Kisi tas-CVD

Kisi CVD għall-Ipproċessar Avvanzat tas-Semikondutturi

Iddisinjati għal ambjenti kritiċi tal-manifattura tas-semikondutturi, il-kisi tagħna ta' Depożizzjoni Kimika tal-Fwar (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), u Pyrolytic Carbon (PyC) jipprovdu inerzja kimika eċċellenti, stabbiltà termali estrema, u purità ultra-għolja (< 5 ppm). Iddisinjati biex jipproteġu sottostrati tal-grafita u taċ-ċeramika ta' purità għolja minn plażma aggressiva, gassijiet ta' proċess reattiv, u ċikliżmu termali għoli, il-kisi avvanzati tagħna jimminimizzaw il-ġenerazzjoni ta' partiċelli u jestendu b'mod sinifikanti l-ħajja tal-komponenti.Epitassija tas-Silikon/SiC, MOCVD, Inċiżjoni tal-Plażma, u Tkabbir Monokristallapplikazzjonijiet.

Purità Ultra-Għolja (< 5 ppm)

Impuritajiet metalliċi baxxi vverifikati mill-GDMS biex jipprevjenu l-kontaminazzjoni tal-wejfer fi proċessi kritiċi.

Reżistenza Superjuri għall-Plażma u l-Gass

Struttura kristallina densa tipproteġi kontra l-plażma aloġena (CF₄, NF₃, Cl₂) u l-gassijiet korrużivi.

Tqabbil Termali Ottimizzat

Kontroll strett tas-CTE jelimina l-mikro-qsim u d-delaminazzjoni tal-kisi taħt xokkijiet termali severi.

Tip ta' Kisi	Vantaġġ Tekniku Ewlieni	Applikazzjoni tal-Proċess Primarju
Kisi tas-SiC CVD	Konduttività termali għolja, reżistenza eċċellenti għall-erożjoni tal-plażma	Inċiżjoni Niexfa, Epitassija tas-Si, MOCVD, Tkabbir tal-Kristall
Kisi tas-CVD TaC	Reżistenza għat-temperatura estrema (>2000°C), barriera għall-korrużjoni H₂/SiH₄	Epitaxy tas-SiC, Tkabbir tal-PVT tas-SiC b'Kristall Uniku
Kisi PyC	Siġillar ermetiku tal-gass, wiċċ tal-karbonju anisotropiku ultra-lixx	Insulazzjoni tal-kamp termali, CZ Silikon Monokristallin