တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းစဉ်၊ ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီ၏ လုပ်ငန်းစဉ်အပြည့်အစုံ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်ကုန်တစ်ခုစီ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် လုပ်ငန်းစဉ်ရာပေါင်းများစွာ လိုအပ်ပါသည်။ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးကို အဆင့်ရှစ်ဆင့်ခွဲခြားထားပါသည်။ဝေဖာလုပ်ငန်းစဉ်-ဓာတ်တိုးခြင်း-ဖိုတိုလစ်သရိုဖီ-ထွင်းထုခြင်း-အလွှာပါးများစုပုံခြင်း-အပေါ်ယံလွှာကြီးထွားမှု-ပျံ့နှံ့မှု-အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်း။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ဆက်စပ်လုပ်ငန်းစဉ်များကို နားလည်ပြီး မှတ်မိစေရန်အတွက်၊ အထက်ဖော်ပြပါ အဆင့်တစ်ခုချင်းစီကို မိတ်ဆက်ပေးရန် WeChat ဆောင်းပါးများကို ထုတ်ဝေမှုတစ်ခုစီတွင် ထည့်သွင်းပေးပါမည်။
ယခင်ဆောင်းပါးတွင် ကာကွယ်ရန်အတွက် ဖော်ပြခဲ့ပြီးဖြစ်သည်။ဝေဖာမသန့်စင်မှုအမျိုးမျိုးမှ အောက်ဆိုဒ်အလွှာတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်ခဲ့သည်--ဓာတ်တိုးခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်။ ယနေ့တွင် အောက်ဆိုဒ်အလွှာဖွဲ့စည်းထားသော wafer ပေါ်ရှိ semiconductor ဒီဇိုင်းဆားကစ်ကို ဓာတ်ပုံရိုက်ကူးခြင်း၏ "ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီလုပ်ငန်းစဉ်" အကြောင်း ဆွေးနွေးပါမည်။

 

ဓာတ်ပုံပုံနှိပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်

 

၁။ ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီ လုပ်ငန်းစဉ်ဆိုတာ ဘာလဲ

ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီသည် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် လိုအပ်သော ဆားကစ်များနှင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သောနေရာများကို ပြုလုပ်ပေးရန်ဖြစ်သည်။
ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီစက်မှထုတ်လွှတ်သောအလင်းကို ပုံစံပါသောမျက်နှာဖုံးမှတစ်ဆင့် ဖိုတိုရီဆစ်ဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသော အလွှာပါးကိုဖော်ထုတ်ရန်အသုံးပြုသည်။ ဖိုတိုရီဆစ်သည် အလင်းကိုမြင်ပြီးနောက် ၎င်း၏ဂုဏ်သတ္တိများပြောင်းလဲသွားသောကြောင့် မျက်နှာဖုံးပေါ်ရှိပုံစံကို အလွှာပါးသို့ကူးယူပြီး အလွှာပါးသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ဆားကစ်ပုံ၏လုပ်ဆောင်ချက်ကိုရရှိစေသည်။ ၎င်းသည် ကင်မရာဖြင့်ဓာတ်ပုံများရိုက်ကူးခြင်းနှင့်ဆင်တူသော ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီ၏အခန်းကဏ္ဍဖြစ်သည်။ ကင်မရာမှရိုက်ကူးထားသောဓာတ်ပုံများကို ဖလင်ပေါ်တွင်ပုံနှိပ်ထားပြီး ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီသည် ဓာတ်ပုံများကိုထွင်းထုခြင်းမဟုတ်ဘဲ ဆားကစ်ပုံများနှင့် အခြားအီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများကိုသာထွင်းထုသည်။

ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီသည် တိကျသော မိုက်ခရိုစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။

