CVD örtüyü

Qabaqcıl Yarımkeçirici Emalı üçün CVD örtükləri

Kritik yarımkeçirici istehsal mühitləri üçün hazırlanmış Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) Silikon Karbid (SiC), Tantal Karbid (TaC) və Pirolitik Karbon (PyC) örtüklərimiz üstün kimyəvi inertlik, həddindən artıq istilik stabilliyi və ultra yüksək təmizlik (<5 ppm) təmin edir. Yüksək təmizlikli qrafit və keramika substratlarını aqressiv plazma, reaktiv proses qazları və yüksək istilik dövriyyəsindən qorumaq üçün hazırlanmış qabaqcıl örtüklərimiz hissəciklərin əmələ gəlməsini minimuma endirir və komponentlərin ömrünü əhəmiyyətli dərəcədə uzadır.Silikon/SiC Epitaksi, MOCVD, Plazma Aşındırması və Monokristal Böyüməsitətbiqlər.

Ultra Yüksək Saflıq (<5 ppm)

Kritik proseslərdə lövhə çirklənməsinin qarşısını almaq üçün GDMS tərəfindən təsdiqlənmiş aşağı metal çirkləri.

Üstün Plazma və Qaz Müqaviməti

Sıx kristal quruluş halogen plazma (CF₄, NF₃, Cl₂) və korroziyalı qazlardan qoruyur.

Optimallaşdırılmış Termal Uyğunlaşdırma

Ciddi CTE nəzarəti, şiddətli istilik zərbələri altında mikro çatlamaları və örtük delaminasiyasını aradan qaldırır.

Kaplama növü	Əsas Texniki Üstünlük	Əsas Proses Tətbiqi
CVD SiC örtüyü	Yüksək istilik keçiriciliyi, əla plazma eroziyasına davamlılıq	Quru aşındırma, Si epitaksisi, MOCVD, Kristal böyüməsi
CVD TaC örtüyü	Həddindən artıq temperatur müqaviməti (>2000°C), H₂/SiH₄ korroziya baryeri	SiC Epitaksisi, Tək Kristallı SiC PVT Böyüməsi
PyC örtüyü	Hermetik qaz möhürlənməsi, ultra hamar anizotrop karbon səthi	İstilik sahəsi izolyasiyası, CZ Monokristal Silikon