CVD-SiC пакрыццё мае характарыстыкі аднастайнай структуры, кампактнага матэрыялу, устойлівасці да высокіх тэмператур, устойлівасці да акіслення, высокай чысціні, устойлівасці да кіслот і шчолачаў і арганічных рэагентаў, са стабільнымі фізічнымі і хімічнымі ўласцівасцямі.

У параўнанні з графітавымі матэрыяламі высокай чысціні, графіт пачынае акісляцца пры тэмпературы 400C, што прывядзе да страты парашка з-за акіслення, што прывядзе да забруджвання навакольнага асяроддзя для перыферыйных прылад і вакуумных камер і павелічэння колькасці прымешак у асяроддзі высокай чысціні.

Аднак пакрыццё SiC можа захоўваць фізічную і хімічную стабільнасць пры тэмпературы 1600 градусаў. Яно шырока выкарыстоўваецца ў сучаснай прамысловасці, асабліва ў паўправадніковай прамысловасці.

Наша кампанія прадастаўляе паслугі па нанясенні пакрыцця SiC метадам CVD на паверхні графіту, керамікі і іншых матэрыялаў, так што спецыяльныя газы, якія змяшчаюць вуглярод і крэмній, рэагуюць пры высокай тэмпературы з атрыманнем малекул SiC высокай чысціні, малекул, асаджаных на паверхні матэрыялаў з пакрыццём, фарміраванне SIC ахоўнага пласта.Утвораны SIC трывала злучаны з графітавай асновай, надаючы графітавай аснове асаблівыя ўласцівасці, такім чынам, робячы паверхню графіту кампактнай, без сітаватасці, устойлівасцю да высокіх тэмператур, устойлівасцю да карозіі і акісленню.

Ужыванне:

Асноўныя рысы:

1. Устойлівасць да акіслення пры высокіх тэмпературах:

устойлівасць да акіслення па-ранейшаму вельмі добрая, калі тэмпература дасягае 1700 C.

2. Высокая чысціня: вырабляецца метадам хімічнага асаджэння з пара ва ўмовах высокатэмпературнага хларавання.

3. Устойлівасць да эрозіі: высокая цвёрдасць, кампактная паверхня, дробныя часціцы.

4. Каразійная ўстойлівасць: кіслоты, шчолачы, солі і арганічныя рэагенты.

Асноўныя характарыстыкі CVD-SIC пакрыццяў:

Магчымасць пастаўкі:

10000 штук/штук у месяц
Упакоўка і дастаўка:
Упакоўка: стандартная і моцная ўпакоўка
Поліэтыленавы пакет + скрынка + кардонная скрынка + паддон
Порт:
Нінбо/Шэньчжэнь/Шанхай
Час выканання: