Kí ló dé tí ìbòrí TaC fi ṣe pàtàkì fún iṣẹ́dá ẹ̀rọ GaN àti SiC?

Ibora TaC ṣe pàtàkì fún ìṣẹ̀dá ẹ̀rọ GaN àti SiC. Ó ń pèsè ààbò tó ga jùlọ lòdì sí àwọn àyíká iṣẹ́ ìbàjẹ́, ó ń mú kí ìdúróṣinṣin ooru pọ̀ sí i, ó sì ń dènà ìbàjẹ́. Àwọn kókó wọ̀nyí ṣe pàtàkì fún àṣeyọrí iṣẹ́ àti ìdàgbàsókè ẹ̀rọ gíga. Ọjà ẹ̀rọ agbára Asia-Pacific GaN ṣe àgbékalẹ̀ Ìwọ̀n Ìdàgbàsókè Ọdọọdún 19.33% láàárín 2025 àti 2032. Ọjà gbogbogbò fún àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí, tí iye wọn jẹ́ USD 2.24 bilionu ní 2023, ń retí láti dé USD 18 bilionu ní 2032, tí yóò sì dàgbàsókè ní 25% CAGR. Ìfẹ̀sí ọjà pàtàkì yìí tẹnumọ́ àìní fún àwọn ojútùú iṣẹ́ ṣíṣe tó lágbára.

Àwọn Ohun Tí A Yàn Pàtàkì

• Àwọ̀ TaC ń dáàbò bo àwọn ohun èlò tí a ń lò láti ṣe àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC. Ó ń dá ìbàjẹ́ dúró láti inú àwọn kẹ́míkà líle àti ooru gíga.
• Àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC dára ju àwọn ẹ̀rọ silikoni àtijọ́ lọ. Wọ́n ń ṣiṣẹ́ kíákíá, wọn kì í sì í lo agbára púpọ̀, ṣùgbọ́n ó ṣòro láti ṣe wọ́n.
• Àwọ̀ TaC ń mú kí àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC mọ́ tónítóní. Ó ń dá àwọn ègé kéékèèké ìdọ̀tí dúró láti má wọ inú àwọn ẹ̀rọ náà.
• Àwọ̀ TaC máa ń rí i dájú pé a ṣe àwọn ẹ̀rọ náà ní ọ̀nà kan náà ní gbogbo ìgbà. Èyí túmọ̀ sí wípé a ṣe àwọn ẹ̀rọ tó dára jù àti pé a kò fi bẹ́ẹ̀ ṣòfò.
• Àwọ̀ TaC ṣe pàtàkì gan-an fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ itanna tuntun. Ó ń ran àwọn ẹ̀rọ tuntun wọ̀nyí lọ́wọ́ láti ṣiṣẹ́ dáadáa kí wọ́n sì pẹ́.

Àwọn Ẹ̀rọ GaN àti SiC: Ìran Ẹ̀rọ Agbára Tó Tẹ̀lé

Àkótán Àwọn Àǹfààní Ẹ̀rọ GaN àti SiC

Àwọn ẹ̀rọ Gallium Nitride (GaN) àti Silicon Carbide (SiC) dúró fún ìlọsíwájú pàtàkì nínú ẹ̀rọ itanna agbára. Wọ́n ń ṣe àtúnṣe tó ga ju àwọn ẹ̀rọ ìbílẹ̀ tí a fi silicon ṣe lọ. Fún àpẹẹrẹ, àwọn ẹ̀rọ SiC ń fi àwọn ànímọ́ tó ga ju àwọn pàrámítà pàtàkì lọ:

