A ni oṣiṣẹ to munadoko bayi lati ba awọn ibeere lati ọdọ awọn alabara sọrọ. Ero wa ni “Imudara alabara 100% nipasẹ ọja tabi iṣẹ wa dara julọ, tita owo ati iṣẹ oṣiṣẹ wa” ati lati ni idunnu lati olokiki nla laarin awọn alabara. Pẹlu ọpọlọpọ awọn ile-iṣẹ, a le funni ni ọpọlọpọ awọn idiyele ẹdinwo GaN-Basedepitaxial lori Sic Substrates 4′′, A gba awọn ẹlẹgbẹ iṣowo kekere lati gbogbo awọn ipo igbesi aye, a nireti lati ṣeto iṣowo ore ati ifowosowopo kan ṣe olubasọrọ pẹlu rẹ ki o si ṣaṣeyọri ibi-afẹde win-win.
A ni oṣiṣẹ to munadoko bayi lati ba awọn ibeere lọwọ awọn alabara sọrọ. Ero wa ni “Imudara alabara 100% nipasẹ ọja tabi iṣẹ wa dara julọ, idiyele tita ati iṣẹ oṣiṣẹ wa” ati lati ni idunnu lati olokiki nla laarin awọn alabara. Pẹlu ọpọlọpọ awọn ile-iṣẹ, a le pese ọpọlọpọ awọn iṣẹÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ GaN ti China àti Fíìmù GaNA n reti lati ba awon onibara wa ni gbogbo agbaye se ise. A gbagbo pe a le te o lorun pelu awon ọja didara wa ati ise pipe wa. A tun n gba awon onibara lati be ile-ise wa ki won si ra awon ọja wa.

Awọn ohun elo wafer MOCVD ti a bo SiC

Gbogbo àwọn ohun tí a fi ń ṣe àwọn ohun tí a fi ń ṣe ara wa ni a fi graphite isostatic tó lágbára gíga ṣe. Jàǹfààní láti inú mímọ́ gíga ti àwọn graphite wa – tí a ṣe ní pàtàkì fún àwọn iṣẹ́ tó le koko bíi epitaxy, ìdàgbàsókè kristali, ìfàmọ́ ion àti ìfọ́ plasma, àti fún ṣíṣe àwọn ègé LED.

Àpèjúwe Ọjà
Aṣọ SiC ti substrate Graphite fun awọn ohun elo Semiconductor n pese apakan kan pẹlu mimọ ti o ga julọ ati resistance si afẹfẹ oxidizing.
A máa ń lo CVD SiC tàbí CVI SiC sí Graphite àwọn ẹ̀yà ara tí ó rọrùn tàbí tí ó díjú. A lè lo ìbòrí ní oríṣiríṣi ìwúwo àti sí àwọn ẹ̀yà tí ó tóbi gan-an.

Ẹ̀ka ilé

Àwọn àǹfààní pàtàkì ti àwọn ohun èlò ìfàmọ́ra graphite tí a fi SiC bo ni mímọ́ tó ga gidigidi, ìbòrí tó jọra àti ìgbésí ayé iṣẹ́ tó dára. Wọ́n tún ní agbára ìdènà kẹ́míkà gíga àti agbára ìdúróṣinṣin ooru.

A máa ń fara da ìfarada tó jinlẹ̀ nígbà tí a bá ń lo ìbòrí SiC, a sì máa ń lo ẹ̀rọ tó péye láti rí i dájú pé ó ní ìrísí ìfaradà tó dọ́gba. A tún máa ń ṣe àwọn ohun èlò tó ní agbára ìdènà iná mànàmáná tó dára jùlọ fún lílò nínú àwọn ẹ̀rọ tó ń gbóná pẹ̀lú inductively. Gbogbo àwọn ohun èlò tó ti parí ló ní ìwé ẹ̀rí ìmọ́tótó àti ìtẹ̀síwájú oníwọ̀n.

Ohun elo:

Àwọn ẹ̀yà ara ẹ̀ya ara:
· Resistance to dara julọ fun mọnamọna ooru
· Agbara Idena Iyalẹnu Ti ara to dara julọ
· Agbara Kemikali to dara julọ
· Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ
· Wíwà ní Àwòrán Dídídí
· Lò ó lábẹ́ Afẹ́fẹ́ OxidizingÀwọn Ohun Ànímọ́ Tó Wà Nínú Ohun Èlò Gíráfítì Ìpìlẹ̀:

A ni oṣiṣẹ to munadoko bayi lati ba awọn ibeere lati ọdọ awọn alabara sọrọ. Ero wa ni “Imudara alabara 100% nipasẹ ọja tabi iṣẹ wa dara julọ, tita owo ati iṣẹ oṣiṣẹ wa” ati lati ni idunnu lati olokiki nla laarin awọn alabara. Pẹlu ọpọlọpọ awọn ile-iṣẹ, a le funni ni ọpọlọpọ awọn idiyele ẹdinwo GaN-Basedepitaxial lori Sic Substrates 4′′, A gba awọn ẹlẹgbẹ iṣowo kekere lati gbogbo awọn ipo igbesi aye, a nireti lati ṣeto iṣowo ore ati ifowosowopo kan ṣe olubasọrọ pẹlu rẹ ki o si ṣaṣeyọri ibi-afẹde win-win.
Iye owo ẹdinwoÀwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ GaN ti China àti Fíìmù GaNA n reti lati ba awon onibara wa ni gbogbo agbaye se ise. A gbagbo pe a le te o lorun pelu awon ọja didara wa ati ise pipe wa. A tun n gba awon onibara lati be ile-ise wa ki won si ra awon ọja wa.