ھازىر، SiC سانائىتى 150 مىللىمېتىردىن (6 دىيۇم) 200 مىللىمېتىرغا (8 دىيۇم) ئۆزگەرمەكتە. سانائەتتىكى چوڭ تىپتىكى، يۇقىرى سۈپەتلىك SiC گوموئېپىتاكسىيال لېنتىلىرىغا بولغان جىددىي ئېھتىياجنى قاندۇرۇش ئۈچۈن، 150 مىللىمېتىرلىق ۋە 200 مىللىمېتىرلىق لېنتىلار ئىشلىتىلمەكتە.4H-SiC گوموئېپىتاكسىيال ۋافېرلىرىمۇستەقىل ھالدا تەرەققىي قىلدۇرۇلغان 200mm SiC ئېپىتاكسىيال ئۆستۈرۈش ئۈسكۈنىسى ئارقىلىق ئۆي ئىچى ئاساسىي ماددىلىرىدا مۇۋەپپەقىيەتلىك تەييارلاندى. 150mm ۋە 200mm غا ماس كېلىدىغان گومېئوئېپىتاكسىيال جەريان تەرەققىي قىلدۇرۇلدى، بۇ جەرياندا ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش سۈرئىتى 60mkm/h دىن يۇقىرى بولالايدۇ. يۇقىرى سۈرئەتلىك ئېپىتاكسىيال تەلەپكە يېتىش بىلەن بىرگە، ئېپىتاكسىيال ۋاپپېرنىڭ سۈپىتى ناھايىتى ياخشى. قېلىنلىقى بىردەكلىكى 150mm ۋە 200mm.SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرلىرى%1.5 ئىچىدە كونترول قىلغىلى بولىدۇ، قويۇقلۇق بىردەكلىكى %3 تىن تۆۋەن، ئۆلۈمگە ئېلىپ بارىدىغان نۇقسان زىچلىقى 0.3 زەررىچە/cm2 دىن تۆۋەن، ئېپىتاكسىيە يۈزىنىڭ پۇچۇقلۇقى ئوتتۇرىچە كۋادرات Ra 0.15nm دىن تۆۋەن، بارلىق يادرولۇق جەريان كۆرسەتكۈچلىرى كەسىپنىڭ ئىلغار سەۋىيەسىدە.
كرېمنىي كاربىدى (SiC)ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ ۋەكىللىرىنىڭ بىرى. ئۇ يۇقىرى پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى، ئېسىل ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، چوڭ ئېلېكترون تويۇنۇش سۈرئىتى ۋە كۈچلۈك رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش خۇسۇسىيىتىگە ئىگە. ئۇ ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئېنېرگىيە بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارىنى زور دەرىجىدە كېڭەيتتى ھەمدە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، كىچىك چوڭلۇقتىكى، يۇقىرى تېمپېراتۇرالىق، يۇقىرى رادىئاتسىيەلىك ۋە باشقا ئېغىر شارائىتتىكى ئۈسكۈنىلەر ئۈچۈن كېيىنكى ئەۋلاد ئېلېكترون ئۈسكۈنىلىرىنىڭ مۇلازىمەت تەلىپىنى قاندۇرالايدۇ. ئۇ بوشلۇقنى ئازايتالايدۇ، توك سەرپىياتىنى ئازايتالايدۇ ۋە سوۋۇتۇش تەلىپىنى تۆۋەنلىتىدۇ. ئۇ يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار، تۆمۈر يول قاتنىشى، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور ۋە باشقا ساھەلەرگە ئىنقىلابىي ئۆزگىرىشلەرنى ئېلىپ كەلدى. شۇڭا، كرېمنىي كاربىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچلىرى كېيىنكى ئەۋلاد يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترون ئۈسكۈنىلىرىنى يېتەكلەيدىغان ئەڭ ياخشى ماتېرىيال دەپ ئېتىراپ قىلىندى. يېقىنقى يىللاردىن بۇيان، ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىنى تەرەققىي قىلدۇرۇشقا قارىتىلغان دۆلەت سىياسىتىنىڭ قوللىشى بىلەن، جۇڭگودا 150 مىللىمېتىرلىق SiC ئۈسكۈنە سانائىتى سىستېمىسىنى تەتقىق قىلىش، تەرەققىي قىلدۇرۇش ۋە قۇرۇش ئاساسەن تاماملاندى، سانائەت زەنجىرىنىڭ بىخەتەرلىكى ئاساسەن كاپالەتكە ئىگە قىلىندى. شۇڭا، سانائەتنىڭ دىققەت نۇقتىسى تەننەرخنى كونترول قىلىش ۋە ئۈنۈمنى ئاشۇرۇشقا قاراپ تەدرىجىي يۆتكەلدى. 