Àwọn ẹ̀rọ SiC ń ṣe àṣeyọrí tó ga jùlọ àti pípadánù agbára tó kéré síi. Wọ́n ń dín pípadánù ìkọjá àti pípadánù yípadà kù. Bandgap SiC ga ní ìlọ́po mẹ́ta ju ti silicon lọ, èyí tó ń jẹ́ kí àwọn fẹ́lẹ́fẹ́lẹ́ stirring tó tẹ́ẹ́rẹ́. Èyí ń dín resistance lórí rẹ̀ kù ní ìlọ́po mẹ́wàá fún ìwọ̀n folti kan náà. 1200V SiC MOSFET ní pípadánù ìkọjá tó kéré síi ní ìlọ́po márùn-ún ju silicon IGBT lọ. Àwọn ẹ̀rọ SiC tún ń yí padà ní ìlọ́po mẹ́wàá sí ọgọ́rùn-ún ní yíyára ju silicon lọ, èyí tó ń dín pípadánù ìgbà díẹ̀ kù. Àwọn diodes SiC Schottky ń mú ìpadàbọ̀padà padà kúrò, èyí sì ń mú orísun àdánù tó pọ̀ jù kúrò. Àwọn ẹ̀rọ wọ̀nyí ń ṣiṣẹ́ ní ìlọ́po méjì, pẹ̀lú ìgbóná ìsopọ̀ tó pọ̀ jùlọ ti 200–250°C, ìlọ́po méjì ti silicon. Wọ́n tún ní ìkọjá ooru tó dára jù ní ìlọ́po méjì ààbọ̀, èyí tó ń mú kí ìtújáde ooru pọ̀ sí i. Àwọn ìdè atomiki tó lágbára ti SiC ń tako ìṣíkiri elekitironiki àti ìfọ́ oxide ẹnu ọ̀nà, èyí tó ń mú kí ìgbésí ayé wọn gùn sí i.

Awọn Ipenija Iṣelọpọ fun Awọn Ẹrọ GaN ati SiC

Ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC ní àwọn ìpèníjà ìṣelọ́pọ́ àrà ọ̀tọ̀. Àwọn ìpèníjà wọ̀nyí wá láti inú àwọn ànímọ́ tí àwọn ohun èlò náà ní àti àwọn ìlànà ìṣelọ́pọ́ dídíjú.

Fún àwọn ẹ̀rọ GaN, àwọn olùpèsè dojúkọ ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìṣòro:

• Dídára Kírísítà àti Àbùkù DídáraÓ ṣòro láti ní dídára kírísítà gíga pẹ̀lú ìwọ̀n àbùkù díẹ̀. GaN sábà máa ń dàgbà lórí àwọn ohun èlò bíi sapphire tàbí silicon, tí wọ́n ní onírúurú àwọn ohun èlò tí ó dúró ṣinṣin. Àìbáramu yìí máa ń dá àbùkù sílẹ̀ nígbà ìdàgbàsókè epitaxial, èyí tí ó máa ń ní ipa lórí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà.
• Awọn Ilana Idagbasoke EpitaxialÀwọn ọ̀nà bíi Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) jẹ́ owó púpọ̀, wọ́n sì nílò ìdarí tó péye. Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) máa ń mú kí ìdàgbàsókè yára sí i, ṣùgbọ́n ó máa ń mú kí àwọn ìṣesí gáàsì àti dídára ojú ilẹ̀ díjú.
• Doping ati iṣọkan: Àṣeyọrí ipele doping kan náà, pàápàá jùlọ fún irú p-type GaN, jẹ́ ìpèníjà. Èyí jẹ́ nítorí àwọn ànímọ́ ohun èlò náà àti àwọn ìlànà kẹ́míkà dídíjú.
• Wíwà àti Iye owó Sẹ́ẹ̀tì: Wíwà àti iye owó àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ ní ipa lórí bí GaN ṣe lè yípadà. Àwọn ohun èlò ìṣàlẹ̀ silikoni jẹ́ olowo poku ṣùgbọ́n wọ́n ń mú àìbáramu lattice pọ̀ sí i.

