Der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy ist ein leistungsstarkes Halbleitersubstratmaterial, das aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften und seiner einzigartigen Struktur sehr beliebt ist. VET Energy nutzt fortschrittliche SOI-Wafer-Herstellungsverfahren, um sicherzustellen, dass der Wafer extrem niedrige Leckströme, hohe Geschwindigkeiten und Strahlungsbeständigkeit aufweist und so eine solide Grundlage für Ihre leistungsstarken integrierten Schaltkreise bildet.
Die Produktpalette von VET Energy beschränkt sich nicht nur auf SOI-Wafer. Wir bieten auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien, darunter Si-Wafer, SiC-Substrate, SiN-Substrate, Epi-Wafer usw., sowie neue Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer. Diese Produkte erfüllen die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, HF, Sensorik und anderen Bereichen.
Mit Fokus auf Exzellenz verwenden wir für unsere SOI-Wafer auch fortschrittliche Materialien wie Galliumoxid (Ga2O3), Kassetten und AlN-Wafer, um Zuverlässigkeit und Effizienz auf allen Betriebsebenen zu gewährleisten. Vertrauen Sie auf VET Energy – wir liefern Ihnen innovative Lösungen, die den Weg für technologischen Fortschritt ebnen.
Entfesseln Sie das Potenzial Ihres Projekts mit der überlegenen Leistung der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy. Steigern Sie Ihre Innovationskraft mit Wafern, die Qualität, Präzision und Innovation verkörpern und den Grundstein für den Erfolg in der dynamischen Halbleitertechnologie legen. Wählen Sie VET Energy für erstklassige SOI-Waferlösungen, die Ihre Erwartungen übertreffen.
WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Waferkante | Abschrägung | ||||
OBERFLÄCHENBEARBEITUNG
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Oberflächenbeschaffenheit | Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP | ||||
| Oberflächenrauheit | (10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm | (5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm | |||
| Kantensplitter | Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm) | ||||
| Einrückungen | Keine erlaubt | ||||
| Kratzer (Si-Face) | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | ||
| Risse | Keine erlaubt | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | ||||
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