Новости

  • Что такое покрытие из карбида кремния?

    Что такое покрытие из карбида кремния?

    Покрытие из карбида кремния, обычно называемое покрытием SiC, относится к процессу нанесения слоя карбида кремния на поверхности с помощью таких методов, как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), физическое осаждение из паровой фазы (PVD) или термическое напыление. Это керамическое покрытие из карбида кремния улучшает поверхность...
    Читать далее
  • Шесть преимуществ спеченного при атмосферном давлении карбида кремния и применение керамики на основе карбида кремния

    Шесть преимуществ спеченного при атмосферном давлении карбида кремния и применение керамики на основе карбида кремния

    Спеченный при атмосферном давлении карбид кремния больше не используется просто как абразив, а скорее как новый материал, и широко применяется в высокотехнологичных продуктах, таких как керамика из материалов на основе карбида кремния. Итак, каковы шесть преимуществ спеченного при атмосферном давлении карбида кремния и...
    Читать далее
  • Нитрид кремния – конструкционная керамика с наилучшими общими характеристиками

    Нитрид кремния – конструкционная керамика с наилучшими общими характеристиками

    Специальная керамика относится к классу керамики с особыми механическими, физическими или химическими свойствами, используемое сырье и требуемая технология производства значительно отличаются от обычной керамики и разработки. В зависимости от характеристик и применения, специальная керамика может быть ...
    Читать далее
  • Влияние спекания на свойства циркониевой керамики

    Влияние спекания на свойства циркониевой керамики

    Как вид керамического материала, цирконий обладает высокой прочностью, высокой твердостью, хорошей износостойкостью, устойчивостью к кислотам и щелочам, высокой термостойкостью и другими превосходными свойствами. Помимо широкого использования в промышленной сфере, с бурным развитием зубопротезной промышленности...
    Читать далее
  • Полупроводниковые детали – графитовая основа с покрытием SiC

    Полупроводниковые детали – графитовая основа с покрытием SiC

    Графитовые основания с покрытием SiC обычно используются для поддержки и нагрева монокристаллических подложек в оборудовании для химического осаждения из паров металлоорганических соединений (MOCVD). Термическая стабильность, тепловая однородность и другие эксплуатационные параметры графитового основания с покрытием SiC играют решающую роль в качестве эпитакси...
    Читать далее
  • Почему кремний используется в качестве полупроводникового чипа?

    Почему кремний используется в качестве полупроводникового чипа?

    Полупроводник — это материал, электропроводность которого при комнатной температуре находится между электропроводностью проводника и изолятора. Как и медный провод в повседневной жизни, алюминиевый провод является проводником, а резина — изолятором. С точки зрения проводимости: полупроводник относится к проводящему...
    Читать далее
  • Влияние спекания на свойства циркониевой керамики

    Влияние спекания на свойства циркониевой керамики

    Влияние спекания на свойства циркониевой керамики Как вид керамического материала, цирконий обладает высокой прочностью, высокой твердостью, хорошей износостойкостью, устойчивостью к кислотам и щелочам, высокой термостойкостью и другими превосходными свойствами. Помимо широкого использования в промышленной сфере,...
    Читать далее
  • Полупроводниковые детали – графитовая основа с покрытием SiC

    Полупроводниковые детали – графитовая основа с покрытием SiC

    Графитовые основания с покрытием SiC обычно используются для поддержки и нагрева монокристаллических подложек в оборудовании для химического осаждения из паров металлоорганических соединений (MOCVD). Термическая стабильность, тепловая однородность и другие эксплуатационные параметры графитового основания с покрытием SiC играют решающую роль в качестве эпитакси...
    Читать далее
  • Прорыв в области роста ключевых основных материалов

    Прорыв в области роста ключевых основных материалов

    При росте кристалла карбида кремния «окружающая среда» интерфейса роста между осевым центром кристалла и краем различна, поэтому кристаллическое напряжение на крае увеличивается, и на крае кристалла легко образуются «комплексные дефекты» из-за инф...
    Читать далее
Онлайн-чат WhatsApp!