Iṣelọpọ ẹrọ SiC tun pade awọn iṣoro pataki:

• Líle àti Ìrẹ̀wẹ̀sì Gíga: Líle SiC (Mohs 9) àti bí ó ṣe ń bàjẹ́ máa ń mú kí iṣẹ́ ṣíṣe pọ̀ sí i. Ṣíṣe àfọ̀mọ́ wafer kì í lọ́ra, kò sì ní ṣiṣẹ́ dáadáa, ó sì nílò àwọn slurries pàtàkì.
• Ìmúlò Wafer: Ó ṣòro láti mú àwọn wafer SiC mọ́ nítorí pé wọ́n lè bàjẹ́. Èyí máa ń yọrí sí ìfọ́, fífọ́, àti ìbàjẹ́ àwọn pàǹtí.
• Awọn ibeere Epitaxy: Epitaxy fun SiC nilo iwọn otutu ti o ga ju silicon lọ. Eyi n dinku igbesi aye awọn ẹya iyẹwu ati mu awọn idiyele itọju pọ si.
• Ìgbìn Ion: Fífi alumọ́ọ́nì sínú fún irú p doping máa ń dojúkọ àwọn ìṣòro ìdúróṣinṣin orísun ion. Àwọn dopant kì í tàn kálẹ̀ ní irọ̀rùn, wọ́n sì lè ṣẹ̀dá ihò. Iwọ̀n otútù gíga (1800°C) lè sọ ojú ilẹ̀ di carbon.

Iṣoro Pataki: Ibajẹ Ohun elo ati Egbin ni Ṣiṣẹpọ

Ìbàjẹ́ àti Ìbàjẹ́ Ẹ̀rọ ní Àwọn Àyíká Líle

Àwọn ohun èlò ìṣẹ̀dá Semiconductor ń dojúkọ ìbàjẹ́ àti ìbàjẹ́ ohun èlò tó pọ̀. Àwọn àyíká tó le koko, títí bí ìfarahàn sí àwọn kẹ́míkà oníbàjẹ́ àti àwọn ìlànà ìfọ́, ló ń fa àwọn ìṣòro wọ̀nyí. Èyí ń yọrí sí ìdínkù nínú ìgbésí ayé ohun èlò àti ìbàjẹ́ nínú iṣẹ́ ìṣẹ̀dá. Àwọn ohun èlò ìfọ́ àti ìfipamọ́, pàápàá jùlọ, ń fara da àwọn ipò tó le koko. Wọ́n ń dojúkọ plasma, ooru gíga, àti àwọn kẹ́míkà oníṣẹ́-agbára. Àwọn nǹkan wọ̀nyí ń yọrí sí ìfọ́ àti ìkọlù kẹ́míkà. Irú àwọn ipò bẹ́ẹ̀ papọ̀ ń fa ìkùnà ohun èlò nípa bíba àwọn ohun èlò jẹ́ àti dín iṣẹ́ ohun èlò kù.

“Ẹ̀rọ ìfagbára tí a so mọ́ ìbàjẹ́” sábà máa ń wáyé. Àwọn ohun èlò ìbàjẹ́ máa ń dín agbára ìsopọ̀ ààlà ọkà kù. Ìrẹ̀wẹ̀sì yìí máa ń jẹ́ kí àwọn ìfọ́ tí ìfọ́ ti fa ìfọ́ ti tàn kálẹ̀ kíákíá. Àwọn ìfọ́ yìí máa ń tàn kálẹ̀ ní àwọn agbègbè ìṣọ̀kan tí a ti fi tin ṣe. Ìyípadà ìbàjẹ́ yìí ṣòro láti tẹ̀síwájú pẹ̀lú àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ ìbòrí ojú ilẹ̀ àtijọ́, pàápàá jùlọ ní àwọn àyíká ìfọ́ ti ìbàjẹ́ líle koko.

