SiC dangos nešiklis RTP/RTA yra pagrindinis komponentas, naudojamas puslaidininkių gamybos procesuose, vadinamuose greitu terminiu apdorojimu ir atkaitinimu. Mes naudojame savo patentuotą technologiją, kad pagamintume silicio karbido nešiklį, pasižymintį itin dideliu grynumu, geru dangos vienodumu ir puikiu tarnavimo laiku, taip pat dideliu atsparumu cheminėms medžiagoms ir terminiu stabilumu.
Mūsų gaminių savybės:
1. Aukštos temperatūros oksidacijos atsparumas iki 1700 ℃.
2. Didelis grynumas ir terminis vienodumas
3. Puikus atsparumas korozijai: rūgštims, šarmams, druskoms ir organiniams reagentams.
4. Didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.
5. Ilgesnis tarnavimo laikas ir patvaresnis
| ŠSD SiC薄膜基本物理性能 Pagrindinės CVD SiC fizinės savybėsdanga | |
| 性质 / Nekilnojamasis turtas | 典型数值 / Tipinė vertė |
| 晶体结构 / Kristalų struktūra | FCC β fazė多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 Tankis | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kietumas | 2500 维氏硬度 (500 g apkrova) |
| 晶粒大小 Grūdų dydis | 2–10 μm |
| 纯度 / Cheminis grynumas | 99,99995% |
| 热容 / Šilumos talpa | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimacijos temperatūra | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Lenkimo stipris | 415 MPa RT 4 taškų |
| 杨氏模量 / Youngo modulis | 430 Gpa 4pt lenkimas, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalLaidumas | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Šiluminis plėtimasis (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
„VET Energy“ yra tikrasis individualiai pritaikytų grafito ir silicio karbido gaminių su įvairiomis dangomis, tokiomis kaip SiC, TaC, stiklinės anglies, pirolizės anglies ir kt., gamintojas, galintis tiekti įvairias individualiai pritaikytas dalis puslaidininkių ir fotovoltinių įrenginių pramonei.
Mūsų techninė komanda yra iš geriausių šalies mokslinių tyrimų institucijų, gali pasiūlyti jums profesionalesnių medžiagų sprendimų.
Nuolat tobuliname pažangius procesus, kad galėtume tiekti pažangesnes medžiagas, ir sukūrėme išskirtinę patentuotą technologiją, kuri gali sustiprinti dangos ir pagrindo sukibimą ir sumažinti jautrumą atsiskyrimui.
Nuoširdžiai kviečiame apsilankyti mūsų gamykloje, aptarkime daugiau!
