Новости

Какие технические сложности возникают при использовании печи для выращивания кристаллов карбида кремния?
администратором 24.06.07
Печь для выращивания кристаллов является основным оборудованием для выращивания кристаллов карбида кремния. Она аналогична традиционной печи для выращивания кристаллов кремния. Конструкция печи не очень сложная. Она в основном состоит из корпуса печи, системы нагрева, механизма передачи катушек и т.д.
Читать далее
Какие дефекты наблюдаются в эпитаксиальном слое карбида кремния?
администратором 24.06.05
Ключевой технологией выращивания эпитаксиальных материалов SiC является, прежде всего, технология контроля дефектов, особенно та, которая подвержена отказам устройств или снижению их надежности. Изучение механизма распространения дефектов подложки в эпитаксиальный слой...
Читать далее
Технология окисленных вертикально расположенных зерен и эпитаксиального роста II
администратором 24.05.30
2. Эпитаксиальный рост тонких пленок. Подложка обеспечивает физический опорный слой или проводящий слой для силовых устройств на основе Ga2O3. Следующий важный слой — это канальный слой или эпитаксиальный слой, используемый для сопротивления напряжению и переноса носителей заряда. Для увеличения напряжения пробоя и минимизации...
Читать далее
Технология выращивания монокристаллов оксида галлия и эпитаксиального роста
администратором 24.05.30
Широкозонные полупроводники (ШЗП), представленные карбидом кремния (SiC) и нитридом галлия (GaN), привлекли широкое внимание. Возлагаются большие надежды на перспективы применения карбида кремния в электромобилях и электросетях, а также на перспективы применения галлия...
Читать далее
Какие существуют технические барьеры для карбида кремния?Ⅱ
администратором 24.05.22
Технические трудности, связанные со стабильным массовым производством высококачественных кремниевых карбидных пластин со стабильными характеристиками, включают в себя: 1) Поскольку кристаллы необходимо выращивать в герметичной среде при высокой температуре выше 2000 °C, требования к контролю температуры чрезвычайно высоки; 2) Поскольку карбид кремния имеет...
Читать далее
Какие существуют технические препятствия для внедрения карбида кремния?
администратором 24.05.22
Первое поколение полупроводниковых материалов представлено традиционными кремнием (Si) и германием (Ge), которые лежат в основе производства интегральных схем. Они широко используются в низковольтных, низкочастотных и маломощных транзисторах и детекторах. Более 90% полупроводниковой продукции...
Читать далее
Как производится микропорошок SiC?
администратором 24.05.13
Монокристалл SiC — это полупроводниковый материал IV-IV группы, состоящий из двух элементов, Si и C, в стехиометрическом соотношении 1:1. По твердости он уступает только алмазу. Метод восстановления оксида кремния углеродом для получения SiC в основном основан на следующей формуле химической реакции...
Читать далее
Каким образом эпитаксиальные слои помогают полупроводниковым устройствам?
администратором 24.05.13
Происхождение названия «эпитаксиальная пластина». Для начала давайте популяризируем небольшую концепцию: подготовка пластины включает два основных этапа: подготовку подложки и эпитаксиальный процесс. Подложка — это пластина, изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала. Подложка может напрямую поступать в производство пластин...
Читать далее
Введение в технологию осаждения тонких пленок методом химического осаждения из газовой фазы (CVD).
администратором 24.05.06
Химическое осаждение из газовой фазы (CVD) — важная технология осаждения тонких пленок, часто используемая для получения различных функциональных пленок и тонкослойных материалов, и широко применяемая в полупроводниковом производстве и других областях. 1. Принцип работы CVD В процессе CVD газообразный прекурсор (один или...
Читать далее