Ipa ti idoti lori iṣẹ ṣiṣe ẹrọ GaN ati SiC

Àìmọ́tótó ń ní ipa búburú lórí iṣẹ́ àti ìṣẹ̀dá àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC. Àní àwọn ohun ìdọ̀tí kékeré pàápàá lè fa àbùkù, èyí tí ó lè yọrí sí àìṣiṣẹ́ ẹ̀rọ tàbí ìdínkù nínú iṣẹ́. Fún àwọn ẹ̀rọ GaN, àwọn ohun ìdọ̀tí pàtó sábà máa ń fa ìṣòro:

• Àwọn ìdẹkùn elekitironi jìn (E2 àti E4)Àwọn ìdẹkùn wọ̀nyí máa ń pọ̀ sí i lẹ́yìn ìtànṣán proton àti electron. Wọ́n máa ń fa ìṣẹ̀lẹ̀ ẹnu ọ̀nà àti ìfàgùn, èyí sì máa ń fa ìbàjẹ́ lọ́wọ́lọ́wọ́ àti ìbàjẹ́ nínú AlGaN/GaN HEMTs.
• Àwọn ìyọkúrò: Ìtúpalẹ̀ àwọn skru tí ó ṣí sílẹ̀ máa ń mú kí jíjó ẹnu ọ̀nà pọ̀ sí i nínú àwọn hemmet AlGaN/GaN. Àwọn ìtúpalẹ̀ tí Indium (In) ṣe lọ́ṣọ̀ọ́ máa ń ní ipa lórí InAlN/GaN HEMTs. Wọ́n tún máa ń so mọ́ àwọn pàkúté electron jíjìn, ìdẹkùn, jíjó ìṣàn omi lábẹ́ ìsàlẹ̀, àti ìbàjẹ́ gbogbogbòò.
• Àwọn ààyè Gallium tí a fi Silicon (Si) tàbí Oxygen (O) ṣe pọ̀Àwọn àkópọ̀ wọ̀nyí ń ṣiṣẹ́ gẹ́gẹ́ bí àwọn ìdẹkùn ihò pàtàkì nínú n-GaN àti n-AlGaN.
• Erogba (C): Erogba tun n ṣiṣẹ bi idẹkùn ihò pataki ninu n-GaN ati n-AlGaN.
• Haidrojiin: Ẹ̀gbin abẹlẹ yii, ti o wọpọ ninu awọn ohun elo MBE ọlọrọ MOCVD ati NH3, ni ipa lori awọn iyipada foliteji ala ati ibajẹ transconductance labẹ ifihan itanna proton.
• Àwọn olùgbà tó jinlẹ̀: Ifihan awọn olugba jinle ninu ipele idena ṣalaye awọn iyipada ninu folti ala ati gbigbe ikanni ninu awọn transistors AlGaN/GaN.
• Àwọn ìdẹkùn jíjìn nínú ìpele ìpamọ́ GaNÀwọn ìdẹkùn wọ̀nyí lè yọrí sí àwọn ipa kan náà gẹ́gẹ́ bí àwọn ohun tí ó ń gbà jìn. Wọ́n ń ṣe àfikún sí ìdínkù díẹ̀ nínú 2DEG àti ìtúká elekitironi 2DEG.

Báwo ni ìbòrí TaC ṣe ń kojú àwọn ìpèníjà ìṣelọ́pọ́ pàtàkì

Àìlera Kẹ́míkà Tó Gbéga Jùlọ ti Àwọ̀ TaC

Ìbòrí TaC ní àìlera kẹ́míkà tó tayọ. Ohun ìní yìí mú kí ó níye lórí gan-an nínú iṣẹ́ àgbékalẹ̀ semiconductor. Ó ń dènà ìfọ́ láti inú àwọn gáàsì oníbàjẹ́ bíi chlorides àti fluorides dáadáa. Ìbòrí náà ń pa ìṣiṣẹ́ díẹ̀ mọ́ ní àyíká tí ó ní iwọ̀n otútù gíga. Èyí ń dènà àwọn ìṣiṣẹ́ kẹ́míkà tí a kò fẹ́ pẹ̀lú àwọn gáàsì oníṣẹ́. Àmì yìí ṣe pàtàkì fún rírí i dájú pé iṣẹ́ náà mọ́ tónítóní àti ìtọ́jú ohun èlò tó dára. Ó ṣe àǹfààní fún àwọn ohun èlò tó ní í ṣe pẹ̀lú Silicon Carbide Wafer Boats àti àwọn èròjà pàtàkì mìíràn.

