Susceptores MOCVD de alta qualidade de 2022. Compre online na China. Susceptores de epitaxia de grafite SiC.

Descrição resumida:

O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes. O SiC depositado por CVD ou CVI é aplicado em grafite para peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.


  • Local de origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Número do modelo:
  • Composição química:grafite revestido com SiC
  • Resistência à flexão:470Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutores / Fotovoltaicos
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código HS:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas do produto

    Susceptores MOCVD de alta qualidade, disponíveis para compra online na China em 2022. Susceptores de epitaxia de grafite SiC.
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    Descrição do produto

    As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e estabilidade térmica.

    O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes.
    A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

    Revestimento de SiC/Susceptor MOCVD revestido

    Características:
    • Excelente resistência ao choque térmico
    • Excelente resistência a impactos físicos
    • Excelente resistência química
    • Pureza super elevada
    • Disponibilidade em formatos complexos
    • Pode ser usado em atmosfera oxidante.

     

    Propriedades típicas do material base de grafite:

    Densidade aparente: 1,85 g/cm³
    Resistividade elétrica: 11 μΩm
    Resistência à flexão: 49 MPa (500 kgf/cm²)
    Dureza da costa: 58
    Cinzas: <5 ppm
    Condutividade térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    A Carbon fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores cilíndricos para unidades de epitaxia aplicada e LPE, susceptores planos para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades de epitaxia aplicada e ASM. Combinando parcerias sólidas com os principais fabricantes de equipamentos originais (OEMs), conhecimento especializado em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o design ideal para sua aplicação.

     


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