Aṣọ Ibora SiC Fun RTP/RTA jẹ apakan pataki ti a lo ninu awọn ilana iṣelọpọ semiconductor ti a pe ni Rapid Thermal Processing & Annealing, a lo imọ-ẹrọ ti a fun ni aṣẹ lati ṣe agbẹru silikoni carbide pẹlu mimọ giga pupọ, iṣọkan awọ ti o dara ati igbesi aye iṣẹ ti o tayọ, bakanna pẹlu resistance kemikali giga ati awọn ohun-ini iduroṣinṣin ooru.
Awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn ọja wa:
1. Agbara ifoyina otutu giga titi di 1700℃.
2. Iwa mimọ giga ati iṣọkan ooru
3. O tayọ resistance ipata: acid, alkali, iyo ati awọn ohun elo adayeba.
4. Agbara giga, oju ti o kere, awọn patikulu ti o dara.
5. Iṣẹ́ tó gùn jù àti pé ó lè pẹ́ tó
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCibora | |
| 性质 / Ohun-ini | 典型数值 / Iye deede |
| 晶体结构 / Ìṣètò Kírísítà | Ìpele FCC β多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / Ìwọ̀n | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Líle | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Iwọn ọkà | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Ìmọ́tótó Kẹ́míkà | 99.99995% |
| 热容 / Agbara Ooru | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Iwọn otutu sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Agbára Rírọ̀ | 415 MPa RT 4-point |
| 杨氏模量 / Modulu Young | 430 GPA 4pt tẹ, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalÌgbékalẹ̀ ìṣiṣẹ́ | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ìfàsẹ́yìn Ooru (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
VET Energy ni olùpèsè gidi ti àwọn ọjà graphite àti silicon carbide tí a ṣe àdáni pẹ̀lú oríṣiríṣi ìbòrí bíi ìbòrí SiC, ìbòrí TaC, ìbòrí erogba gilasi, ìbòrí erogba pyrolytic, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ó lè pèsè oríṣiríṣi àwọn ẹ̀yà ara tí a ṣe àdáni fún ilé iṣẹ́ semiconductor àti photovoltaic.
Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile oke, o le pese awọn solusan ohun elo ọjọgbọn diẹ sii fun ọ.
A n ṣe agbekalẹ awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, a si ti ṣe agbekalẹ imọ-ẹrọ iyasọtọ ti a fun ni aṣẹ, eyiti o le jẹ ki asopọ laarin ibora ati substrate naa le nipọn ati ki o dinku si fifọ.
Ẹ kí yin káàbọ̀ pẹ̀lú ayọ̀ láti wá sí ilé iṣẹ́ wa, ẹ jẹ́ kí a tún jíròrò rẹ̀!
