Còmhdach CVD

Còmhdaichean CVD airson Giullachd Leth-sheoltairean Adhartach

Air an innleachadh airson àrainneachdan saothrachaidh leth-chonnsachaidh èiginneach, bidh na còtaichean againn Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), agus Pyrolytic Carbon (PyC) airson Tasgadh Ceimigeach Vapor (CVD) a’ lìbhrigeadh neo-ghnìomhachd cheimigeach air leth, seasmhachd teirmeach anabarrach, agus purrachd fìor àrd (< 5 ppm). Air an dealbhadh gus fo-stratan grafait is ceirmeag fìor-ghlan a dhìon bho phlasma ionnsaigheach, gasaichean pròiseas ath-ghnìomhach, agus cearcall teirmeach àrd, bidh na còtaichean adhartach againn a’ lughdachadh gineadh mìrean agus a’ leudachadh fad-beatha phàirtean gu mòr ann anEpitaxy Silicon/SiC, MOCVD, Greanadh Plasma, agus Fàs Monocrystaltagraidhean.

Purrachd Ultra-Àrd (< 5 ppm)

Neo-chunbhalachdan meatailteach ìosal dearbhte le GDMS gus casg a chur air truailleadh uaifearan ann am pròiseasan èiginneach.

Seasmhachd plasma is gas nas fheàrr

Bidh structar criostalach dùmhail a’ dìon an aghaidh plasma halogen (CF₄, NF₃, Cl₂) agus gasaichean creimneach.

Maidseadh Teirmeach Optimichte

Bidh smachd teann CTE a’ cur às do mhicro-sgàineadh agus delamination còmhdach fo bhuaidh clisgeadh teirmeach cruaidh.

Seòrsa Còmhdach	Prìomh Bhuannachd Theicnigeach	Iarrtas Pròiseas Bunasach
Còmhdach SiC CVD	Seòltachd teirmeach àrd, strì an aghaidh creimeadh plasma sàr-mhath	Greusadh tioram, epitaxy Si, MOCVD, fàs criostail
Còmhdach TaC CVD	Seasmhachd an aghaidh teòthachd anabarrach (>2000°C), bacadh creimeadh H₂/SiH₄	Epitaxy SiC, Fàs PVT SiC Aon-chriostail
Còmhdach PyC	Seulachadh gas hermetic, uachdar gualain anisotropic ultra-rèidh	Insaladh achaidh teirmeach, CZ Monocrystalline Silicon