1-جەدۋەلدە كۆرسىتىلگەندەك، 150 مىللىمېتىرلىق بىلەن سېلىشتۇرغاندا، 200 مىللىمېتىرلىق SiC نىڭ گىرۋەك ئىشلىتىش نىسبىتى يۇقىرى، يەككە ۋافېر چىپلىرىنىڭ ئىشلەپچىقىرىش مىقدارىنى تەخمىنەن 1.8 ھەسسە ئاشۇرغىلى بولىدۇ. تېخنىكا پىشىپ يېتىلگەندىن كېيىن، يەككە چىپنىڭ ئىشلەپچىقىرىش تەننەرخىنى %30 تۆۋەنلىتىشكە بولىدۇ. 200 مىللىمېتىرلىق تېخنىكىلىق بۆسۈش «تەننەرخنى تۆۋەنلىتىش ۋە ئۈنۈمنى ئاشۇرۇش» نىڭ بىۋاسىتە ۋاسىتىسى، شۇنداقلا مېنىڭ دۆلىتىمىزنىڭ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىنىڭ «پاراللېل يۈرۈشۈشى» ياكى ھەتتا «يېتەكچىلىك قىلىشى» نىڭ ئاچقۇچى.
Si ئۈسكۈنىسى جەريانىدىن پەرقلىق،SiC يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىھەممىسى ئېپىتاكسىيال قەۋەتلەر ئاساس تاش قىلىپ پىششىقلاپ تەييارلىنىدۇ. ئېپىتاكسىيال لېنتىلار SiC توك ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن مۇھىم ئاساسىي ماتېرىياللار. ئېپىتاكسىيال قەۋەتنىڭ سۈپىتى ئۈسكۈنىنىڭ مەھسۇلات مىقدارىنى بىۋاسىتە بەلگىلەيدۇ، ئۇنىڭ تەننەرخى چىپ ئىشلەپچىقىرىش تەننەرخىنىڭ %20 نى ئىگىلەيدۇ. شۇڭا، ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش SiC توك ئۈسكۈنىلىرىدىكى مۇھىم ئارىلىق ھالقىسى. ئېپىتاكسىيال جەريان سەۋىيەسىنىڭ يۇقىرى چېكى ئېپىتاكسىيال ئۈسكۈنىلەر تەرىپىدىن بەلگىلىنىدۇ. ھازىر، جۇڭگودا 150mm SiC ئېپىتاكسىيال ئۈسكۈنىلىرىنىڭ يەرلىكلىشىش دەرىجىسى نىسبەتەن يۇقىرى، ئەمما 200mm نىڭ ئومۇمىي ئورۇنلاشتۇرۇلۇشى خەلقئارا سەۋىيەدىن ئارقىدا. شۇڭا، دۆلەت ئىچىدىكى ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىنى تەرەققىي قىلدۇرۇش ئۈچۈن چوڭ تىپتىكى، يۇقىرى سۈپەتلىك ئېپىتاكسىيال ماتېرىيال ئىشلەپچىقىرىشنىڭ جىددىي ئېھتىياجى ۋە توسالغۇ مەسىلىلىرىنى ھەل قىلىش ئۈچۈن، بۇ ماقالە مېنىڭ دۆلىتىمدە مۇۋەپپەقىيەتلىك تەرەققىي قىلدۇرۇلغان 200mm SiC ئېپىتاكسىيال ئۈسكۈنىلىرىنى تونۇشتۇرىدۇ ۋە ئېپىتاكسىيال جەرياننى تەتقىق قىلىدۇ. 150 مىللىمېتىرلىق ۋە 200 مىللىمېتىرلىق SiC ئېپىتاكسىيال ۋاپپېرلىرىنىڭ تېمپېراتۇرىسى، توشۇغۇچى گاز ئېقىم سۈرئىتى، C/Si نىسبىتى قاتارلىق جەريان پارامېتىرلىرىنى ئەلالاشتۇرۇش ئارقىلىق، مۇستەقىل ھالدا ياسالغان 200 مىللىمېتىرلىق كرېمنىي كاربىد ئېپىتاكسىيال ئوچاق بىلەن تەمىنلەنگەن 150 مىللىمېتىرلىق ۋە 200 مىللىمېتىرلىق SiC ئېپىتاكسىيال ۋاپپېرلىرىنىڭ قويۇقلۇق بىردەكلىكى <3%، قېلىنلىقى بىردەك ئەمەسلىكى <1.5%، قوپاللىقى Ra <0.2 nm ۋە ئۆلۈمگە ئېلىپ بارىدىغان كەمتۈكلۈك زىچلىقى <0.3 دان/cm2 غا ئېرىشىلدى. ئۈسكۈنىلەرنىڭ جەريان سەۋىيەسى يۇقىرى سۈپەتلىك SiC ئېنېرگىيە ئۈسكۈنىسىنى تەييارلاش ئېھتىياجىنى قاندۇرالايدۇ.
