Lớp phủ CVD

Lớp phủ CVD cho quy trình chế tạo bán dẫn tiên tiến

Được thiết kế cho môi trường sản xuất chất bán dẫn quan trọng, lớp phủ Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC) và Pyrolytic Carbon (PyC) bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) của chúng tôi mang lại khả năng trơ hóa học vượt trội, độ ổn định nhiệt cực cao và độ tinh khiết cực cao (< 5 ppm). Được thiết kế để bảo vệ các chất nền than chì và gốm có độ tinh khiết cao khỏi plasma mạnh, khí xử lý phản ứng và chu kỳ nhiệt cao, các lớp phủ tiên tiến của chúng tôi giảm thiểu sự phát sinh hạt và kéo dài đáng kể tuổi thọ của linh kiện.Phương pháp epitaxy silicon/SiC, MOCVD, khắc plasma và nuôi cấy đơn tinh thểứng dụng.

Độ tinh khiết cực cao (< 5 ppm)

Hàm lượng tạp chất kim loại thấp được GDMS xác nhận nhằm ngăn ngừa ô nhiễm wafer trong các quy trình quan trọng.

Khả năng chống plasma và khí vượt trội

Cấu trúc tinh thể dày đặc giúp bảo vệ chống lại plasma halogen (CF₄, NF₃, Cl₂) và khí ăn mòn.

Tối ưu hóa sự phù hợp nhiệt

Kiểm soát hệ số giãn nở nhiệt (CTE) nghiêm ngặt giúp loại bỏ hiện tượng nứt vi mô và bong tróc lớp phủ dưới tác động nhiệt mạnh.

Loại lớp phủ	Lợi thế kỹ thuật then chốt	Ứng dụng quy trình chính
Lớp phủ SiC CVD	Độ dẫn nhiệt cao, khả năng chống ăn mòn plasma tuyệt vời	Khắc khô, Lớp màng Si, MOCVD, Sự phát triển tinh thể
Lớp phủ CVD TaC	Khả năng chịu nhiệt độ cực cao (>2000°C), lớp chắn chống ăn mòn H₂/SiH₄	Phương pháp epitaxy SiC, Tăng trưởng PVT tinh thể đơn SiC
Lớp phủ PyC	Khả năng bịt kín khí tuyệt đối, bề mặt carbon dị hướng siêu mịn.	Cách nhiệt trường nhiệt, silicon đơn tinh thể CZ