-
Три основных метода выращивания кристаллов SiC
Как показано на рис. 3, существует три основных метода, направленных на получение высококачественных и эффективных монокристаллов SiC: жидкофазная эпитаксия (LPE), физическая парофазная транспортировка (PVT) и высокотемпературное химическое осаждение из газовой фазы (HTCVD). PVT — это хорошо зарекомендовавший себя процесс получения монокристаллов SiC...Читать далее -
Краткое введение в полупроводниковую технологию GaN третьего поколения и связанные с ней эпитаксиальные технологии.
1. Полупроводники третьего поколения. Технология полупроводников первого поколения была разработана на основе полупроводниковых материалов, таких как Si и Ge. Она является материальной основой для разработки транзисторов и интегральных схем. Полупроводниковые материалы первого поколения заложили...Читать далее -
Супер-единорог из Сучжоу с капитализацией в 23,5 миллиарда долларов готовится к IPO.
За 9 лет предпринимательской деятельности компания Innoscience привлекла в общей сложности более 6 миллиардов юаней финансирования, а её рыночная капитализация достигла поразительных 23,5 миллиардов юаней. Список инвесторов насчитывает десятки компаний: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Читать далее -
Каким образом покрытия из карбида тантала повышают коррозионную стойкость материалов?
Покрытие из карбида тантала — это широко используемая технология обработки поверхности, которая может значительно улучшить коррозионную стойкость материалов. Покрытие из карбида тантала может быть нанесено на поверхность подложки различными методами подготовки, такими как химическое осаждение из паровой фазы, физическое осаждение и т.д.Читать далее -
Введение в полупроводниковую технологию третьего поколения GaN и связанные с ней эпитаксиальные технологии.
1. Полупроводники третьего поколения. Технология полупроводников первого поколения была разработана на основе полупроводниковых материалов, таких как Si и Ge. Она является материальной основой для разработки транзисторов и интегральных схем. Полупроводниковые материалы первого поколения заложили основу для…Читать далее -
Численное моделирование влияния пористого графита на рост кристаллов карбида кремния
Основной процесс роста кристаллов SiC делится на сублимацию и разложение исходных материалов при высокой температуре, перенос веществ в газовой фазе под действием температурного градиента и рекристаллизационный рост веществ в газовой фазе на затравке. Исходя из этого, ...Читать далее -
Виды специального графита
Специальный графит — это высокочистый, высокоплотный и высокопрочный графитовый материал, обладающий превосходной коррозионной стойкостью, термостойкостью и высокой электропроводностью. Он изготавливается из природного или искусственного графита после высокотемпературной термообработки и обработки под высоким давлением...Читать далее -
Анализ оборудования для осаждения тонких пленок – принципы и области применения оборудования PECVD/LPCVD/ALD
Нанесение тонких пленок — это процесс нанесения пленочного покрытия на основную подложку полупроводника. Эта пленка может быть изготовлена из различных материалов, таких как диоксид кремния (изолирующее соединение), поликремний (полупроводник), медь (металл) и т. д. Оборудование, используемое для нанесения покрытия, называется оборудованием для нанесения тонких пленок...Читать далее -
Важные материалы, определяющие качество выращивания монокристаллического кремния – тепловое поле.
Процесс роста монокристаллического кремния полностью осуществляется в тепловом поле. Хорошее тепловое поле способствует улучшению качества кристаллов и обеспечивает более высокую эффективность кристаллизации. Конструкция теплового поля во многом определяет изменения температурных градиентов...Читать далее