Покриття SiC з графітовою підкладкою для напівпровідникових графітових носіїв із покриттям SiC

Короткий опис:

 


  • Місце походження:Чжецзян, Китай (материк)
  • Номер моделі:Човен3004
  • Хімічний склад:Графіт з покриттям SiC
  • Сила гнучкості:470 МПа
  • Теплопровідність:300 Вт/мК
  • якість:ідеально
  • функція:CVD-SiC
  • застосування:Напівпровідник/фотоелектричний
  • Щільність:3,21 г/куб.куб
  • Теплове розширення:4 10-6/К
  • Зола: <5 ppm
  • Зразок:Доступний
  • Код HS:6903100000
  • Деталі продукту

    Теги товарів

    Опис продукту

    Покриття CVD-SiC має характеристики однорідної структури, компактного матеріалу, стійкості до високих температур, стійкості до окислення, високої чистоти, стійкості до кислот і лугів та органічних реагентів, зі стабільними фізичними та хімічними властивостями.

    Порівняно з графітовими матеріалами високої чистоти, графіт починає окислюватися при 400C, що спричинить втрату порошку через окислення, що призведе до забруднення навколишнього середовища периферійних пристроїв і вакуумних камер і збільшення домішок у середовищі високої чистоти.

    Однак покриття SiC може зберігати фізичну та хімічну стабільність при 1600 градусах. Воно широко використовується в сучасній промисловості, особливо в напівпровідниковій промисловості.

    Наша компанія надає послуги з обробки покриття SiC методом CVD на поверхні графіту, кераміки та інших матеріалів, завдяки чому спеціальні гази, що містять вуглець і кремній, вступають у реакцію при високій температурі з отриманням високочистих молекул SiC, молекул, нанесених на поверхню покритих матеріалів, формування SIC захисного шару.Утворений SIC міцно зв’язаний з графітовою основою, що надає графітовій основі особливі властивості, таким чином роблячи поверхню графіту компактною, безпористою, високотемпературною, корозійною та стійкою до окислення.

    застосування:

    2

    Основні риси:

    1. Стійкість до високотемпературного окислення:

    Стійкість до окислення залишається дуже високою, коли температура досягає 1700 C.

    2. Висока чистота: зроблено шляхом хімічного осадження з парової фази в умовах високотемпературного хлорування.

    3. Стійкість до ерозії: висока твердість, компактна поверхня, дрібні частинки.

    4. Стійкість до корозії: кислоти, луги, солі та органічні реагенти.

    Основні характеристики CVD-SIC покриттів:

    SiC-CVD

    Щільність

    (г/куб.см)

    3.21

    Сила гнучкості

    (МПа)

    470

    Теплове розширення

    (10-6/K)

    4

    Теплопровідність

    (Вт/мК)

    300

    Можливість постачання:

    10000 шт/штук на місяць
    Упаковка та доставка:
    Упаковка: стандартна та міцна упаковка
    Поліетиленовий мішок + коробка + коробка + піддон
    Порт:
    Нінбо/Шеньчжень/Шанхай
    Час виконання:

    Кількість (шт.) 1 – 1000 >1000
    ПриблизноЧас (дні) 15 Підлягає переговорам

  • Попередній:
  • далі:

  • Онлайн-чат WhatsApp!