سوسپکتور MOCVD با کیفیت بالا 2022، خرید آنلاین در چین، سوسپکتورهای اپیتاکسی گرافیتی Sic،
زیرلایه‌های گرافیتی, سوسپتورهای گرافیتی, سوسپکتورهای گرافیتی برای اپیتکسی SiC, سوسپکتورهای گرافیتی برای سیلیکون, سوسپتورهای گرافیتی با پوشش کاربید سیلیکون, ابزارهای گرافیتی در نیمه‌هادی‌ها سینی‌های گرافیتی سوسپتورهای ویفر گرافیتی ابزارهای گرافیتی با خلوص بالا اپتوالکترونیک, سکوهای ماهواره‌ای برای MOCVD, پلتفرم‌های ماهواره‌ای گرافیتی روکش‌شده با SiC برای MOCVD,

مزایای ویژه سوسپتورهای گرافیتی پوشش داده شده با SiC ما شامل خلوص بسیار بالا، پوشش همگن و طول عمر عالی است. آنها همچنین از مقاومت شیمیایی و پایداری حرارتی بالایی برخوردارند.

پوشش SiC روی زیرلایه گرافیتی برای کاربردهای نیمه‌هادی، قطعه‌ای با خلوص برتر و مقاومت در برابر اتمسفر اکسیدکننده تولید می‌کند.
SiC به روش CVD یا CVI روی گرافیت قطعات با طراحی ساده یا پیچیده اعمال می‌شود. این پوشش را می‌توان در ضخامت‌های مختلف و روی قطعات بسیار بزرگ اعمال کرد.

ویژگی‌ها:
· مقاومت عالی در برابر شوک حرارتی
· مقاومت عالی در برابر ضربه فیزیکی
· مقاومت شیمیایی عالی
· خلوص فوق العاده بالا
· موجود بودن در شکل‌های پیچیده
· قابل استفاده در اتمسفر اکسید کننده

خواص معمول مواد گرافیت پایه:

کربن، سوسپتورها و اجزای گرافیتی را برای همه راکتورهای اپیتاکسی فعلی تأمین می‌کند. نمونه کارهای ما شامل سوسپتورهای بشکه‌ای برای واحدهای کاربردی و LPE، سوسپتورهای پنکیک برای واحدهای LPE، CSD و Gemini و سوسپتورهای تک ویفری برای واحدهای کاربردی و ASM است. SGL با ترکیب مشارکت‌های قوی با تولیدکنندگان اصلی تجهیزات (OEM)، تخصص در مواد و دانش فنی تولید، طراحی بهینه را برای کاربرد شما ارائه می‌دهد.