ရိုးရာ photolithography သည် 2000 မှ 4500 angstroms အထိ wavelength ရှိသော ultraviolet light ကို image information carrier အဖြစ်အသုံးပြုပြီး photoresist ကို intermediate (image recording) medium အဖြစ်အသုံးပြု၍ graphics များ၏ transformation, transfer နှင့် processing ကိုအောင်မြင်စေပြီး image information ကို chip (အဓိကအားဖြင့် silicon chip) သို့မဟုတ် dielectric layer သို့ transmit လုပ်သည့် process တစ်ခုဖြစ်သည်။
ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီသည် ခေတ်သစ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် သတင်းအချက်အလက် လုပ်ငန်းများ၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်ပြီး ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီသည် ဤနည်းပညာများ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအဆင့်ကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်ဟု ဆိုနိုင်ပါသည်။
၁၉၅၉ ခုနှစ်တွင် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကို အောင်မြင်စွာတီထွင်ခဲ့ပြီး နှစ်ပေါင်း ၆၀ ကျော်အတွင်း ၎င်း၏ဂရပ်ဖစ်လိုင်းအကျယ်ကို လေးဆခန့်လျှော့ချခဲ့ပြီး ဆားကစ်ပေါင်းစပ်မှုကို ခြောက်ဆကျော်တိုးတက်စေခဲ့သည်။ ဤနည်းပညာများ၏ လျင်မြန်စွာတိုးတက်မှုသည် အဓိကအားဖြင့် ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကြောင့်ဖြစ်သည်။

(ပေါင်းစပ်ဆားကစ်ထုတ်လုပ်ရေး ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအဆင့်အမျိုးမျိုးတွင် ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီနည်းပညာအတွက် လိုအပ်ချက်များ)

 

၂။ ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီ၏ အခြေခံမူများ

ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီပစ္စည်းများသည် ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီတွင် အရေးအကြီးဆုံးလုပ်ဆောင်ချက်ပစ္စည်းများဖြစ်သည့် ဖိုတိုရီဆစ်များ သို့မဟုတ် ဖိုတိုရီဆစ်များဟုလည်းလူသိများသော ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီကို ရည်ညွှန်းလေ့ရှိသည်။ ဤပစ္စည်းအမျိုးအစားတွင် အလင်း (မြင်နိုင်သောအလင်း၊ ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်၊ အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည် စသည်ဖြင့်) ဓာတ်ပြုမှု၏ ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ဖိုတိုဓာတုဓာတ်ပြုမှုပြီးနောက် ၎င်း၏ပျော်ဝင်နိုင်စွမ်းသည် သိသိသာသာပြောင်းလဲသွားသည်။
၎င်းတို့တွင် developer တွင် positive photoresist ၏ ပျော်ဝင်နိုင်စွမ်း တိုးလာပြီး ရရှိလာသောပုံစံသည် mask နှင့် အတူတူပင်ဖြစ်သည်။ negative photoresist သည် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်ပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ developer နှင့်ထိတွေ့ပြီးနောက် ပျော်ဝင်နိုင်စွမ်း လျော့နည်းသွားခြင်း သို့မဟုတ် မပျော်ဝင်တော့ခြင်းဖြစ်ပြီး ရရှိလာသောပုံစံသည် mask နှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။ photoresist အမျိုးအစားနှစ်မျိုး၏ အသုံးချနယ်ပယ်များသည် မတူညီပါ။ positive photoresist များကို ပိုမိုအသုံးများပြီး စုစုပေါင်း၏ 80% ကျော်ရှိသည်။

အထက်ဖော်ပြပါပုံသည် ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီလုပ်ငန်းစဉ်၏ ပုံကြမ်းပုံဖြစ်သည်

 

(၁) ကော်ကပ်ခြင်း

ဆိုလိုသည်မှာ ဆီလီကွန်ဝေဖာပေါ်တွင် တစ်ပြေးညီအထူ၊ ကပ်ငြိမှုအားကောင်းပြီး အပြစ်အနာအဆာမရှိသော ဖိုတိုရီဇစ်ဖလင်တစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းခြင်းဖြစ်သည်။ ဖိုတိုရီဇစ်ဖလင်နှင့် ဆီလီကွန်ဝေဖာအကြား ကပ်ငြိမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ဆီလီကွန်ဝေဖာ၏ မျက်နှာပြင်ကို hexamethyldisilazane (HMDS) နှင့် trimethylsilyldiethylamine (TMSDEA) ကဲ့သို့သော အရာများဖြင့် ဦးစွာပြုပြင်ရန် လိုအပ်လေ့ရှိသည်။ ထို့နောက် ဖိုတိုရီဇစ်ဖလင်ကို spin coating ဖြင့် ပြင်ဆင်သည်။

(၂) ကြိုတင်ဖုတ်ခြင်း-

လှည့်အုပ်ပြီးနောက်၊ photoresist ဖလင်တွင် အရည်ပျော်ပစ္စည်း အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ပါဝင်နေသေးသည်။ အပူချိန်မြင့်မားစွာ ဖုတ်ပြီးနောက်၊ အရည်ပျော်ပစ္စည်းကို တတ်နိုင်သမျှ အနည်းဆုံး ဖယ်ရှားနိုင်သည်။ ကြိုတင်ဖုတ်ပြီးနောက်၊ photoresist တွင်ပါဝင်သော အရာသည် ၅% ခန့်အထိ လျော့ကျသွားသည်။