“Ní ìfiwéra pẹ̀lú ìbòrí SiC, TaC ní àìlera kẹ́míkà tó ga àti ìdènà ìbàjẹ́.”

Àwọn ìbòrí TaC kò gbà ammonia gbígbóná. Wọ́n tún ń gbà ammonia hydrogen, amú omi silicon, àti àwọn irin tí ó yọ́. Àwọn ìbòrí wọ̀nyí ń dáàbò bo H2, NH3, SiH4, àti Si ní àyíká kẹ́míkà líle.

Iduroṣinṣin Gbona Giga ati Lile Ẹrọ ti Aṣọ TaC

Iduroṣinṣin ooru giga ati lile ẹrọ ṣe pataki fun awọn paati ninu iṣelọpọ GaN ati SiC. Grafiti ti a bo pẹlu TaC fihan resistance ipata kemikali ti o ga julọ ni akawe si graphite ti ko ni awọ tabi graphite ti a bo pẹlu SiC. O duro ṣinṣin ni awọn iwọn otutu giga, o de 2600°C. Ko ṣe idahun pẹlu ọpọlọpọ awọn eroja irin. Eyi jẹ ki o jẹ ibora ti o fẹran julọ fun idagbasoke kristali kan ṣoṣo ti semiconductor iran kẹta ati fifin wafer. O wulo pupọ fun awọn ohun elo MOCVD ninu idagbasoke kristali kan ṣoṣo ti GaN tabi AlN ati awọn ohun elo PVT ninu idagbasoke kristali kan ṣoṣo ti SiC. Eyi mu didara kristali pọ si ni pataki.

A le lo awọn ibora Tantalum Carbide (TaC) ni iduroṣinṣin ni awọn iwọn otutu giga titi de 2600°C. Wọn ko ṣe atunṣe pẹlu ọpọlọpọ awọn eroja irin. A ka ibora yii si pe o dara julọ fun idagbasoke kristali semiconductor iran kẹta ati fifin wafer. Ni pataki, o ṣe anfani fun idagbasoke ohun elo MOCVD ti awọn kristali GaN tabi AlN nikan ati idagbasoke ohun elo PVT ti awọn kristali SiC nikan.

Líle agbára ẹ̀rọ ti ohun èlò yìí tún ń mú kí ó le pẹ́. Ó ní líle Vickers tó tó nǹkan bí 1,880 HV.

Ìmọ́tótó Gíga Jùlọ àti Ìṣẹ̀dá Pátákì Kéré pẹ̀lú Àwọ̀ TaC

Ṣíṣe ìmọ́tótó gíga jùlọ àti dídínkù ìṣẹ̀dá pàǹtírì kù jẹ́ pàtàkì nínú iṣẹ́ àgbékalẹ̀ semiconductor. Àwọn ohun èlò tí a fi bo CVD TaC ni a mọ̀ fún ìwọ̀n ìṣẹ̀dá pàǹtírì wọn tí ó kéré gan-an. Àwọn ànímọ́ ojú wọn tí ó mọ́lẹ̀ dín agbára ìbàjẹ́ pàǹtírì kù gidigidi. Èyí, ní ọ̀nà kan náà, ń ran lọ́wọ́ láti mú ìmọ́tótó àti ìbísí sunwọ̀n síi nígbà àwọn ìlànà ìdàgbàsókè epitaxial.