1 تەجرىبە
1.1 پىرىنسىپىSiC ئېپىتاكسىيالجەريان
4H-SiC گوموئېپىتاكسىيال ئۆسۈش جەريانى ئاساسلىقى ئىككى مۇھىم باسقۇچنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، يەنى 4H-SiC ئاساسىي ماددىسىنى يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئورنىدا ئويۇش ۋە بىردەك خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش جەريانى. ئاساسىي ماددىنى ئورنىدا ئويۇشنىڭ ئاساسلىق مەقسىتى ۋافېر سىلىقلاشتىن كېيىن ئاساسىي ماددىنىڭ يەر ئاستىدىكى بۇزۇلۇشىنى، قالغان سىلىقلاش سۇيۇقلۇقى، زەررىچىلەر ۋە ئوكسىد قەۋىتىنى يوقىتىش بولۇپ، ئويۇش ئارقىلىق ئاساسىي ماددىنىڭ يۈزىدە دائىملىق ئاتوم باسقۇچ قۇرۇلمىسى ھاسىل قىلغىلى بولىدۇ. ئورنىدا ئويۇش ئادەتتە ھىدروگېن ئاتموسفېراسىدا ئېلىپ بېرىلىدۇ. ئەمەلىي جەريان تەلىپىگە ئاساسەن، ئاز مىقداردا ھىدروگېن خىلورىد، پروپان، ئېتىلېن ياكى سىلان قاتارلىق ياردەمچى گازلارنى قوشقىلى بولىدۇ. ئورنىدا ھىدروگېن ئويۇشنىڭ تېمپېراتۇرىسى ئادەتتە 1600 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى بولىدۇ، ئويۇش جەريانىدا رېئاكسىيە كامېراسىنىڭ بېسىمى ئادەتتە 2×104 Pa دىن تۆۋەن كونترول قىلىنىدۇ.
ئاساسىي قەۋەت يۈزى ئورنىدا ئويۇش ئارقىلىق ئاكتىپلاشتۇرۇلغاندىن كېيىن، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش جەريانىغا كىرىدۇ، يەنى ئۆسۈش مەنبەسى (مەسىلەن، ئېتىلېن/پروپان، TCS/سىلان)، قوشما مەنبەسى (n تىپلىق قوشما مەنبەسى ئازوت، p تىپلىق قوشما مەنبەسى TMAl) ۋە ھىدروگېن خىلورىد قاتارلىق ياردەمچى گازلار چوڭ تىپتىكى توشۇغۇچى گاز (ئادەتتە ھىدروگېن) ئېقىمى ئارقىلىق رېئاكسىيە كامېراسىغا يەتكۈزۈلىدۇ. گاز يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق رېئاكسىيە كامېراسىدا رېئاكسىيە قىلغاندىن كېيىن، بىر قىسىم ئالدىنقى ماددا خىمىيىلىك رېئاكسىيەگە قاتنىشىدۇ ۋە ۋافېر يۈزىگە سۈمۈرۈلۈپ، ئاساسىي قەۋەت يۈزىدە بەلگىلىك قوشما قويۇقلۇقى، بەلگىلىك قېلىنلىقى ۋە يۇقىرى سۈپەتلىك يەككە كىرىستاللىق بىردەك 4H-SiC ئېپىتاكسىيال قەۋىتى شەكىللىنىدۇ، يەككە كىرىستاللىق 4H-SiC ئاساسىي قەۋىتى قېلىپ سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ. نەچچە يىللىق تېخنىكىلىق تەكشۈرۈشتىن كېيىن، 4H-SiC گوموئېپىتاكسىيال تېخنىكىسى ئاساسەن پىشىپ يېتىلدى ۋە سانائەت ئىشلەپچىقىرىشىدا كەڭ قوللىنىلىۋاتىدۇ. دۇنيادا ئەڭ كۆپ قوللىنىلىدىغان 4H-SiC گوموئېپىتاكسىيال تېخنىكىسىنىڭ ئىككى تىپىك ئالاھىدىلىكى بار:
