CVD-Beschichtung

CVD-Beschichtungen für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung

Unsere mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellten Siliziumkarbid- (SiC), Tantalkarbid- (TaC) und pyrolytischen Kohlenstoff- (PyC) Beschichtungen wurden speziell für kritische Umgebungen in der Halbleiterfertigung entwickelt und bieten herausragende chemische Inertheit, extreme thermische Stabilität und höchste Reinheit (< 5 ppm). Sie schützen hochreine Graphit- und Keramiksubstrate vor aggressivem Plasma, reaktiven Prozessgasen und hohen Temperaturwechselbeanspruchungen, minimieren die Partikelbildung und verlängern die Lebensdauer der Bauteile signifikant.Silizium/SiC-Epitaxie, MOCVD, Plasmaätzen und EinkristallwachstumAnwendungen.

Ultrahohe Reinheit (< 5 ppm)

Durch GDMS verifizierte geringe metallische Verunreinigungen verhindern die Kontamination der Wafer in kritischen Prozessen.

Überlegene Plasma- und Gasbeständigkeit

Die dichte Kristallstruktur schützt vor Halogenplasma (CF₄, NF₃, Cl₂) und korrosiven Gasen.

Optimierte thermische Anpassung

Durch die strikte Kontrolle des Wärmeausdehnungskoeffizienten werden Mikrorisse und Ablösungen der Beschichtung bei starken Temperaturschocks vermieden.

Beschichtungsart	Wichtigster technischer Vorteil	Primäre Prozessanwendung
CVD-SiC-Beschichtung	Hohe Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichnete Beständigkeit gegen Plasmaerosion	Trockenätzen, Siliziumepitaxie, MOCVD, Kristallwachstum
CVD-TaC-Beschichtung	Beständigkeit gegen extreme Temperaturen (>2000 °C), Korrosionsschutzbarriere gegen H₂/SiH₄	SiC-Epitaxie, PVT-Wachstum von SiC-Einkristallen
PyC-Beschichtung	Hermetische Gasabdichtung, ultra-glatte anisotrope Kohlenstoffoberfläche	Wärmefeldisolierung, CZ monokristallines Silizium