ซื้อตัวรับ MOCVD คุณภาพสูงปี 2022 ทางออนไลน์ในจีน ตัวรับเอพิแทกซีของ Sic Graphite
วัสดุรองรับกราไฟท์, ซัปเซปเตอร์กราไฟต์, ซัปเซปเตอร์กราไฟต์สำหรับ SiC Epitaxy, ซัปเซ็ปเตอร์กราไฟต์สำหรับซิลิกอน, ตัวรับกราไฟต์เคลือบซิลิกอนคาร์ไบด์, เครื่องมือกราไฟต์ในเซมิคอนดักเตอร์ ถาดกราไฟต์ ตัวรับเวเฟอร์กราไฟต์ เครื่องมือกราไฟต์ที่มีความบริสุทธิ์สูง ออปโตอิเล็กทรอนิกส์, แพลตฟอร์มดาวเทียมสำหรับ MOCVD, แพลตฟอร์มดาวเทียมกราไฟท์เคลือบ SiC สำหรับ MOCVD,

ข้อดีพิเศษของตัวรับกราไฟต์เคลือบ SiC ของเรา ได้แก่ ความบริสุทธิ์ที่สูงมาก การเคลือบที่เป็นเนื้อเดียวกัน และอายุการใช้งานที่ยอดเยี่ยม นอกจากนี้ ตัวรับกราไฟต์ยังทนทานต่อสารเคมีและทนความร้อนได้ดีอีกด้วย

การเคลือบ SiC ของพื้นผิวกราไฟต์สำหรับการใช้งานเซมิคอนดักเตอร์ทำให้ได้ชิ้นส่วนที่มีความบริสุทธิ์เหนือกว่าและทนทานต่อบรรยากาศออกซิไดซ์
CVD SiC หรือ CVI SiC ใช้กับกราไฟต์ของชิ้นส่วนที่มีการออกแบบที่เรียบง่ายหรือซับซ้อน สามารถเคลือบได้หลายความหนาและใช้กับชิ้นส่วนขนาดใหญ่

คุณสมบัติ:
· ทนทานต่อแรงกระแทกจากความร้อนได้ดีเยี่ยม
· ทนทานต่อแรงกระแทกทางกายภาพได้ดีเยี่ยม
· ทนทานต่อสารเคมีได้ดีเยี่ยม
· ความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ
· มีให้เลือกหลายรูปทรง
· สามารถใช้งานได้ภายใต้บรรยากาศออกซิไดซ์

คุณสมบัติทั่วไปของวัสดุฐานกราไฟท์:

Carbon เป็นผู้จัดหาตัวรับและส่วนประกอบของกราไฟต์สำหรับเครื่องปฏิกรณ์เอพิแทกซีทั้งหมดในปัจจุบัน ผลงานของเราประกอบด้วยตัวรับแบบถังสำหรับหน่วยที่นำไปใช้งานจริงและ LPE ตัวรับแบบแพนเค้กสำหรับหน่วย LPE, CSD และ Gemini และตัวรับแบบเวเฟอร์เดียวสำหรับหน่วยที่นำไปใช้งานจริงและ ASM SGL นำเสนอการออกแบบที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการใช้งานของคุณโดยผสมผสานความร่วมมืออันแข็งแกร่งกับ OEM ชั้นนำ ความเชี่ยวชาญด้านวัสดุ และความรู้ด้านการผลิต