea HS:6903100000

Romella imeile ho rona Khoasolla e le PDF

Qaqiso ea Sehlahisoa

Li-tag tsa Sehlahisoa

Mochine oa boleng bo holimo oa MOCVD oa 2022 o Reka inthaneteng Chaena, Sic Graphite epitaxy susceptors,
Lisebelisoa tsa tšehetso ea grafiti, Li-Susceptor tsa Graphite, Li-Susceptors tsa Graphite bakeng sa SiC Epitaxy, Li-Susceptor tsa Graphite bakeng sa Silicon, Li-susceptor tsa graphite tse nang le sekoahelo sa silicon carbide, LISEBELISOA TSA GRAPHITE KA SEMICONDUCTOR Literei tsa Graphite Li-Susceptors tsa Graphite Wafer Lisebelisuoa tsa Graphite tse Hloekileng Haholo Lisebelisoa tsa Opto-electronics, li-platform tsa sathelaete bakeng sa MOCVD, Li-platform tsa sathelaete tsa graphite tse koahetsoeng ke SiC bakeng sa MOCVD,

Melemo e ikhethang ea li-susceptor tsa rona tsa graphite tse koahetsoeng ke SiC e kenyelletsa bohloeki bo phahameng haholo, ho koahela ka ho tšoana le bophelo bo botle ba ts'ebeletso. Li boetse li na le khanyetso e phahameng ea lik'hemik'hale le litšobotsi tsa botsitso ba mocheso.

Ho koahela SiC ha karolo e ka tlas'a Graphite bakeng sa lits'ebetso tsa Semiconductor ho hlahisa karolo e nang le bohloeki bo phahameng le ho hanyetsa sepakapaka se oxidizing.
CVD SiC kapa CVI SiC e sebelisoa ho Graphite ea likarolo tse bonolo kapa tse rarahaneng tsa moralo. Sekoahelo se ka sebelisoa ka botenya bo fapaneng le likarolong tse kholo haholo.

Sekoahelo sa SiC/se koahetsoeng sa MOCVD Susceptor

Likaroloana:
· Khanyetso e Hlollang ea Thermal Shock
· Khanyetso e Hlollang ea 'Mele ea ho Tšoaroa ke Tšabo
· Khanyetso e Hlollang ea Lik'hemik'hale
· Bohloeki bo Phahameng ka ho Fetisisa
· Ho fumaneha ka Sebopeho se Rarahaneng
· E ka sebelisoa tlas'a Oxidizing Atmosphere

Matlotlo a Tloaelehileng a Thepa ea Motheo ea Graphite:

Botenya bo Bonahalang:	1.85 g/cm3
Ho hanyetsa motlakase:	11 μΩm
Matla a ho Flexural:	49 MPa (500kgf/cm2)
Ho Tiea ha Lebōpo:	58
Molora:	<5ppm
Ho tsamaisa mocheso:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Khabone e fana ka di-susceptor le dikarolo tsa graphite bakeng sa di-reactor tsohle tsa hona jwale tsa epitaxy. Potefolio ya rona e kenyeletsa di-susceptor tsa dibarele bakeng sa diyuniti tse sebediswang le tsa LPE, di-susceptor tsa dipanekuku bakeng sa diyuniti tsa LPE, CSD, le Gemini, le di-susceptor tsa wafer tse le nngwe bakeng sa diyuniti tse sebediswang le tsa ASM. Ka ho kopanya dikamano tse matla le di-OEM tse etellang pele, boiphihlelo ba thepa le tsebo ya tlhahiso, SGL e fana ka moralo o motle bakeng sa kopo ya hao.