(1) ئوق سىرتىدىكى (<0001> كىرىستال تۈزلەڭلىكىگە نىسبەتەن، <11-20> كىرىستال يۆنىلىشىگە قاراپ) قىيسىق كېسىلگەن ئاساسنى قېلىپ قىلىپ، يۇقىرى ساپلىقتىكى يەككە كىرىستاللىق 4H-SiC ئېپىتاكسىيال قەۋىتى ئاساسقا باسقۇچلۇق ئېقىن ئۆسۈش ھالىتى شەكلىدە چۆكتۈرۈلىدۇ. دەسلەپكى 4H-SiC گوموئېپىتاكسىيال ئۆسۈشتە ئۆسۈش ئۈچۈن مۇسبەت كىرىستال ئاساس، يەنى <0001> Si تۈزلەڭلىكى ئىشلىتىلگەن. مۇسبەت كىرىستال ئاساسنىڭ يۈزىدىكى ئاتوم باسقۇچلىرىنىڭ زىچلىقى تۆۋەن، تېرراسلار كەڭ. ئېپىتاكسىيا جەريانىدا ئىككى ئۆلچەملىك يادرولىشىش ئۆسۈشى ئاسانلا يۈز بېرىپ، 3C كىرىستال SiC (3C-SiC) ھاسىل قىلىدۇ. ئوق سىرتىدىكى كېسىش ئارقىلىق، 4H-SiC <0001> ئاساسنىڭ يۈزىگە يۇقىرى زىچلىقتىكى، تار تېرراس كەڭلىكتىكى ئاتوم باسقۇچلىرىنى كىرگۈزگىلى بولىدۇ، ھەمدە سۈمۈرۈلگەن ئالدىنقى ماددا يۈزە تارلىقى ئارقىلىق نىسبەتەن تۆۋەن يۈزە ئېنېرگىيەسى بىلەن ئاتوم باسقۇچ ئورنىغا ئۈنۈملۈك يېتەلەيدۇ. باسقۇچتا، ئالدىنقى ئاتوم/مولېكۇلا گۇرۇپپىسىنىڭ باغلىنىش ئورنى ئۆزگىچە بولىدۇ، شۇڭا باسقۇچ ئېقىمى ئۆسۈش ھالىتىدە، ئېپىتاكسىيال قەۋەت ئاساسىي قاتلامنىڭ Si-C قوش ئاتوم قەۋىتىنىڭ يىغىلىش تەرتىپىگە مۇكەممەل ۋارىسلىق قىلىپ، ئاساسىي قاتلام بىلەن ئوخشاش كىرىستال باسقۇچىغا ئىگە يەككە كىرىستال ھاسىل قىلالايدۇ.
(2) يۇقىرى سۈرئەتلىك ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش خلور تەركىبىدىكى كرېمنىي مەنبەسىنى كىرگۈزۈش ئارقىلىق ئەمەلگە ئاشۇرۇلىدۇ. ئادەتتىكى SiC خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش سىستېمىسىدا، سىلان ۋە پروپان (ياكى ئېتىلېن) ئاساسلىق ئۆسۈش مەنبەسى. ئۆسۈش مەنبەسى ئېقىم سۈرئىتىنى ئاشۇرۇش ئارقىلىق ئۆسۈش سۈرئىتىنى ئاشۇرۇش جەريانىدا، كرېمنىي تەركىبىنىڭ تەڭپۇڭلۇق قىسمەن بېسىمى داۋاملىق ئاشقاندا، بىردەك گاز باسقۇچى يادروسى ئارقىلىق كرېمنىي توپلىرىنى ھاسىل قىلىش ئاسان، بۇ كرېمنىي مەنبەسىنىڭ ئىشلىتىش سۈرئىتىنى زور دەرىجىدە تۆۋەنلىتىدۇ. كرېمنىي توپلىرىنىڭ شەكىللىنىشى ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش سۈرئىتىنىڭ ياخشىلىنىشىنى زور دەرىجىدە چەكلەيدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، كرېمنىي توپلىرى باسقۇچ ئېقىمىنىڭ ئۆسۈشىگە توسقۇنلۇق قىلىپ، نۇقسان يادروسىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىشى مۇمكىن. بىردەك گاز باسقۇچى يادروسىنىڭ ھاسىل بولۇشىدىن ساقلىنىش ۋە ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش سۈرئىتىنى ئاشۇرۇش ئۈچۈن، خلور ئاساسلىق كرېمنىي مەنبەلىرىنى كىرگۈزۈش ھازىر 4H-SiC نىڭ ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش سۈرئىتىنى ئاشۇرۇشنىڭ ئاساسلىق ئۇسۇلى.
