સમાચાર

સેમિકન્ડક્ટર પ્રક્રિયા ફોટોલિથોગ્રાફીની સંપૂર્ણ પ્રક્રિયા
એડમિન દ્વારા 24-07-16 ના રોજ
દરેક સેમિકન્ડક્ટર પ્રોડક્ટના ઉત્પાદન માટે સેંકડો પ્રક્રિયાઓની જરૂર પડે છે. અમે સમગ્ર ઉત્પાદન પ્રક્રિયાને આઠ તબક્કામાં વિભાજીત કરીએ છીએ: વેફર પ્રોસેસિંગ-ઓક્સિડેશન-ફોટોલિથોગ્રાફી-એચિંગ-પાતળી ફિલ્મ ડિપોઝિશન-એપિટેક્સિયલ ગ્રોથ-ડિફ્યુઝન-આયન ઇમ્પ્લાન્ટેશન. તમને મદદ કરવા માટે...
વધુ વાંચો
૪ બિલિયન! SK Hynix એ પરડ્યુ રિસર્ચ પાર્ક ખાતે સેમિકન્ડક્ટર એડવાન્સ્ડ પેકેજિંગ રોકાણની જાહેરાત કરી
એડમિન દ્વારા 24-07-09 ના રોજ
વેસ્ટ લાફાયેટ, ઇન્ડિયાના - SK હાયનિક્સ ઇન્ક. એ પરડ્યુ રિસર્ચ પાર્ક ખાતે કૃત્રિમ ગુપ્તચર ઉત્પાદનો માટે અદ્યતન પેકેજિંગ ઉત્પાદન અને સંશોધન અને વિકાસ સુવિધા બનાવવા માટે લગભગ $4 બિલિયનનું રોકાણ કરવાની યોજનાની જાહેરાત કરી. વેસ્ટ લાફાયેટમાં યુએસ સેમિકન્ડક્ટર સપ્લાય ચેઇનમાં એક મુખ્ય કડી સ્થાપિત કરી રહી છે...
વધુ વાંચો
લેસર ટેકનોલોજી સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ પ્રોસેસિંગ ટેકનોલોજીના પરિવર્તન તરફ દોરી જાય છે
એડમિન દ્વારા 24-07-08 ના રોજ
1. સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ પ્રોસેસિંગ ટેકનોલોજીનું વિહંગાવલોકન વર્તમાન સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ પ્રોસેસિંગ પગલાંઓમાં શામેલ છે: બાહ્ય વર્તુળને પીસવું, સ્લાઇસિંગ, ચેમ્ફરિંગ, ગ્રાઇન્ડીંગ, પોલિશિંગ, સફાઈ, વગેરે. સેમિકન્ડક્ટર સબસ્ટ્રેટ ઉત્પાદનમાં સ્લાઇસિંગ એક મહત્વપૂર્ણ પગલું છે...
વધુ વાંચો
મુખ્ય પ્રવાહના થર્મલ ફિલ્ડ મટિરિયલ્સ: C/C કમ્પોઝિટ મટિરિયલ્સ
એડમિન દ્વારા 24-07-01 ના રોજ
કાર્બન-કાર્બન કમ્પોઝિટ એ કાર્બન ફાઇબર કમ્પોઝિટનો એક પ્રકાર છે, જેમાં કાર્બન ફાઇબર મજબૂતીકરણ સામગ્રી તરીકે અને જમા કાર્બન મેટ્રિક્સ સામગ્રી તરીકે હોય છે. C/C કમ્પોઝિટનું મેટ્રિક્સ કાર્બન છે. તે લગભગ સંપૂર્ણપણે એલિમેન્ટલ કાર્બનથી બનેલું હોવાથી, તેમાં ઉત્તમ ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકારકતા છે...
વધુ વાંચો
SiC સ્ફટિક વૃદ્ધિ માટે ત્રણ મુખ્ય તકનીકો
એડમિન દ્વારા 24-07-01 ના રોજ
આકૃતિ 3 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલને ઉચ્ચ ગુણવત્તા અને કાર્યક્ષમતા પ્રદાન કરવા માટે ત્રણ મુખ્ય તકનીકો છે: લિક્વિડ ફેઝ એપિટાક્સી (LPE), ફિઝિકલ વેપર ટ્રાન્સપોર્ટ (PVT), અને હાઇ-ટેમ્પરેચર કેમિકલ વેપર ડિપોઝિશન (HTCVD). PVT એ SiC સિન ઉત્પન્ન કરવા માટે એક સુસ્થાપિત પ્રક્રિયા છે...
વધુ વાંચો
ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર GaN અને સંબંધિત એપિટેક્સિયલ ટેકનોલોજીનો સંક્ષિપ્ત પરિચય
એડમિન દ્વારા 24-06-28 ના રોજ
1. ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર્સ પ્રથમ પેઢીની સેમિકન્ડક્ટર ટેકનોલોજી Si અને Ge જેવા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલ્સના આધારે વિકસાવવામાં આવી હતી. તે ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ ટેકનોલોજીના વિકાસ માટેનો ભૌતિક આધાર છે. પ્રથમ પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલ્સે...
વધુ વાંચો
૨૩.૫ બિલિયન, સુઝોઉનો સુપર યુનિકોર્ન IPO માં જઈ રહ્યો છે
એડમિન દ્વારા 24-06-28 ના રોજ
9 વર્ષના ઉદ્યોગસાહસિક કાર્ય પછી, ઇનોસાયન્સે કુલ ફાઇનાન્સિંગમાં 6 બિલિયન યુઆનથી વધુ ભંડોળ એકત્ર કર્યું છે, અને તેનું મૂલ્યાંકન આશ્ચર્યજનક રીતે 23.5 બિલિયન યુઆન સુધી પહોંચ્યું છે. રોકાણકારોની યાદી ડઝનબંધ કંપનીઓ જેટલી લાંબી છે: ફુકુન વેન્ચર કેપિટલ, ડોંગફાંગ રાજ્ય માલિકીની અસ્કયામતો, સુઝોઉ ઝાની, વુજિયાન...
વધુ વાંચો
ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટેડ ઉત્પાદનો સામગ્રીના કાટ પ્રતિકારને કેવી રીતે વધારે છે?
એડમિન દ્વારા 24-06-25 ના રોજ
ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગ એ સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતી સપાટી સારવાર તકનીક છે જે સામગ્રીના કાટ પ્રતિકારને નોંધપાત્ર રીતે સુધારી શકે છે. ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટિંગને રાસાયણિક વરાળ જમાવટ, ભૌતિકશાસ્ત્ર... જેવી વિવિધ તૈયારી પદ્ધતિઓ દ્વારા સબસ્ટ્રેટની સપાટી સાથે જોડી શકાય છે.
વધુ વાંચો
ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર GaN અને સંબંધિત એપિટેક્સિયલ ટેકનોલોજીનો પરિચય
એડમિન દ્વારા 24-06-25 ના રોજ
1. ત્રીજી પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર્સ પ્રથમ પેઢીની સેમિકન્ડક્ટર ટેકનોલોજી Si અને Ge જેવા સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીના આધારે વિકસાવવામાં આવી હતી. તે ટ્રાન્ઝિસ્ટર અને ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ ટેકનોલોજીના વિકાસ માટેનો ભૌતિક આધાર છે. પ્રથમ પેઢીના સેમિકન્ડક્ટર સામગ્રીએ f...
વધુ વાંચો