(၃) ထိတွေ့မှု

ဆိုလိုသည်မှာ ဖိုတိုရီစတစ်သည် အလင်းနှင့်ထိတွေ့သည်။ ဤအချိန်တွင် ဖိုတိုဓာတ်ပြုမှုဖြစ်ပေါ်ပြီး လင်းနေသောအပိုင်းနှင့် လင်းမနေသောအပိုင်းအကြား ပျော်ဝင်နိုင်မှုကွာခြားချက် ဖြစ်ပေါ်သည်။

(၄) ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် မာကျောမှု-

ထုတ်ကုန်ကို developer ထဲတွင် နှစ်မြှုပ်ထားသည်။ ဤအချိန်တွင်၊ positive photoresist ၏ ပေါ်ထွက်နေသောဧရိယာနှင့် negative photoresist ၏ ပေါ်ထွက်မနေသောဧရိယာတို့သည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် ပျော်ဝင်သွားမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် သုံးဖက်မြင်ပုံစံကို ပေါ်လွင်စေသည်။ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုပြီးနောက်၊ ချစ်ပ်သည် မာကျောသောအလွှာဖြစ်လာရန် မြင့်မားသောအပူချိန်ကုသမှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခု လိုအပ်ပြီး ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် photoresist ၏ substrate နှင့် ကပ်ငြိမှုကို ပိုမိုမြှင့်တင်ရန် ဆောင်ရွက်ပေးသည်။

(၅) ထွင်းထုခြင်း

ဖိုတိုရီစတစ်အောက်ရှိ ပစ္စည်းကို ထွင်းထုထားသည်။ ၎င်းတွင် အရည်စိုစွတ်သော ထွင်းထုခြင်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့ခြောက်သွေ့သော ထွင်းထုခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကို စိုစွတ်သော ထွင်းထုရန်အတွက် ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်၏ အက်ဆစ်ဓာတ်ပါသော ရေအရည်ကို အသုံးပြုသည်။ ကြေးနီကို စိုစွတ်သော ထွင်းထုရန်အတွက် နိုက်ထရစ်အက်ဆစ်နှင့် ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်ကဲ့သို့သော အားကောင်းသော အက်ဆစ်အရည်ကို အသုံးပြုပြီး ခြောက်သွေ့သော ထွင်းထုခြင်းတွင် ပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ကို ပျက်စီးစေပြီး ထွင်းထုရန် ပလာစမာ သို့မဟုတ် မြင့်မားသောစွမ်းအင်ရှိသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်များကို အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

(၆) ကော်ချွတ်ခြင်း

နောက်ဆုံးအနေနဲ့ ဖိုတိုရီစတစ်ကို မှန်ဘီလူးမျက်နှာပြင်ကနေ ဖယ်ရှားဖို့ လိုအပ်ပါတယ်။ ဒီအဆင့်ကို ကော်ခွာခြင်းလို့ခေါ်ပါတယ်။

ဘေးကင်းရေးသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအားလုံးတွင် အရေးကြီးဆုံးကိစ္စရပ်ဖြစ်သည်။ ချစ်ပ်လစ်သိုဂရပ်ဖီလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအန္တရာယ်ရှိသော ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီဓာတ်ငွေ့များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

 

၁။ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်

ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ် (H2O2) သည် အားကောင်းသော အောက်ဆီဒင့်တစ်မျိုးဖြစ်သည်။ တိုက်ရိုက်ထိတွေ့ခြင်းသည် အရေပြားနှင့် မျက်လုံးရောင်ရမ်းခြင်းနှင့် အပူလောင်ခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

 

၂။ ဇိုင်လင်း

Xylene သည် negative lithography တွင်အသုံးပြုသော solvent နှင့် developer တစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် မီးလောင်လွယ်ပြီး 27.3°C (အခန်းအပူချိန်ခန့်) သာရှိသည်။ လေထဲတွင်ပါဝင်မှု 1% မှ 7% ရှိသောအခါ ပေါက်ကွဲနိုင်သည်။ xylene နှင့် ထပ်ခါတလဲလဲထိတွေ့ခြင်းသည် အရေပြားရောင်ရမ်းခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ Xylene အငွေ့သည် ချိုမြိန်ပြီး လေယာဉ်ပျံ၏အနံ့နှင့်ဆင်တူသည်။ xylene နှင့်ထိတွေ့ခြင်းသည် မျက်လုံး၊ နှာခေါင်းနှင့် လည်ချောင်းရောင်ရမ်းခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ဓာတ်ငွေ့ရှူရှိုက်မိခြင်းသည် ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ မူးဝေခြင်း၊ အစာစားချင်စိတ်မရှိခြင်းနှင့် မောပန်းနွမ်းနယ်ခြင်းတို့ကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

