12-Zoll-SOI-Wafer

Kurze Beschreibung:

Erleben Sie Innovation wie nie zuvor mit dem hochmodernen 12-Zoll-SOI-Wafer, einem technologischen Wunderwerk von VET Energy. Dieser mit Präzision und Know-how gefertigte Silicon-On-Insulator-Wafer setzt neue Industriestandards und bietet beispiellose Qualität und Leistung.


Produktdetail

Produkt Tags

Der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy ist ein leistungsstarkes Halbleitersubstratmaterial, das aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften und seiner einzigartigen Struktur sehr beliebt ist. VET Energy nutzt fortschrittliche SOI-Wafer-Herstellungsverfahren, um sicherzustellen, dass der Wafer extrem niedrige Leckströme, hohe Geschwindigkeiten und Strahlungsbeständigkeit aufweist und so eine solide Grundlage für Ihre leistungsstarken integrierten Schaltkreise bildet.

Die Produktpalette von VET Energy beschränkt sich nicht nur auf SOI-Wafer. Wir bieten auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien, darunter Si-Wafer, SiC-Substrate, SiN-Substrate, Epi-Wafer usw., sowie neue Halbleitermaterialien mit großem Bandabstand wie Galliumoxid (Ga2O3) und AlN-Wafer. Diese Produkte erfüllen die Anwendungsanforderungen verschiedener Kunden in den Bereichen Leistungselektronik, HF, Sensorik und anderen Bereichen.

Mit Fokus auf Exzellenz verwenden wir für unsere SOI-Wafer auch fortschrittliche Materialien wie Galliumoxid (Ga2O3), Kassetten und AlN-Wafer, um Zuverlässigkeit und Effizienz auf allen Betriebsebenen zu gewährleisten. Vertrauen Sie auf VET Energy – wir liefern Ihnen innovative Lösungen, die den Weg für technologischen Fortschritt ebnen.

Entfesseln Sie das Potenzial Ihres Projekts mit der überlegenen Leistung der 12-Zoll-SOI-Wafer von VET Energy. Steigern Sie Ihre Innovationskraft mit Wafern, die Qualität, Präzision und Innovation verkörpern und den Grundstein für den Erfolg in der dynamischen Halbleitertechnologie legen. Wählen Sie VET Energy für erstklassige SOI-Waferlösungen, die Ihre Erwartungen übertreffen.

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WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN

*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 µm

≤6 µm

Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Waferkante

Abschrägung

OBERFLÄCHENBEARBEITUNG

*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend

Artikel

8 Zoll

6 Zoll

4 Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oberflächenbeschaffenheit

Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP

Oberflächenrauheit

(10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm
C-Fläche Ra ≤ 0,5 nm

(5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm
C-Fläche Ra≤0,5nm

Kantensplitter

Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm)

Einrückungen

Keine erlaubt

Kratzer (Si-Face)

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Menge ≤5, kumulativ
Länge ≤ 0,5 × Waferdurchmesser

Risse

Keine erlaubt

Kantenausschluss

3 mm

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