CVD-SiC örtüyü sabit fiziki və kimyəvi xassələrə malik vahid struktur, yığcam material, yüksək temperatur müqaviməti, oksidləşmə müqaviməti, yüksək saflıq, turşu və qələvi müqavimət və üzvi reagent xüsusiyyətlərinə malikdir.

Yüksək təmizlikli qrafit materialları ilə müqayisədə, qrafit 400C-də oksidləşməyə başlayır ki, bu da oksidləşmə nəticəsində toz itkisinə səbəb olacaq, ətraf mühitin periferik cihazlara və vakuum kameralarına çirklənməsinə səbəb olacaq və yüksək təmizlikli mühitin çirklərini artıracaq.

Bununla birlikdə, SiC örtüyü 1600 dərəcə fiziki və kimyəvi sabitliyi qoruya bilər, müasir sənayedə, xüsusən də yarımkeçirici sənayedə geniş istifadə olunur.

Şirkətimiz qrafit, keramika və digər materialların səthində CVD üsulu ilə SiC örtükləmə prosesi xidmətləri göstərir ki, tərkibində karbon və silisium olan xüsusi qazlar yüksək temperaturda reaksiya verərək yüksək təmizlikdə SiC molekulları, örtülmüş materialların səthində çökən molekullar, SIC qoruyucu təbəqəsini əmələ gətirir.Yaranan SIC qrafit bazasına möhkəm bağlanaraq, qrafit bazasına xüsusi xüsusiyyətlər verir, beləliklə, qrafit səthini yığcam, məsaməli, yüksək temperatura davamlı, korroziyaya və oksidləşməyə davamlı edir.

Ərizə:

Əsas xüsusiyyətləri:

1. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti:

temperatur 1700 C qədər yüksək olduqda oksidləşmə müqaviməti hələ də çox yaxşıdır.

2. Yüksək təmizlik: yüksək temperaturda xlorlama şəraitində kimyəvi buxarın çökməsi ilə hazırlanmışdır.

3. Eroziya müqaviməti: yüksək sərtlik, kompakt səth, incə hissəciklər.

4. Korroziyaya davamlılıq: turşu, qələvi, duz və üzvi reagentlər.

CVD-SIC örtüklərinin əsas xüsusiyyətləri:

Təchizat qabiliyyəti:

Ayda 10000 Ədəd/əd
Qablaşdırma və Çatdırılma:
Qablaşdırma: Standart və Güclü Qablaşdırma
Poli çanta + Qutu + Karton + Palet
Liman:
Ningbo/Shenzhen/Şanxay
Göndərmə vaxtı: