Pagtabon sa CVD

Mga CVD Coating para sa Abansadong Pagproseso sa Semiconductor

Gidisenyo alang sa kritikal nga mga palibot sa paggama sa semiconductor, ang among Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), ug Pyrolytic Carbon (PyC) coatings naghatag ug talagsaong chemical inertness, grabeng thermal stability, ug ultra-high purity (< 5 ppm). Gidisenyo aron mapanalipdan ang high-purity graphite ug ceramic substrates gikan sa agresibo nga plasma, reactive process gases, ug taas nga thermal cycling, ang among advanced coatings nagpamenos sa particle generation ug nagpalugway sa kinabuhi sa component.Silicon/SiC Epitaxy, MOCVD, Plasma Etching, ug Monocrystal Growthmga aplikasyon.

Ultra-Taas nga Kaputli (< 5 ppm)

Ubos sa mga hugaw sa metal nga napamatud-an sa GDMS aron malikayan ang kontaminasyon sa wafer sa mga kritikal nga proseso.

Labaw nga Pagsukol sa Plasma ug Gas

Ang dasok nga kristal nga istruktura nanalipod batok sa halogen plasma (CF₄, NF₃, Cl₂) ug mga makadaot nga gas.

Gi-optimize nga Thermal Matching

Ang estrikto nga pagkontrol sa CTE nagwagtang sa micro-cracking ug coating delamination ubos sa grabeng thermal shocks.

Tipo sa Pagtabon	Pangunang Teknikal nga Bentaha	Pangunang Proseso sa Aplikasyon
CVD SiC Coating	Taas nga thermal conductivity, maayo kaayo nga resistensya sa plasma erosion	Dry Etch, Si Epitaxy, MOCVD, Pagtubo sa Kristal
CVD TaC Coating	Pagsukol sa grabeng temperatura (>2000°C), babag sa kaagnasan sa H₂/SiH₄	SiC Epitaxy, Single-Crystal SiC PVT Growth
PyC Coating	Hermetic gas sealing, ultra-smooth nga anisotropic carbon surface	Insulasyon sa thermal field, CZ Monocrystalline Silicon