1.2 200 مىللىمېتىرلىق (8 دىيۇملۇق) SiC ئېپىتاكسىيال ئۈسكۈنىلىرى ۋە جەريان شەرتلىرى
بۇ ماقالىدە تەسۋىرلەنگەن تەجرىبىلەرنىڭ ھەممىسى جۇڭگو ئېلېكترون تېخنىكا گۇرۇھى شىركىتىنىڭ 48-ئىنستىتۇتى تەرىپىدىن مۇستەقىل ھالدا تەرەققىي قىلدۇرۇلغان 150/200 مىللىمېتىر (6/8 دىيۇملۇق) ماس كېلىدىغان مونولىت گورىزونتال ئىسسىق تاملىق SiC ئېپىتاكسىيال ئۈسكۈنىسىدە ئېلىپ بېرىلدى. ئېپىتاكسىيال ئوچاق تولۇق ئاپتوماتىك ۋافېر قاچىلاش ۋە چۈشۈرۈشنى قوللايدۇ. 1-رەسىم ئېپىتاكسىيال ئۈسكۈنىنىڭ رېئاكسىيە كامېراسىنىڭ ئىچكى قۇرۇلمىسىنىڭ سىخېماتىك دىئاگراممىسى. 1-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك، رېئاكسىيە كامېراسىنىڭ سىرتقى تېمى سۇ بىلەن سوۋۇتۇلغان ئارىلىق قەۋىتى بار كۋارتس قوڭغۇرىقى، قوڭغۇراقنىڭ ئىچكى قىسمى يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق رېئاكسىيە كامېراسى بولۇپ، ئۇ ئىسسىقلىق ساقلاش كاربون كىگىزى، يۇقىرى ساپلىقتىكى ئالاھىدە گرافىت بوشلۇقى، گرافىت گازى بىلەن لەيلەپ يۈرىدىغان ئايلىنىدىغان ئاساس قاتارلىقلاردىن تەركىب تاپقان. پۈتۈن كۋارتس قوڭغۇرىقى سىلىندىر شەكىللىك ئىندۇكسىيە چەمبىرى بىلەن قاپلانغان، قوڭغۇراقنىڭ ئىچىدىكى رېئاكسىيە كامېراسى ئوتتۇرا چاستوتىلىق ئىندۇكسىيە توك مەنبەسى ئارقىلىق ئېلېكترو ماگنىتلىق ئىسسىتىلىدۇ. 1-رەسىمنىڭ (b) قىسمىدا كۆرسىتىلگەندەك، توشۇغۇچى گاز، رېئاكسىيە گازى ۋە قوشۇلما گازنىڭ ھەممىسى رېئاكسىيە كامېراسىنىڭ ئۈستۈنكى ئېقىمىدىن رېئاكسىيە كامېراسىنىڭ تۆۋەنكى ئېقىمىغا قاراپ گورىزونتال لامىنار ئېقىمدا ۋافېر يۈزىدىن ئېقىپ ئۆتىدۇ ۋە قۇيرۇق گاز ئۇچىدىن قويۇپ بېرىلىدۇ. ۋافېرنىڭ ئىچىدىكى مۇقىملىقنى كاپالەتلەندۈرۈش ئۈچۈن، ھاۋا لەيلىمە ئاساسى ئېلىپ ماڭغان ۋافېر جەرياندا ھەمىشە ئايلىنىدۇ.