 

၃။ ဟက်ဆာမီသိုင်းဒိုင်ဆီလာဇန်း (HMDS)

Hexamethyldisilazane (HMDS) ကို ထုတ်ကုန်၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် photoresist ၏ ကပ်ငြိမှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် primer အလွှာအဖြစ် အသုံးအများဆုံး အသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် မီးလောင်လွယ်ပြီး flash point 6.7°C ရှိသည်။ လေထဲတွင် ပါဝင်မှု 0.8% မှ 16% ရှိသည့်အခါ ပေါက်ကွဲနိုင်သည်။ HMDS သည် ရေ၊ အယ်လ်ကိုဟောနှင့် သတ္တုအက်ဆစ်များနှင့် ပြင်းထန်စွာ ဓာတ်ပြုပြီး အမိုးနီးယားကို ထုတ်လွှတ်သည်။

 

၄။ တက်ထရာမီသိုင်းအမိုးနီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်

တက်ထရာမီသိုင်းအလမိုနီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ် (TMAH) ကို ပုံနှိပ်ကျောက်ဖော်ရာတွင် တီထွင်ပစ္စည်းအဖြစ် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းသည် အဆိပ်သင့်ပြီး ချေးတက်စေနိုင်သည်။ မျိုချမိပါက သို့မဟုတ် အရေပြားနှင့် တိုက်ရိုက်ထိတွေ့မိပါက အသက်အန္တရာယ်ရှိနိုင်သည်။ TMAH ဖုန်မှုန့် သို့မဟုတ် မြူနှင့် ထိတွေ့မိပါက မျက်လုံး၊ အရေပြား၊ နှာခေါင်းနှင့် လည်ချောင်း ရောင်ရမ်းခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ TMAH ပါဝင်မှု မြင့်မားစွာ ရှူရှိုက်မိပါက သေဆုံးနိုင်သည်။

 

၅။ ကလိုရင်းနှင့် ဖလိုရင်း

ကလိုရင်း (Cl2) နှင့် ဖလိုရင်း (F2) နှစ်မျိုးလုံးကို excimer laser များတွင် ultraviolet နှင့် extreme ultraviolet (EUV) light sources များအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။ ဓာတ်ငွေ့နှစ်မျိုးလုံးသည် အဆိပ်သင့်ပြီး အစိမ်းရောင်ဖျော့ဖျော့ပေါ်ပြီး ပြင်းထန်သော ယားယံစေသော အနံ့ရှိသည်။ ဤဓာတ်ငွေ့၏ မြင့်မားသောပါဝင်မှုကို ရှူရှိုက်မိပါက သေဆုံးနိုင်သည်။ ဖလိုရင်းဓာတ်ငွေ့သည် ရေနှင့် ဓာတ်ပြုပြီး ဟိုက်ဒရိုဂျင်ဖလိုရိုက်ဓာတ်ငွေ့ ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ဖလိုရိုက်ဓာတ်ငွေ့သည် အရေပြား၊ မျက်လုံးနှင့် အသက်ရှူလမ်းကြောင်းကို ယားယံစေပြီး အပူလောင်ခြင်းနှင့် အသက်ရှူရခက်ခဲခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ဖလိုရိုက်ပါဝင်မှု မြင့်မားခြင်းသည် လူ့ခန္ဓာကိုယ်ကို အဆိပ်သင့်စေပြီး ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ အော့အန်ခြင်း၊ ဝမ်းလျှောခြင်းနှင့် မေ့မြောခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

 

