CVD-bedekking

CVD-bedekkings vir gevorderde halfgeleierverwerking

Ons Chemiese Vapor Deposition (CVD) Silikonkarbied (SiC), Tantaalkarbied (TaC) en Pirolitiese Koolstof (PyC) bedekkings is ontwerp vir kritieke halfgeleiervervaardigingsomgewings en lewer uitstekende chemiese traagheid, uiterste termiese stabiliteit en ultrahoë suiwerheid (< 5 dpm). Ons gevorderde bedekkings is ontwerp om hoë-suiwerheid grafiet- en keramieksubstrate te beskerm teen aggressiewe plasma, reaktiewe prosesgasse en hoë termiese siklusse, en verminder deeltjiegenerering en verleng die komponentlewensduur aansienlik.Silikon/SiC-epitaksie, MOCVD, plasma-etsing en monokristalgroeitoepassings.

Ultrahoë Suiwerheid (< 5 dpm)

GDMS-geverifieerde lae metaalonsuiwerhede om waferkontaminasie in kritieke prosesse te voorkom.

Superieure plasma- en gasweerstand

Digte kristallyne struktuur beskerm teen halogeenplasma (CF₄, NF₃, Cl₂) en korrosiewe gasse.

Geoptimaliseerde Termiese Ooreenstemming

Streng CTE-beheer elimineer mikrokrake en delaminasie van die laag onder ernstige termiese skokke.

Bedekkingstipe	Belangrike Tegniese Voordeel	Primêre Proses Toepassing
CVD SiC-laag	Hoë termiese geleidingsvermoë, uitstekende plasma-erosiebestandheid	Droë Ets, Si Epitaksie, MOCVD, Kristalgroei
CVD TaC-laag	Uiterste temperatuurweerstand (>2000°C), H₂/SiH₄ korrosieversperring	SiC-epitaksie, enkelkristal SiC PVT-groei
PyC-bedekking	Hermetiese gasverseëling, ultra-gladde anisotropiese koolstofoppervlak	Termiese veldisolasie, CZ Monokristallyne Silikon