Rivestimento CVD

Rivestimenti CVD per la lavorazione avanzata dei semiconduttori

Progettati per ambienti di produzione di semiconduttori critici, i nostri rivestimenti in carburo di silicio (SiC), carburo di tantalio (TaC) e carbonio pirolitico (PyC) ottenuti mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD) offrono un'eccezionale inerzia chimica, un'estrema stabilità termica e una purezza ultraelevata (< 5 ppm). Progettati per proteggere substrati di grafite e ceramica ad alta purezza da plasma aggressivo, gas di processo reattivi e cicli termici elevati, i nostri rivestimenti avanzati riducono al minimo la generazione di particelle e prolungano significativamente la durata dei componenti.Epitassia di silicio/SiC, MOCVD, incisione al plasma e crescita di monocristalliapplicazioni.

Purezza ultraelevata (< 5 ppm)

Basso contenuto di impurità metalliche verificato tramite GDMS per prevenire la contaminazione dei wafer nei processi critici.

Resistenza superiore al plasma e ai gas

La struttura cristallina densa protegge dal plasma alogeno (CF₄, NF₃, Cl₂) e dai gas corrosivi.

Corrispondenza termica ottimizzata

Il rigoroso controllo del coefficiente di dilatazione termica (CTE) elimina le microfratture e la delaminazione del rivestimento in caso di forti shock termici.

Tipo di rivestimento	Vantaggio tecnico chiave	Applicazione del processo primario
Rivestimento SiC CVD	Elevata conduttività termica, eccellente resistenza all'erosione da plasma.	Incisione a secco, epitassia del silicio, MOCVD, crescita cristallina
Rivestimento TaC CVD	Resistenza alle temperature estreme (>2000 °C), barriera alla corrosione H₂/SiH₄	Epitassia del SiC, crescita PVT del SiC monocristallino
Rivestimento PyC	Tenuta ermetica ai gas, superficie in carbonio anisotropa ultra liscia	Isolamento termico del campo, silicio monocristallino CZ