Imudarasi Atunṣe Ilana ati Iyọkuro pẹluÀwọ̀ TaC

Ìbòrí TaC mú kí ìtúnṣe ìlànà pọ̀ sí i ní iṣẹ́ ẹ̀rọ GaN àti SiC. Àìlágbára àti ìdènà tó ga jùlọ tí ìbòrí náà ní sí àwọn àyíká iṣẹ́ líle mú kí àwọn ẹ̀yà reactor máa pa ìwà títọ́ àti àwọn ànímọ́ ojú wọn mọ́ fún ìgbà pípẹ́. Ìdúróṣinṣin yìí ṣe pàtàkì fún ṣíṣe àṣeyọrí ìbòrí fíìmù kan náà, àwọn ìrísí doping tó péye, àti àwọn ipò ooru tó dúró ṣinṣin ní gbogbo ìgbà iṣẹ́. Nígbà tí àwọn ojú irin bá dúró ṣinṣin tí kò sì ní ìbàjẹ́, àwọn olùṣelọpọ lè ṣe àtúnṣe àwọn ìlànà iṣẹ́ tí a fẹ́ dáadáa. Àsọtẹ́lẹ̀ yìí dín ìyàtọ̀ nínú àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ kù láti wafer sí wafer àti ìpele sí ìpele.

Àtúnṣe tó dára síi yìí túmọ̀ sí tààrà sí àwọn ohun tó ga jùlọ nínú iṣẹ́ náà. Ayíká iṣẹ́ tó dúró ṣinṣin dín ìṣẹ̀lẹ̀ àbùkù tí ìbàjẹ́ ohun èlò, ìbàjẹ́, tàbí àwọn ipò ìṣiṣẹ́ tí kò báramu ń fà kù. Fún àpẹẹrẹ, àìlera kẹ́míkà ti ìbòrí TaC ń dènà àwọn ìṣesí tí a kò fẹ́ láàrín àwọn gáàsì iṣẹ́ àti àwọn ògiri reactor, èyí tí ó lè fa àwọn àìmọ́ tàbí yí ìṣiṣẹ́ ìṣàn gaasi padà. Ìdúróṣinṣin ooru gíga rẹ̀ ń rí i dájú pé àwọn èròjà kò wọ́ tàbí bàjẹ́ lábẹ́ àwọn òtútù tó le koko, ó ń pa àwọn geometries tó péye mọ́ fún ìdàgbàsókè kan náà. Jù bẹ́ẹ̀ lọ, mímọ́ tó ga jùlọ àti ìṣẹ̀dá pàǹtí kékeré tí ó níí ṣe pẹ̀lú ìbòrí TaC dín ìbàjẹ́ pàǹtí kù gidigidi, èyí tí ó jẹ́ okùnfà pàtàkì fún ìkùnà ẹ̀rọ. Nípa dídín àwọn orísun ìyàtọ̀ àti àbùkù wọ̀nyí tí ó wọ́pọ̀, àwọn olùpèsè ń ṣe iye púpọ̀ sí i ti àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC tí ó ṣiṣẹ́ fún wafer kọ̀ọ̀kan, wọ́n ń mú kí iṣẹ́ ṣíṣe gbogbogbòò sunwọ̀n síi àti dín ìdọ̀tí kù.

