Susceptor MOCVD de alta qualidade 2022 Compre online na China, susceptores de epitaxia de grafite Sic,
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As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.
O revestimento de SiC do substrato de grafite para aplicações semicondutoras produz uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou SiC CVI é aplicado ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em espessuras variadas e em peças muito grandes.

Características:
· Excelente resistência ao choque térmico
· Excelente resistência física ao choque
· Excelente resistência química
· Super Alta Pureza
· Disponibilidade em formato complexo
· Utilizável em atmosfera oxidante
Propriedades típicas do material de grafite base:
| Densidade aparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
| Resistência à flexão: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureza Shore: | 58 |
| Cinzas: | <5 ppm |
| Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mh-℃) |
A Carbon fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores epitaxiais atuais. Nosso portfólio inclui susceptores tipo barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores tipo panqueca para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores tipo wafer único para unidades aplicadas e ASM. Combinando sólidas parcerias com OEMs líderes, experiência em materiais e know-how de fabricação, a SGL oferece o projeto ideal para sua aplicação.
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