RTP/RTA ਲਈ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਕੈਰੀਅਰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤਿਆ ਜਾਣ ਵਾਲਾ ਇੱਕ ਮੁੱਖ ਹਿੱਸਾ ਹੈ ਜਿਸਨੂੰ ਰੈਪਿਡ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਅਤੇ ਐਨੀਲਿੰਗ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਅਸੀਂ ਆਪਣੀ ਪੇਟੈਂਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੈਰੀਅਰ ਨੂੰ ਬਹੁਤ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਚੰਗੀ ਕੋਟਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਉੱਚ ਰਸਾਇਣਕ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਸਥਿਰਤਾ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਾਂ।
ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:
1. 1700℃ ਤੱਕ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ।
2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ
3. ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟ।
4. ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤ੍ਹਾ, ਬਰੀਕ ਕਣ।
5. ਲੰਬੀ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਅਤੇ ਵਧੇਰੇ ਟਿਕਾਊ
| ਸੀਵੀਡੀ SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC ਦੇ ਮੁੱਢਲੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣਪਰਤ | |
| 性质 / ਜਾਇਦਾਦ | 典型数值 / ਆਮ ਮੁੱਲ |
| 晶体结构 / ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ | FCC β ਪੜਾਅ多晶, 主要为 (111) 取向 |
| 密度 / ਘਣਤਾ | 3.21 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.³ |
| 硬度 / ਕਠੋਰਤਾ | 2500 维氏硬度（500g ਲੋਡ） |
| 晶粒大小 / ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ | 2~10μm |
| 纯度 / ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ | 99.99995% |
| 热容 / ਗਰਮੀ ਸਮਰੱਥਾ | 640 J·kg-1·ਕੇ-1 |
| 升华温度 / ਸ੍ਰੇਸ਼ਟਤਾ ਤਾਪਮਾਨ | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ | 415 MPa RT 4-ਪੁਆਇੰਟ |
| 杨氏模量 / ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ | 430 Gpa 4pt ਮੋੜ, 1300℃ |
| 导热系数 / ਥਰਮਾlਚਾਲਕਤਾ | 300W·ਮੀ.-1·ਕੇ-1 |
| 热膨胀系数 / ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET ਐਨਰਜੀ, SiC ਕੋਟਿੰਗ, TaC ਕੋਟਿੰਗ, ਗਲਾਸਸੀ ਕਾਰਬਨ ਕੋਟਿੰਗ, ਪਾਈਰੋਲਾਈਟਿਕ ਕਾਰਬਨ ਕੋਟਿੰਗ, ਆਦਿ ਵਰਗੀਆਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਵਾਲੇ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਉਤਪਾਦਾਂ ਦਾ ਅਸਲ ਨਿਰਮਾਤਾ ਹੈ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਫੋਟੋਵੋਲਟੇਇਕ ਉਦਯੋਗ ਲਈ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਪੁਰਜ਼ਿਆਂ ਦੀ ਸਪਲਾਈ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਸਾਡੀ ਤਕਨੀਕੀ ਟੀਮ ਚੋਟੀ ਦੇ ਘਰੇਲੂ ਖੋਜ ਸੰਸਥਾਵਾਂ ਤੋਂ ਆਉਂਦੀ ਹੈ, ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਵਧੇਰੇ ਪੇਸ਼ੇਵਰ ਸਮੱਗਰੀ ਹੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਅਸੀਂ ਵਧੇਰੇ ਉੱਨਤ ਸਮੱਗਰੀ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨ ਲਈ ਲਗਾਤਾਰ ਉੱਨਤ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿਕਸਤ ਕਰਦੇ ਹਾਂ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਪੇਟੈਂਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ 'ਤੇ ਕੰਮ ਕੀਤਾ ਹੈ, ਜੋ ਕੋਟਿੰਗ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿਚਕਾਰ ਬੰਧਨ ਨੂੰ ਹੋਰ ਵੀ ਸਖ਼ਤ ਬਣਾ ਸਕਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਵੱਖ ਹੋਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਘੱਟ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਸਾਡੀ ਫੈਕਟਰੀ ਦਾ ਦੌਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤੁਹਾਡਾ ਨਿੱਘਾ ਸਵਾਗਤ ਹੈ, ਆਓ ਹੋਰ ਚਰਚਾ ਕਰੀਏ!
