L'oblia SOI de 12 polzades de VET Energy és un material de substrat semiconductor d'alt rendiment, molt apreciat per les seves excel·lents propietats elèctriques i la seva estructura única. VET Energy utilitza processos avançats de fabricació d'oblies SOI per garantir que l'oblia tingui un corrent de fuita extremadament baix, una alta velocitat i resistència a la radiació, proporcionant una base sòlida per als vostres circuits integrats d'alt rendiment.
La línia de productes de VET Energy no es limita a les oblies SOI. També oferim una àmplia gamma de materials de substrat semiconductor, com ara oblies de Si, substrats de SiC, substrats de SiN, oblies Epi, etc., així com nous materials semiconductors de banda ampla com ara l'òxid de gal·li Ga2O3 i l'oblies d'AlN. Aquests productes poden satisfer les necessitats d'aplicació de diferents clients en electrònica de potència, RF, sensors i altres camps.
Centrant-nos en l'excel·lència, les nostres oblies SOI també utilitzen materials avançats com ara òxid de gal·li Ga2O3, cassets i oblies d'AlN per garantir la fiabilitat i l'eficiència a tots els nivells operatius. Confieu en VET Energy per proporcionar solucions d'avantguarda que preparen el camí per a l'avanç tecnològic.
Allibera el potencial del teu projecte amb el rendiment superior de les oblies SOI de 12 polzades de VET Energy. Impulsa les teves capacitats d'innovació amb oblies que representen qualitat, precisió i innovació, establint les bases per a l'èxit en el camp dinàmic de la tecnologia dels semiconductors. Tria VET Energy per a solucions d'oblies SOI premium que superin les expectatives.
ESPECIFICACIONS DE WAFERING
*n-Pm=tipus n grau Pm,n-Ps=tipus n grau Ps,Sl=Semi-aïllant
| Ítem | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arc (GF3YFCD) - Valor absolut | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Deformació (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Vora de l'oblia | Bisellat | ||||
ACABAT DE LA SUPERFICIE
*n-Pm=tipus n grau Pm,n-Ps=tipus n grau Ps,Sl=Semi-aïllant
| Ítem | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabat superficial | Poliment òptic de doble cara, Si-Face CMP | ||||
| Rugositat de la superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Xips de vora | Cap permès (longitud i amplada ≥0,5 mm) | ||||
| Sagnies | Cap permès | ||||
| Ratllades (Si-Face) | Quantitat ≤5, acumulativa | Quantitat ≤5, acumulativa | Quantitat ≤5, acumulativa | ||
| Esquerdes | Cap permès | ||||
| Exclusió de vores | 3 mm | ||||
-
Els sistemes d'apilament de piles de combustible d'hidrogen poden ser...
-
Piles de combustible d'hidrogen venudes per Pem Stack Drone Fue...
-
Generador de piles de combustible d'hidrogen de 220w 24v Pemfc Sta...
-
Pila de combustible d'hidrogen Pila de combustible de dron d'hidrogen
-
Motlle de silicona per a fosa d'or i plata, Si...
-
Pila de combustible d'1 kW per a drons i bicicletes elèctriques

