Wafer SOI de 12 polegadas

Descrição curta:

Experimente inovação como nunca antes com o wafer SOI de 12 polegadas de última geração, uma maravilha tecnológica orgulhosamente apresentada a você pela VET Energy. Fabricado com precisão e expertise, este wafer de silício sobre isolante redefine os padrões da indústria, oferecendo qualidade e desempenho incomparáveis.


Detalhes do produto

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O wafer SOI de 12 polegadas da VET Energy é um material de substrato semicondutor de alto desempenho, altamente apreciado por suas excelentes propriedades elétricas e estrutura única. A VET Energy utiliza processos avançados de fabricação de wafers SOI para garantir que o wafer tenha corrente de fuga extremamente baixa, alta velocidade e resistência à radiação, fornecendo uma base sólida para seus circuitos integrados de alto desempenho.

A linha de produtos da VET Energy não se limita a wafers SOI. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo wafer de Si, substrato de SiC, substrato de SiN, wafer de Epi, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, RF, sensores e outras áreas.

Com foco na excelência, nossos wafers SOI também utilizam materiais avançados, como óxido de gálio Ga2O3, cassetes e wafers de AlN para garantir confiabilidade e eficiência em todos os níveis operacionais. Confie na VET Energy para fornecer soluções de ponta que abrem caminho para o avanço tecnológico.

Liberte o potencial do seu projeto com o desempenho superior dos wafers SOI de 12 polegadas da VET Energy. Aumente sua capacidade de inovação com wafers que incorporam qualidade, precisão e inovação, estabelecendo as bases para o sucesso no dinâmico campo da tecnologia de semicondutores. Escolha a VET Energy para soluções premium de wafers SOI que superam as expectativas.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformação(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de Wafer

Chanfradura

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Chips de Borda

Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de Borda

3 mm

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