Awọn Lilo Pataki ti Aṣọ TaC ni Iṣelọpọ GaN ati SiC

Àwọ̀ TaC fún Àwọn Ẹ̀yà Reactor

Ìbòrí TaC kó ipa pàtàkì nínú dídáàbòbò onírúurú àwọn èròjà ìgbóná ara nínú ìṣẹ̀dá GaN àti SiC. Àwọn èròjà pàtó tí ó ń jàǹfààní láti inú ìbòrí yìí ni àwọn ohun èlò ìgbóná ara, àwọn abẹ́rẹ́, àwọn ohun tí ó lè mú kí nǹkan gbóná, àti àwọn ohun èlò ìgbóná ara. Nínú àwọn ohun èlò ìgbóná ara SiC CVD, àwọn èròjà pàtàkì tí a fi Tantalum Carbide bo fi àwọn àtúnṣe iṣẹ́ wọn hàn. Ìbòrí yìí dúró fún líle rẹ̀ àti ìyípadà irin rẹ̀. Ó ní ìdènà àrà ọ̀tọ̀ sí ìpalára halogen àti hydrogen, èyí tí ó mú kí ó dára fún àwọn àyíká tí ó le koko àti àwọn ibi tí ó ní iwọ̀n otútù gíga.

Àwọ̀ náà tún ń fúnni ní agbára ìgbóná tó ga, ó ń tú ooru jáde dáadáa, ó sì ń dènà ìgbóná tó pọ̀ jù ní àgbègbè nígbà tí a bá ń lo àwọn ohun èlò ìgbóná tó ga. Ó ń dáàbò bo àwọn èròjà iná àti ohun èlò ìgbóná tó ṣe pàtàkì ní ìwọ̀n otútù tó dé 2200°C, ó ń mú kí ìdúróṣinṣin kẹ́míkà àti ẹ̀rọ wà. Tantalum carbide ní agbára ìpalára tó lágbára sí ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn acids àti alkalis, ó ń dènà ìbàjẹ́ substrate ní àwọn àyíká tó ń ba nǹkan jẹ́. Ó ń dènà hydrogen, ammonia, monosilane, àti silicon, ó sì ń pèsè ààbò ní àwọn ibi tó le koko. Ààbò tó dára sí i yìí ń mú kí àwọn èròjà pẹ́ sí i. Àwọ̀ TaC tún ń wúni lórí, pẹ̀lú ìwọ̀n àìmọ́ tó wà ní ìsàlẹ̀ 5 ppm. Èyí ń dín àwọn àbùkù bíi micropores àti etch pits nínú àwọn kirisita SiC kù gidigidi, ó sì ń mú kí dídára kirisita náà sunwọ̀n sí i.

Aṣọ TaC fún Etch Chambers àti Plasma Processing Equipment

Ìbòrí TaC ṣe pàtàkì fún àwọn yàrá ìtọ́jú àti àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ plasma. Líle rẹ̀ tó yàtọ̀ àti àìlera kemikali kò jẹ́ kí ó bàjẹ́ àti ìbàjẹ́ láti inú àyíká plasma abrasive àti àwọn ìṣesí kemikali líle koko. Èyí mú kí àwọn èròjà náà máa ṣiṣẹ́ lábẹ́ àwọn ipò tó le koko. Ìmọ́tótó gíga ti ìbòrí náà, pẹ̀lú ìwọ̀n àìmọ́ tí ó wà lábẹ́ 5 ppm, dín ewu ìbàjẹ́ kù nínú àwọn ìlànà ìdàgbàsókè kristali.

Ìfaramọ́ra tó lágbára àti ìfàsẹ́yìn ooru tó kéré ń dènà ìfọ́ tàbí ìfọ́ nígbà tí a bá ń yípo ooru. Èyí ṣe pàtàkì fún mímú kí ó péye àti ìdúróṣinṣin nínú iṣẹ́ àgbékalẹ̀ semiconductor. Nínú ìdàgbàsókè epitaxial GaN/SiC, ìbòrí náà ń dènà àwọn ìṣesí gaasi àti dín àbùkù kù, ó ń mú kí gbogbo èso pọ̀ sí i. Àwọn ohun èlò mímọ́ tó ga àti ìbòrí TaC tó lágbára ń dín ìṣẹ̀dá pàǹtíkì àti ìjákulẹ̀ kù. Èyí ń dín ewu ìbàjẹ́ wafer àti àbùkù kù. Ìbòrí tó lágbára náà ń pèsè ìdènà tó dára sí ìfọ́ plasma àti ìkọlù kẹ́míkà, ó sì ń mú kí àwọn èròjà náà pẹ́ sí i.

