2022 високоякісний MOCVD сусцептор Купити онлайн у Китаї, Sic графітові епітаксіальні сусцептори

Короткий опис:

Карбід кремнію (SiC) на графітових підкладках для напівпровідникових застосувань створює деталі з високою чистотою та стійкістю до окислювального середовища. Карбід кремнію, отриманий методом химічного окиснення (CVD), або карбід кремнію, отриманий методом CVI, наноситься на графітові деталі простої або складної конструкції. Покриття може наноситися різною товщиною та на дуже великі деталі.

Місце походження:Чжецзян, Китай (материк)

Номер моделі:Номер моделі:

Хімічний склад:Графіт з покриттям SiC

Міцність на згин:470 МПа

Теплопровідність:300 Вт/мК

Якість:Ідеальний

Функція:CVD-SiC

Застосування:Напівпровідник / Фотоелектричні

Щільність:3,21 г/куб.см

Теплове розширення:4 10-6/К

Попіл: <5 ppm

Зразок:Доступно

Код ТН ЗС:6903100000

Надіслати нам електронного листа Завантажити як PDF

Деталі продукту

Теги продукту

2022 високоякісний MOCVD сусцептор Купити онлайн у Китаї, Sic графітові епітаксіальні сусцептори,
Графітові опорні підкладки, Графітові сусцептори, Графітові сусцептори для епітаксії SiC, Графітові сусцептори для кремнію, Графітові сусцептори з карбід-кремнієвим покриттям, ГРАФІТОВІ ІНСТРУМЕНТИ В НАПІВПРОВІДНИКАХ Графітові лотки Графітові пластини Суссептори ВИСОКОЧИСТІ ГРАФІТОВІ ІНСТРУМЕНТИ Оптоелектроніка, супутникові платформи для MOCVD, Супутникові платформи з графітовим покриттям SiC для MOCVD,

Особливими перевагами наших графітових токсцепторів з покриттям SiC є надзвичайно висока чистота, однорідне покриття та чудовий термін служби. Вони також мають високу хімічну стійкість та термостабільність.

Покриття SiC графітової підкладки для напівпровідникових застосувань забезпечує виріб з підвищеною чистотою та стійкістю до окислювального середовища.
CVD SiC або CVI SiC наноситься на графіт простих або складних конструкційних деталей. Покриття можна наносити різною товщиною та на дуже великі деталі.

Покриття SiC/з покриттям MOCVD Сусцептор

Особливості:
· Відмінна стійкість до теплових ударів
· Відмінна стійкість до фізичних ударів
· Відмінна хімічна стійкість
· Надвисока чистота
· Наявність складної форми
· Придатний для використання в окислювальній атмосфері

Типові властивості базового графітового матеріалу:

Видима щільність:	1,85 г/см3
Питомий електричний опір:	11 мкОм
Міцність на згин:	49 МПа (500 кгс/см2)
Твердість за Шором:	58
Попіл:	<5 ppm
Теплопровідність:	116 Вт/мК (100 ккал/мгод℃)

Компанія Carbon постачає сусцептори та графітові компоненти для всіх сучасних епітаксійних реакторів. Наше портфоліо включає сусцептори у формі циліндра для прикладних установок та установок рідкого полімерного випромінювання (LPE), сусцептори у формі млинця для установок LPE, CSD та Gemini, а також сусцептори на одній пластині для прикладних установок та установок ASM. Поєднуючи міцні партнерські відносини з провідними виробниками оригінального обладнання (OEM), досвід у сфері матеріалів та виробничі ноу-хау, SGL пропонує оптимальну конструкцію для вашого застосування.