Si эпітаксіяльныя дэталі

Кампаненты з пакрыццём SiC метадам CVD для крэмніевай эпітаксіі (Si Epi)

Нашы CVD-прыёмнікі, дыскі-сатэліты і кампаненты цеплавога поля з пакрыццём SiC, распрацаваныя для сістэм эпітаксіяльнага нанясення крэмнію на адзінкавыя пласціны і ў пакетных мадэлях, забяспечваюць выдатную цеплавую аднастайнасць і нулявое газавыдзяленне. Высокашчыльны кубічны пласт пакрыцця β-SiC цалкам ахінае графітавую падкладку высокай чысціні, прадухіляючы рэактыўнае газавае травленне (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) і гарантуючы звышнізкі ўзровень металічных прымешак (< 5 ppm) падчас апрацоўкі Si Epi пры высокай тэмпературы (1000°C - 1200°C).

Аднастайнасць цеплавога поля

Кантраляваная выпраменьвальная здольнасць забяспечвае дакладную аднастайнасць таўшчыні плёнкі пласціны ад краю да цэнтра.

Устойлівасць да травлення HCl

Забяспечвае надзейную абарону ад хімічных рэчываў, якія выкарыстоўваюцца для чысткі камеры на месцы, і цеплавых удараў.

Сумяшчальнасць з сістэмамі OEM

Высокадакладная апрацоўка на станку з ЧПУ для стандартных аднапласцінных інструментаў Epi дыяметрам 200 мм/300 мм (Applied Materials, ASM).

Тэхнічны параметр	Значэнне спецыфікацыі	Стандарт / метад выпрабаванняў
Пакрыццёвы матэрыял	CVD β-SiC (кубічная фаза)	Крышталічная структура высокай шчыльнасці
Матэрыял падкладкі	Ультрачысты ізастатычны графіт	Шчыльнасць: 1,82 - 1,88 г/см³
Хімічная чысціня	Агульная колькасць прымешак < 5 праміле	Праверана GDMS
Таўшчыня пакрыцця	80 мкм - 150 мкм	Аднастайнасць ≤ ±5%