Kì í ṣe pé ìbòrí TaC nìkan ló ṣe àǹfààní; ó ṣe pàtàkì fún ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC tó ṣeé gbẹ́kẹ̀lé, tó ní iṣẹ́ tó ga, tó sì ń ná owó. Ó ń dín ìpèníjà ìbàjẹ́ àti ìbàjẹ́ tó wà nínú iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́ wọn kù. Ipa rẹ̀ yóò máa pọ̀ sí i bí àwọn ìmọ̀ ẹ̀rọ tó ti pẹ́ yìí bá ń tẹ̀síwájú láti dàgbàsókè. Èyí yóò mú kí ìṣẹ̀dá tuntun àti ìfẹ̀sí ọjà máa bá a lọ.

Awọn ibeere ti a maa n beere nigbagbogbo

Kí ni ìbòrí TaC?

Ìbòrí TaC jẹ́ ìpele ààbò ti Tantalum Carbide tí a fi sí àwọn èròjà graphite. Àwọn olùṣelọpọ lo ìlànà Kemikali Vapor Deposition (CVD). Àdàpọ̀ seramiki líle, tí ó lè yípadà yìí ń mú kí ìdúróṣinṣin àti ìdènà kẹ́míkà pọ̀ sí i fún àwọn ohun èlò semiconductor.

Báwo ni ìbòrí TaC ṣe mú kí iṣẹ́ ṣíṣe pọ̀ sí i?

Ìbòrí TaC ń mú kí àwọn ipò iṣẹ́ náà dúró ṣinṣin. Ó ń dènà ìbàjẹ́ àti ìbàjẹ́ ohun èlò. Ìdúróṣinṣin yìí ń dín àbùkù àti ìyàtọ̀ nínú àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ kù. Àwọn olùṣe àgbékalẹ̀ ń ṣe àṣeyọrí iye àwọn ẹ̀rọ GaN àti SiC tó pọ̀ jù fún wafer kan.

Kí ló dé tí a fi fẹ́ràn ìbòrí TaC ju ìbòrí SiC lọ ní àwọn ohun èlò kan?

Ìbòrí TaC ní agbára ìdènà kẹ́míkà àti agbára ìpalára tó ga ju ti ìbòrí SiC lọ. Ó dúró ṣinṣin sí àyíká kẹ́míkà tó le koko àti ooru tó ga jù. Èyí mú kí ó dára fún àwọn ìlànà pàtàkì kan nínú iṣẹ́ GaN àti SiC.

Àwọn èròjà pàtó wo ló ń jẹ́ àǹfààní láti inú ìbòrí TaC nínú iṣẹ́ GaN/SiC?

Àwọn èròjà reactor bíi àwọn ohun èlò ìfúnpọ̀ wafer, àwọn abẹ́rẹ́, àwọn ohun èlò ìtúpalẹ̀, àti àwọn ohun èlò ìgbóná ara ń ṣe àǹfààní púpọ̀. Àwọn yàrá ìtúpalẹ̀ àti àwọn ohun èlò ìṣiṣẹ́ plasma náà ń lo ìbòrí TaC. Ó ń dáàbò bo àwọn ẹ̀yà ara wọ̀nyí kúrò lọ́wọ́ àwọn gáàsì ìbàjẹ́, iwọ̀n otútù gíga, àti plasma ìpalára.

Gbé Ìgbésẹ̀ Tó Tẹ̀lé

Ṣetán láti mú ìdúróṣinṣin àti ìtẹ̀síwájú tí kò tíì wáyé wá sí àwọn ilana GaN àti SiC rẹ?

Kan si awọn amoye imọ-jinlẹ ohun elo wa loniláti jíròrò bí ojutu ìbòrí TaC ṣe lè yí iṣẹ́ reactor MOCVD tàbí CVD rẹ padà.