สั่งซื้อ Suceptor คุณภาพสูงแบบ MOCVD ปี 2022 ออนไลน์ในประเทศจีน, Suceptor สำหรับการปลูกผลึกแกรไฟต์ SIC
วัสดุรองรับกราไฟต์, ตัวรองรับกราไฟต์, ตัวรองรับกราไฟต์สำหรับการปลูกผลึก SiC, ตัวรองรับกราไฟต์สำหรับซิลิคอน, ตัวรองรับกราไฟต์เคลือบด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์, เครื่องมือกราไฟต์ในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ถาดกราไฟต์ ตัวรองรับเวเฟอร์กราไฟต์ เครื่องมือกราไฟต์ความบริสุทธิ์สูง สำหรับอุปกรณ์อิเล็กโทรออปติกส์, แพลตฟอร์มดาวเทียมสำหรับ MOCVD, แพลตฟอร์มดาวเทียมกราไฟต์เคลือบ SiC สำหรับ MOCVD,

ข้อดีพิเศษของตัวรองรับกราไฟต์เคลือบ SiC ของเรา ได้แก่ ความบริสุทธิ์สูงมาก การเคลือบที่สม่ำเสมอ และอายุการใช้งานที่ยอดเยี่ยม นอกจากนี้ยังมีคุณสมบัติทนต่อสารเคมีและเสถียรภาพทางความร้อนสูงอีกด้วย

การเคลือบพื้นผิวแกรไฟต์ด้วย SiC สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ทำให้ได้ชิ้นส่วนที่มีความบริสุทธิ์และทนทานต่อบรรยากาศออกซิไดซ์ได้ดีเยี่ยม
CVD SiC หรือ CVI SiC ถูกนำมาใช้กับกราไฟต์ของชิ้นส่วนที่มีการออกแบบเรียบง่ายหรือซับซ้อน สามารถเคลือบได้ในความหนาที่แตกต่างกันและกับชิ้นส่วนขนาดใหญ่มาก

คุณสมบัติ:
· ทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันได้ดีเยี่ยม
· ทนทานต่อแรงกระแทกทางกายภาพได้ดีเยี่ยม
· ทนทานต่อสารเคมีได้ดีเยี่ยม
· ความบริสุทธิ์สูงมาก
• มีจำหน่ายในรูปทรงที่ซับซ้อน
• สามารถใช้งานได้ในบรรยากาศออกซิไดซ์

คุณสมบัติทั่วไปของวัสดุกราไฟต์พื้นฐาน:

บริษัท Carbon จัดหาสารรองรับและส่วนประกอบกราไฟต์สำหรับเครื่องปฏิกรณ์เอพิแท็กซีทุกรุ่นในปัจจุบัน ผลิตภัณฑ์ของเราประกอบด้วยสารรองรับทรงกระบอกสำหรับหน่วย Applied และ LPE สารรองรับทรงแพนเค้กสำหรับหน่วย LPE, CSD และ Gemini และสารรองรับแบบแผ่นเดียวสำหรับหน่วย Applied และ ASM ด้วยการผสานความร่วมมือที่แข็งแกร่งกับผู้ผลิตอุปกรณ์ดั้งเดิมชั้นนำ ความเชี่ยวชาญด้านวัสดุ และองค์ความรู้ด้านการผลิต SGL จึงนำเสนอการออกแบบที่เหมาะสมที่สุดสำหรับแอปพลิเคชันของคุณ