וואָס איז TaC קאָוטינג?

אין דער שנעל-עוואלוציאנירנדיקער האַלב-קאָנדוקטאָר אינדוסטריע, זענען מאַטעריאַלן וואָס פֿאַרבעסערן פאָרשטעלונג, האַרטקייט און עפֿיקאַסי קריטיש. איין אַזאַ כידעש איז טאַנטאַלום קאַרבייד (TaC) קאָוטינג, אַ שניידנדיקע פּראַטעקטיוו שיכט וואָס ווערט געווענדט צו גראַפֿיט קאָמפּאָנענטן. דער בלאָג אויספֿאָרשט די דעפֿיניציע, טעכנישע מעלות און אירע טראַנספֿאָרמאַטיווע אַפּליקאַציעס פֿון TaC קאָוטינג אין האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקציע.

Ⅰ. וואָס איז טאַק קאָוטינג?

TaC קאָוטינג איז אַ הויך-פאָרשטעלונג קעראַמישע שיכט צוזאַמענגעשטעלט פון טאַנטאַלום קאַרבייד (אַ קאַמפּאַונד פון טאַנטאַלום און טשאַד) דעפּאַזירט אויף גראַפיט סערפאַסיז. די קאָוטינג איז טיפּיש אַפּליקירט מיט כעמישער דאַמפער דעפּאַזישאַן (CVD) אָדער פיזישער דאַמפער דעפּאַזישאַן (PVD) טעקניקס, וואָס שאַפֿט אַ געדיכטע, אולטראַ-ריינע באַריער וואָס באַשיצט גראַפיט פון עקסטרעמע באדינגונגען.

שליסל אייגנשאפטן פון טאַק קאָוטינג

●הויך-טעמפּעראַטור סטאַביליטעטקען אויסהאלטן טעמפּעראַטורן העכער 2200°C, און איבערטרעפט טראדיציאנעלע מאַטעריאַלן ווי סיליקאָן קאַרבייד (SiC), וואָס דעגראַדירט העכער 1600°C.

●כעמישע קעגנשטעלקעגנשטעלט זיך קעגן קעראָוזשאַן פון וואַסערשטאָף (H₂), אַמאָניאַק (NH₃), סיליקאָן פארע און געשמאָלצענע מעטאַלן, קריטיש פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר פּראַסעסינג סביבות.

●אולטרא-הויך ריינקייטאומריינקייט לעוועלס אונטער 5 ppm, מינימיזירנדיק קאנטאמינאציע ריזיקעס אין קריסטאל וואוקס פראצעסן.

●טערמישע און מעכאנישע האַלטבארקייטשטאַרקע אַדכיזשאַן צו גראַפיט, נידעריקע טערמישע יקספּאַנשאַן (6.3×10⁻⁶/K), און כאַרדנאַס (~2000 HK) ענשור לאַנגלעבעדיקייט אונטער טערמישע ציקל.

Ⅱ. טאַק קאָוטינג אין האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע: שליסל אַפּלאַקיישאַנז

TaC-באדעקטע גראַפיט קאָמפּאָנענטן זענען נייטיק אין אַוואַנסירטער האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע, ספּעציעל פֿאַר סיליקאָן קאַרבייד (SiC) און גאַליום ניטריד (GaN) דעוויסעס. אונטן זענען זייערע קריטישע נוצן קאַסעס:

1. SiC איין קריסטאַל וווּקס

SiC וועיפערס זענען וויכטיג פאר מאַכט עלעקטראָניק און עלעקטרישע וועהיקלעס. TaC-באדעקטע גראַפיט קרוסיבלס און סאַסעפּטאָרס ווערן גענוצט אין פיזישע פארע טראַנספּאָרט (PVT) און הויך-טעמפּעראַטור CVD (HT-CVD) סיסטעמען צו:

● אונטערדריקן קאנטאמינאציעTaC'ס נידעריגע אומריינקייט אינהאַלט (למשל, באָר <0.01 ppm קעגן 1 ppm אין גראַפיט) רעדוצירט חסרונות אין SiC קריסטאַלן, פֿאַרבעסערנדיק וועיפער קעגנשטעל (4.5 אָהם-סענטימעטער קעגן 0.1 אָהם-סענטימעטער פֿאַר נישט-באדעקטן גראַפיט).

● פֿאַרבעסערן טערמישע פאַרוואַלטונגאיינהייטלעכע עמיסיוויטי (0.3 ביי 1000°C) זיכערט קאנסיסטענטע היץ פארשפרייטונג, אפטימיזירנדיק קריסטאל קוואַליטעט.

2. עפּיטאַקסיאַל וווּקס (GaN/SiC)

אין מעטאַל-אָרגאַנישע CVD (MOCVD) רעאַקטאָרן, TaC-באדעקטע קאָמפּאָנענטן ווי וועיפער טרעגערס און אינדזשעקטאָרן:

●פאַרהיטן גאַז רעאַקציעסקעגנשטעלט זיך קעגן עטשינג דורך אַמאָניאַק און וואַסערשטאָף ביי 1400°C, און האַלט די אינטעגריטעט פון רעאַקטאָר.

●פֿאַרבעסערן די טראָגןדורך רעדוצירן פּאַרטיקל אָפּשעפּונג פון גראַפיט, מינאַמייזיז CVD TaC קאָוטינג חסרונות אין עפּיטאַקסיאַל לייַערס, קריטיש פֿאַר הויך-פאָרשטעלונג LEDs און RF דעוויסעס.

3. אַנדערע האַלב-קאָנדוקטאָר אַפּליקאַציעס

●הויך-טעמפּעראַטור רעאַקטאָרןסאַסעפּטאָרס און כיטערס אין GaN פּראָדוקציע נוץ פון TaC ס פעסטקייט אין הידראָגען-רייַך ינווייראַנמאַנץ.

●וואַפער האַנדלינגבאדעקטע קאָמפּאָנענטן ווי רינגען און דעקלעך רעדוצירן מעטאַלישע קאַנטאַמאַניישאַן בעת ​​וועיפער אַריבערפירן

Ⅲ. פארוואס טאק קאָוטינג איז בעסער ווי אנדערע?

א פארגלייך מיט קאנווענציאנעלע מאטעריאלן אונטערשטרייכט די העכערקייט פון TaC:

דאַטן געשאַפֿן פֿון אינדוסטריע פֿאַרגלייַכן

IV. פארוואס אויסקלויבן וועטערינארמענט?

נאך קאנטינעווירלעכע אינוועסטירונג אין טעכנאלאגישע פארשונג און אנטוויקלונג,וועטערינאַרטאַנטאַלום קאַרבייד (TaC) באדעקטע טיילן, אַזאַ וויטאַק קאָוטאַד גראַפיט גייד רינג, CVD TaC קאָוטאַד פּלאַטע סאַסעפּטאָר, טאַק קאָוטאַד סאַסעפּטאָר פֿאַר עפּיטאַקסי עקוויפּמענט,טאַנטאַלום קאַרבייד קאָוטאַד פּאָרעז גראַפיט מאַטעריאַלאוןוואַפער סאַסעפּטאָר מיט טאַק קאָוטינג, זענען זייער פאפולער אין די אייראפעאישע און אמעריקאנער מארקפלעצער. VET קוקט ארויס מיט ווארעמקייט צו ווערן אייער לאנג-טערמין שותף.