تەجرىبىدە ئىشلىتىلگەن ئاساس، Shanxi Shuoke Crystal شىركىتى ئىشلەپچىقارغان سودا خاراكتېرلىك 150 مىللىمېتىر، 200 مىللىمېتىر (6 دىيۇم، 8 دىيۇم) <1120> يۆنىلىشى 4° بۇلۇڭلۇق ئۆتكۈزگۈچ n تىپلىق 4H-SiC قوش يۈزلۈك سىلىقلانغان SiC ئاساس. جەريان تەجرىبىسىدە ترىخلوروسىلان (SiHCl3، TCS) ۋە ئېتىلېن (C2H4) ئاساسلىق ئۆسۈش مەنبەسى سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ، بۇنىڭ ئىچىدە TCS ۋە C2H4 ئايرىم-ئايرىم ھالدا كرېمنىي مەنبەسى ۋە كاربون مەنبەسى، يۇقىرى ساپلىقتىكى ئازوت (N2) n تىپلىق قوشۇلما مەنبەسى، ھىدروگېن (H2) سۇيۇقلاندۇرۇش گازى ۋە توشۇغۇچى گاز سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ. ئېپىتاكسىيال جەرياننىڭ تېمپېراتۇرا دائىرىسى 1600 ~ 1660 ℃، جەريان بېسىمى 8×103 ~ 12×103 Pa، H2 توشۇغۇچى گاز ئېقىم سۈرئىتى 100 ~ 140 L/min.
1.3 ئېپىتاكسىيال ۋافېر سىنىقى ۋە خاراكتېرىنى بېكىتىش
ئېپىتاكسىيە قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقى ۋە قوشۇلما قويۇقلۇقىنىڭ ئوتتۇرىچە قىممىتى ۋە تارقىلىشىنى خاراكتېرلەشتۈرۈش ئۈچۈن فۇرىيې ئىنفىرا قىزىل نۇر سپېكترومېتىرى (ئۈسكۈنى ئىشلەپچىقارغۇچى Thermalfisher، مودېل iS50) ۋە سىماب زوند قويۇقلۇقىنى تەكشۈرگۈچ (ئۈسكۈنى ئىشلەپچىقارغۇچى Semilab، مودېل 530L) ئىشلىتىلدى؛ ئېپىتاكسىيە قەۋىتىدىكى ھەر بىر نۇقتىنىڭ قېلىنلىقى ۋە قوشۇلما قويۇقلۇقى دىئامېتىر سىزىقى بويىدىكى نۇقتىلارنى ئېلىپ، ئاساسلىق پايدىلىنىش گىرۋىكىنىڭ نورمال سىزىقى بىلەن 45 گرادۇستا كېسىشكەن نۇقتىلارنى ئېلىپ، 5 مىللىمېتىرلىق گىرۋەكنى ئېلىۋېتىش ئارقىلىق بېكىتىلدى. 150 مىللىمېتىرلىق گىرۋەك ئۈچۈن، بىر دىئامېتىر سىزىقى بويىدا 9 نۇقتا ئېلىندى (ئىككى دىئامېتىر بىر-بىرىگە تىك ئىدى)، 200 مىللىمېتىرلىق گىرۋەك ئۈچۈن، 21 نۇقتا ئېلىندى، بۇ رەسىم 2 دا كۆرسىتىلگەندەك. ئېپىتاكسىيە قەۋىتىنىڭ يۈزەكى پۇچۇقلۇقىنى سىناق قىلىش ئۈچۈن، ئېپىتاكسىيە گىرۋەكىنىڭ مەركىزى رايونى ۋە گىرۋەك رايونى (5 مىللىمېتىرلىق گىرۋەكنى ئېلىۋېتىش) دىكى 30 μm×30 μm رايونلىرى تاللاندى؛ ئېپىتاكسىيال قەۋەتنىڭ كەمتۈكلۈكلىرى يۈزەكى كەمتۈكلۈك سىناق ئۈسكۈنىسى (ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقارغۇچى جۇڭگو ئېلېكترون شىركىتى) ئارقىلىق ئۆلچەندى. 3D سۈرەتكە تارتىش ئۈسكۈنىسى كېفېڭخۇا شىركىتىنىڭ رادار سېنزورى (مودېلى Mars 4410 pro) ئارقىلىق خاراكتېرلەنگەن.
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 9-ئاينىڭ 4-كۈنى