Uhi CVD

Nā Uhi CVD no ka Hana ʻana i ka Semiconductor Kiʻekiʻe

I hana ʻia no nā wahi hana semiconductor koʻikoʻi, ʻo kā mākou Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), a me Pyrolytic Carbon (PyC) nā uhi e hāʻawi i ka inertness kemika koʻikoʻi, ke kūpaʻa wela loa, a me ka maʻemaʻe ultra-kiʻekiʻe (< 5 ppm). Hoʻolālā ʻia e pale i nā substrates graphite a me nā keramika maʻemaʻe kiʻekiʻe mai ka plasma aggressive, nā kinoea hana reactive, a me ke kaʻapuni wela kiʻekiʻe, hoʻemi kā mākou mau uhi holomua i ka hanauna ʻāpana a hoʻolōʻihi nui i ke ola o nā ʻāpana i loko.ʻO Silicon/SiC Epitaxy, MOCVD, Plasma Etching, a me ka ulu ʻana o Monocrystalnā noi.

Maʻemaʻe Loa-Kiʻekiʻe (< 5 ppm)

Nā haumia metala haʻahaʻa i hōʻoia ʻia e GDMS e pale aku i ka haumia o ka wafer i nā kaʻina hana koʻikoʻi.

Ke kū'ē ʻana i ka Plasma a me ke Kinoea kiʻekiʻe loa

Mālama ka ʻano kristal paʻa i ka plasma halogen (CF₄, NF₃, Cl₂) a me nā kinoea ʻino.

Hoʻohālikelike Wera i Hoʻomaikaʻi ʻia

Hoʻopau ka mana CTE koʻikoʻi i ka micro-cracking a me ka delamination coating ma lalo o nā haʻalulu wela koʻikoʻi.

ʻAno Uhi	Pōmaikaʻi ʻenehana koʻikoʻi	Noi Hana Kumu
Uhi ʻana o CVD SiC	ʻO ke alakaʻi wela kiʻekiʻe, ke kūpaʻa plasma erosion maikaʻi loa	ʻEtch maloʻo, Si Epitaxy, MOCVD, ulu ʻana o ke aniani
Uhi ʻana o CVD TaC	Ke kūpaʻa wela loa (>2000°C), ka pale ʻana i ka palaho H₂/SiH₄	ʻO ka Epitaxy SiC, ka ulu ʻana o ka PVT SiC Crystal hoʻokahi
Uhi ʻana o PyC	Ke sila ʻana o ke kinoea Hermetic, ʻili kalapona anisotropic laumania loa	ʻO ka pale ʻana o ke kahua wela, CZ Monocrystalline Silicon