၆။ အာဂွန်

အာဂွန် (Ar) သည် လူ့ခန္ဓာကိုယ်ကို တိုက်ရိုက်ထိခိုက်မှုမဖြစ်စေသော ဓာတ်ငွေ့တစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ပုံမှန်အခြေအနေများတွင် လူများရှူရှိုက်သောလေတွင် အာဂွန် ၀.၉၃% ခန့်ပါဝင်ပြီး ဤပါဝင်မှုသည် လူ့ခန္ဓာကိုယ်အပေါ် သိသာထင်ရှားသော အကျိုးသက်ရောက်မှုမရှိပါ။ သို့သော် အချို့ကိစ္စများတွင် အာဂွန်သည် လူ့ခန္ဓာကိုယ်ကို ထိခိုက်စေနိုင်သည်။
ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော အခြေအနေအချို့ကို ဖော်ပြလိုက်ပါတယ်- ကျဉ်းကျပ်သောနေရာတွင် အာဂွန်ပါဝင်မှု မြင့်တက်လာနိုင်ပြီး လေထုထဲတွင် အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှုကို လျော့ကျစေပြီး ဟိုက်ပိုဆီယာကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ ၎င်းသည် မူးဝေခြင်း၊ မောပန်းနွမ်းနယ်ခြင်းနှင့် အသက်ရှူကြပ်ခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ဖြစ်စေနိုင်ပါသည်။ ထို့အပြင် အာဂွန်သည် အစွမ်းမဲ့ဓာတ်ငွေ့ဖြစ်သော်လည်း မြင့်မားသောအပူချိန် သို့မဟုတ် မြင့်မားသောဖိအားအောက်တွင် ပေါက်ကွဲနိုင်သည်။

 

၇။ နီယွန်

နီယွန် (Ne) သည် တည်ငြိမ်သော၊ အရောင်မဲ့ပြီး အနံ့မဲ့သော ဓာတ်ငွေ့တစ်မျိုးဖြစ်ပြီး လူ့အသက်ရှူလမ်းကြောင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မပါဝင်သောကြောင့် နီယွန်ဓာတ်ငွေ့ မြင့်မားစွာ ရှူရှိုက်မိပါက အောက်ဆီဂျင်နည်းပါးခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ အကယ်၍ သင်သည် အောက်ဆီဂျင်နည်းပါးသော အခြေအနေတွင် ကြာရှည်စွာရှိနေပါက ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ ပျို့အန်ခြင်းနှင့် အန်ခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ခံစားရနိုင်သည်။ ထို့အပြင် နီယွန်ဓာတ်ငွေ့သည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း သို့မဟုတ် ဖိအားမြင့်မားခြင်းအောက်တွင် အခြားပစ္စည်းများနှင့် ဓာတ်ပြုပြီး မီးလောင်ခြင်း သို့မဟုတ် ပေါက်ကွဲမှုဖြစ်စေနိုင်သည်။

 

၈။ ဇီနွန်ဓာတ်ငွေ့

ဇီနွန်ဓာတ်ငွေ့ (Xe) သည် လူသား၏ အသက်ရှူလမ်းကြောင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မပါဝင်သော တည်ငြိမ်သော၊ အရောင်မဲ့ပြီး အနံ့မဲ့သော ဓာတ်ငွေ့တစ်မျိုးဖြစ်သောကြောင့် ဇီနွန်ဓာတ်ငွေ့ မြင့်မားစွာ ရှူရှိုက်မိပါက ဟိုက်ပိုဆီယာ ဖြစ်စေနိုင်သည်။ သင်သည် ဟိုက်ပိုဆီယာ အခြေအနေတွင် ကြာရှည်စွာ ရှိနေပါက ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ ပျို့အန်ခြင်းနှင့် အန်ခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ခံစားရနိုင်သည်။ ထို့အပြင် နီယွန်ဓာတ်ငွေ့သည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း သို့မဟုတ် ဖိအားမြင့်မားခြင်းအောက်တွင် အခြားပစ္စည်းများနှင့် ဓာတ်ပြုပြီး မီးလောင်ခြင်း သို့မဟုတ် ပေါက်ကွဲမှုများ ဖြစ်စေနိုင်သည်။

 

၉။ ခရစ်ပတွန်ဓာတ်ငွေ့

ခရစ်ပတွန်ဓာတ်ငွေ့ (Kr) သည် တည်ငြိမ်သော၊ အရောင်မဲ့ပြီး အနံ့မဲ့သော ဓာတ်ငွေ့ဖြစ်ပြီး လူ့အသက်ရှူလမ်းကြောင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မပါဝင်သောကြောင့် ခရစ်ပတွန်ဓာတ်ငွေ့ မြင့်မားစွာ ရှူရှိုက်မိပါက အောက်ဆီဂျင်နည်းခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ သင်သည် အောက်ဆီဂျင်နည်းသော အခြေအနေတွင် ကြာရှည်စွာ ရှိနေပါက ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ ပျို့အန်ခြင်းနှင့် အန်ခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ခံစားရနိုင်သည်။ ထို့အပြင် ဇီနွန်ဓာတ်ငွေ့သည် အပူချိန်မြင့် သို့မဟုတ် ဖိအားမြင့်အောက်တွင် အခြားပစ္စည်းများနှင့် ဓာတ်ပြုပြီး မီးလောင်ခြင်း သို့မဟုတ် ပေါက်ကွဲမှုကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ အောက်ဆီဂျင်ပြတ်လပ်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရှူရှိုက်မိပါက အောက်ဆီဂျင်နည်းခြင်းကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ သင်သည် အောက်ဆီဂျင်နည်းသော အခြေအနေတွင် ကြာရှည်စွာ ရှိနေပါက ခေါင်းကိုက်ခြင်း၊ ပျို့အန်ခြင်းနှင့် အန်ခြင်းကဲ့သို့သော ရောဂါလက္ခဏာများကို ခံစားရနိုင်သည်။ ထို့အပြင် ခရစ်ပတွန်ဓာတ်ငွေ့သည် အပူချိန်မြင့် သို့မဟုတ် ဖိအားမြင့်အောက်တွင် အခြားပစ္စည်းများနှင့် ဓာတ်ပြုပြီး မီးလောင်ခြင်း သို့မဟုတ် ပေါက်ကွဲမှုကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။

 

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းအတွက် အန္တရာယ်ရှိသောဓာတ်ငွေ့ရှာဖွေခြင်းဖြေရှင်းချက်များ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် မီးလောင်လွယ်သော၊ ပေါက်ကွဲစေတတ်သော၊ အဆိပ်သင့်သော နှင့် အန္တရာယ်ရှိသော ဓာတ်ငွေ့များ ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ ပါဝင်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့်စက်ရုံများတွင် ဓာတ်ငွေ့များကို အသုံးပြုသူတစ်ဦးအနေဖြင့် ဝန်ထမ်းတိုင်းသည် အသုံးမပြုမီ အန္တရာယ်ရှိသော ဓာတ်ငွေ့အမျိုးမျိုး၏ ဘေးကင်းရေးအချက်အလက်များကို နားလည်သင့်ပြီး ဤဓာတ်ငွေ့များ ယိုစိမ့်သည့်အခါ အရေးပေါ်လုပ်ထုံးလုပ်နည်းများကို မည်သို့ကိုင်တွယ်ရမည်ကို သိရှိသင့်သည်။
ဤအန္တရာယ်ရှိသော ဓာတ်ငွေ့များ ယိုစိမ့်မှုကြောင့် အသက်နှင့် ပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှုကို ရှောင်ရှားရန်အတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်း၏ ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် သိုလှောင်ခြင်းတွင် ပစ်မှတ်ဓာတ်ငွေ့ကို ထောက်လှမ်းရန် ဓာတ်ငွေ့ထောက်လှမ်းကိရိယာများ တပ်ဆင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

ဓာတ်ငွေ့ရှာဖွေစက်များသည် ယနေ့ခေတ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ပတ်ဝန်းကျင်စောင့်ကြည့်ရေးကိရိယာများ ဖြစ်လာခဲ့ပြီး တိုက်ရိုက်ဆုံး စောင့်ကြည့်ရေးကိရိယာများလည်း ဖြစ်သည်။
Riken Keiki သည် လူများအတွက် ဘေးကင်းသော အလုပ်ခွင်ပတ်ဝန်းကျင်တစ်ခု ဖန်တီးရန် ရည်ရွယ်ချက်ဖြင့် semiconductor ထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်း၏ ဘေးကင်းသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို အမြဲအာရုံစိုက်ခဲ့ပြီး semiconductor လုပ်ငန်းအတွက် သင့်လျော်သော ဓာတ်ငွေ့အာရုံခံကိရိယာများ တီထွင်ခြင်း၊ အသုံးပြုသူများ ကြုံတွေ့ရသော ပြဿနာအမျိုးမျိုးအတွက် ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော ဖြေရှင်းချက်များ ပေးအပ်ခြင်းနှင့် ထုတ်ကုန်လုပ်ဆောင်ချက်များကို အဆက်မပြတ် အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် စနစ်များကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ခြင်းတို့ကို အာရုံစိုက်ခဲ့သည်။